单模光电转换器怎么接_混合IIIV硅基集成的光电子集成电路（有书）

文末送书《Silicon Photonics Design From Devices to Systems》

为方便阅读，关键结论已用红色标出。

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本文总结了基于边缘耦合的集成式混合InP / SOI激光器和发射器的最新进展。首先，回顾一下III-V材料与硅之间的不同集成方法。然后，专注于使用通过边缘耦合耦合到的硅光子集成电路的外部III-V芯片。该论文报告了包含一个或两个环形谐振器以及集成反射率可调镜的波长可调激光器的结果。证明了可以实现超过C波段的宽热调谐范围，并具有高于35 dB的高侧模抑制比。外部硅腔的设计可实现各种片上功能以及先进的混合发射器。平行波长可调腔和硅上紧凑的可变光衰减器控制的阵列波导光栅与反射型半导体光放大器集成在一起，从而产生了快速的波长切换激光器。此外，还报道了将硅调制器与可调谐混合III-V / Si激光器相结合的集成发射器。用于开/关键控信号生成的集成发射器具有超过30 nm的波长可调性和高达40 Gb / s的出色误码率性能。然后报道了一个多通道集成发射机，它结合了基于硅的阵列波导光栅，激光腔和多个环形调制器。

第一节    介绍

半导体光放大器(SOA)通常用作外腔可调激光器(ECTL)的紧凑增益介质。半透明反射镜放置在输出面上，以实现发光，而高反射率反射镜则封闭腔体。这种构造在腔体内产生多次反射，从而在多个纵向模式上引发激光。通过引入腔内滤波器可以实现模式选择。例如，由增益芯片和单独的大尺寸滤光器组成的ECTL已广泛用于相干光波传输实验中。基于腔内标准具和液晶镜或单轴MEMS镜的紧凑型ECTL 已经证明。但是，由于大体积ECTL的尺寸和成本相对较高，因此其应用受到限制。硅光子技术可将反射镜和腔内滤光片集成在单个芯片上，从而减小了尺寸和成本，并带来了新的机遇。已经提出了几种实现混合III-V / Si激光器的方法，例如：

使用通过透镜耦合外部III-V芯片

使用通过边缘耦合外部III-V芯片

使用通过垂直耦合外部III-V芯片

将III-V晶片/晶圆键合到已处理的Si晶圆上

在Si异质外延上使用III-V

所有配置的示意图如图1所示。第一种方法已经在商业产品中实现，但是存在复杂的组装过程。使用第二种方法，每个III-V源都需要与硅波导对准，并实现通过小平面的对接耦合。尽管此方法需要两个芯片之间紧密对准，但是用这种方法实现的可调谐激光器具有迄今为止最佳的性能，因为两个芯片都可以独立优化和制造。在集成方法3中介绍了表面法向耦合可调谐混合硅激光器，其中通过倒装芯片键合连接具有集成全内反射(TIR)镜的RSOA。第四种方法，将III-V芯片/晶圆直接键合到硅晶圆上，似乎很有希望。在这种方法中，所有有源组件(如激光器和SOA)都将被集中处理，有源波导与无源电路的对准仅受光刻设备精度的限制。正在大力开发第五种方法，但实际应用还很遥远。所有方法都使用III-V和硅材料之间的共享腔。硅光子平台的使用为高级激光腔的设计以及外部调制器的集成开辟了道路。在本文中，将重点讨论如方法2描述的通过边缘耦合混合III-V / Si激光器。

图1-混合III-V和硅集成的示例。

第二节     通过边缘耦合集成激光源

A.  波长可调激光器

包括使用反射SOA(RSOA)设备作为增益介质，该设备的一端已经包含一面镜子。RSOA通过透镜或边缘耦合到外部基于硅的腔。增益介质可以是块状，量子阱(QW)或量子点(QD)，具体取决于所需的特性，并且可以使用光点大小的转换器来扩大刻面上的光学模式。RSOA的小面反射率由激光配置决定。可以施加高反射(HR)涂层以获得接近100％的反射率。然后，光从硅芯片耦合到光纤。如果需要部分反射率(R〜30％)，可以实现切割面。然后将光纤直接耦合到RSOA。硅芯片在具有3μm厚掩埋氧化物(BOX)层的220nm隔离硅(SOI)平台(8英寸SOI晶圆)上制造。倾斜点尺寸转换器(SSC)旨在实现有效的模式转换，以匹配对接RSOA的模式。将移相器(PS)以及一个光学(可调)滤波器放置在腔中。阵列波导光栅(AWG)级联马赫曾德尔干涉仪(MZI)或环形谐振器可用于实现此功能。最后，使用集成镜终止腔