硅基芯片与光纤耦合及封装

本文探讨了硅基光子集成芯片与光纤耦合的挑战,包括尺寸差距导致的耦合损耗。主要介绍了光栅/垂直耦合和端面/水平耦合两种常见方案,并讨论了光纤阵列的关键参数和封装方案,旨在优化光通信链路的信号传输质量。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

前言

随着硅基光子集成的设计与工艺条件逐步完善,芯片上各类有源、无器以 及它们组合而成的光模块,目前已经能够很好地实现小尺寸下信号处理。对于一 个完整的光通信链路,常由“发射端 ——传输介质 ——接收端”三部分构成,而集 成芯片上的光信号处理,其传输介质仍由传统光纤结构完成。因此,如何实现芯片和光纤中波的高效率耦合以保证通信链路号传输质量,是一个值得关注的问题。

波导与光纤耦合问题

硅基光集成芯片可以在很小的尺寸之下实现对信号处理,但是端与间光信号传输主要还是依靠光纤来 进行的 。一个基本的硅光互连结构如图所示,它是由一个发射芯片、一个接收芯片以及一段光纤组成的。首先在发射芯片端通过硅 基调制器将电信号加载到光上面,产生然后耦合纤中传向接 收芯片。基调制器将电信号加载到光上面,产生光信号,然后耦合到光纤中传向接 收芯片。接收芯片将光纤中的信号耦合进来以后,先利 用硅基解调器将其进行光解调,最后用锗硅探测器将解调后的光信号转化为电信号。从中可以看到,一个基本的硅基光互联结构需要两次芯片与光纤的耦合,然而随着器件的尺寸大幅度减小,芯片与光纤之间的耦合会遇到很大的挑战。
基本的硅基光互连结构
芯片与光纤耦合的困难在于光纤和硅波导的截面尺寸差距过大。如图所示,单模光纤的纤芯直径在10 μm 左右,而硅基单模波导的截面尺寸为500nm x 220nm 左右,若两者直接对接耦合,会产生非常大的耦合损耗。为了克服硅基光集成芯片与光纤的耦合问题,国内外的研究人员开展大量的探索,提出了许许多多的方案,在这些方案中ÿ

评论 3
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值