绝缘栅型n沟道场管_经验分享|手绘NMOS管的工作原理分析

文章来自于 EDA365 网友HAHA投稿，HAHA在工作当中遇到该问题点，虽说是简单的概念，但是记忆模糊的知识点导致工作卡壳，所以总结出来分享给大家。

场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。

绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用 SiO2 绝缘层隔离，又因栅极为金属铝，又称为 MOS 管。

它的栅—源之间电阻比结型场效应管大得多，可达

欧以上，并且比结型场效应管温度稳定性好，集成化时工艺简单，而广泛应用于大规模集成电路。

MOS 管又分为 PMOS 和 NMOS ，每一类又分为增强型和耗尽型两种。

因此， MOS 管就共有四种类型。

• 栅—源电压

• 为零时，漏极电流也为零的均属于增强型。
• 栅—源电压

• 为零时，漏极电流不为零的管子均属于耗尽型。

重点分析 N 沟道增强型 MOS 管工作原理：

1、当栅—源之间不加电压时，源漏之间只是背向的 PN 节，不存在导电沟道，即使源漏之间加电压，也不会有漏极电流。

2、当

=0，且

>0 时，由于 SiO2 的存在。栅极电流为零，栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，使之剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层。

当

增大，耗尽层增宽，将衬底的自由电子吸到耗尽层与绝缘层之间形成 N 型薄层，称为反型层。反型层就构成了 d—s 之间的导电沟道。沟道刚形成的 g—s 电压称为开启电压

(th)。

当

是大于

(th)的一个确定值时，若在 d—s 之间加正向电压，则产生一定的漏电流。

当

较小时，

的增大使

线性增大，沟道沿 S—D 方向逐渐变窄。

一旦

增大到是 Ugd=

(th)，

=

-

(th)，沟道在漏极一侧出现夹断点，称为预夹断。

继续增大，夹断区随之延长，

的增大部分几乎用于克服夹断区对漏极电流的阻力。

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