nmos导通流向_MOS管类型-MOS管4种类型与工作原理解析

MOS管类型-MOS管类型作用及工作原理解析

MOS管，即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

MOS管的类型及结构

MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管)，主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

图表1  MOS管的4种类型

每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。

图表2  MOS管内部结构图

从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管输出电流由输入的电压(或称场电压)控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。

MOS管工作原理

一、N沟道增强型场效应管原理

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极(漏极D、源极S)；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。

当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。

图表3  N沟道增强型MOS管结构示意图

当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源极S之间加正电压，即VGS＞0时，