NMOS基础以及三个工作状态详解

引言

不知道大家有没有过这个问题,刚刚接触到MOS管的时候,N管,P管,增强型,耗尽型;每个对应的标识都有所不同,每次见到都要反应半天到底是什么管子,方向应该是怎么样的,才能继续往下分析。反正我当时是被这些搞蒙了,其实究其根本,还是对各个管子的工作原理不够清晰,纯靠死记硬背。
接下来我们就把这些问题背后原理讲一讲,希望对大家有所帮助。
我们以最常见的增强型NMOS来进行。

NMOS标识

NMOS管的简易结构图如下:
在这里插入图片描述

NMOS管的标识如下:
在这里插入图片描述

  • NMOS中G极与D极、S极、还有衬底为直接相连,所以G极为左侧单独的;
  • G极右侧三条短线分别代表D极、衬底还有S极,其中衬底与S极直接相连,所以二者在标识中是连接在一起的;
  • NMOS工作时会将衬底中的电子吸引到靠近G极的一侧,与D极、S极共同构成N沟道,因此,NMOS标识中衬底的箭头指向G极,NMOS即N沟道MOS管;
  • S极与D极中多子为带有负电荷的电子,衬底中多子为带有正电荷的空穴,衬底与D极之间的PN会形成PN结,而衬底与S极时连在一起的,所以NMOS的体二极管由S极(衬底)指向D极;

NMOS工作原理

  1. 0<Vgs<Vgs(th)时,衬底中的电子被吸收靠近G极的一端,构成PN结,此时只有PN结形成,N沟道并未形成;此时处于截止区;
    在这里插入图片描述

  2. Vgs>Vgs(th),Vds=0时,衬底中的电子被吸收靠近G极的一端,跨过PN结,将S极与D极连接起来,形成N沟道;(此时N沟道虽然形成,但是D极与S极之间无电压,也就没有电流流过,Id=0) 此时处于截止区和可变电阻区(也称线性区)的临界点;
    在这里插入图片描述

  3. Vgs>Vgs(th),Vds<Vgs-Vgs(th)(即Vgd>Vgs(th))时,N沟道形成且没有被夹断,Vds与N沟道构成一个回路;N沟道的阻抗由Vgs来决定,通过调节Vgs的大小可以调节N沟道的阻值,Vgs越大,阻值越小;当阻值确定时,流过N沟道的电流Id随着Vds的变化而变化;此时处于可变电阻区(线性区);
    在这里插入图片描述

  4. Vgs>Vgs(th),Vds=Vgs-Vgs(th)(即Vgd=Vgs(th))时,N沟道形成,且处于被夹断的临界;此时处于可变电阻区(线性区)和恒流区(饱和区)的临界点(预夹断点);
    在这里插入图片描述

  5. Vgs>Vgs(th),Vds>Vgs-Vgs(th)(即Vgd<Vgs(th))时,N沟道形成,但是被夹断;N沟道的阻抗依然由Vgs来决定,通过调节Vgs的大小可以调节N沟道的阻值;当阻值确定时,由于N沟道被夹断,流过N沟道的电流是一定的,不会随Vds的变化而变化;此时处于恒流区(饱和区);
    在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值