pde与波长 sipm 关系_硅光电倍增管

硅光电倍增管

2.1

半导体光电探测器

光电探测器是将接收到的光信号转换为电信号，并进一步做放大处理的一

种探测器。

目前，

常见的光电探测器都是应用光电效应来工作的。

光电效应又分

为内光电效应与外光电效应两种。

我们通常所说的光电倍增管

(

PMT

)

便是利用

外光电效应工作的典型器件，

即入射光子打到阴极材料上，

将其内部电子轰击出

来形成光电流，

光电流强度同入射光强成正比，

从而可以检测出入射光信号的强

度。而半导体光电器件，包括光敏电阻，光电池，光电二极管，光电三极管，雪

崩二极管等，

利用内光电效应工作。

内光电效应同外光电效应的区别在于，

入射

光子并不直接将光电子从光电材料中轰击出来，

而是将光电材料内部的电子从价

带激发到导带，

于是在价带留下一个空位——空穴，

而在导带产生一个能自由移

动的电子。像这样由入射光子所激发产生的电子

-

空穴对，称为光生电子空穴对。

空穴可看成是一个带正电的载流子，

同带负电的电子相反，

空穴在价带中的能量

高于导带中的能量，

它可在价带中自由移动。

因此，

光生电子空穴对的产生改变

了半导体材料的导电性能，

可设法检测这种性能的改变来探测光信号的变化。

其

中，入射光子数同光生电子空穴对数目之比称为量子效率(

QE

，

quantum

efficiency

)

，通常将它写成百分比的形式。

半导体光电探测器，相对于利用广泛意义上所说的、利用外光电效应的光

电倍增管，它具有体积小、需求电压低的明显优势，本文所采用的

SiPM

便是一

种半导体光电倍增器件。

半导体材料吸收光能，

并将光转换为电信号，

由以下五

种机理的光吸收：本征吸收、激子吸收、晶格振动吸收、杂质吸收和自由载流子

吸收。光子能量较大(

g

E

h





)时，将发生本征吸收，而能量大于能带同杂质

能级之差(

A

C

E

E

h







或



E

E

D



)时，可观察到杂质吸收、自由载流子吸收。

本征吸收、杂质吸收等是半导体吸收光的主要机制。

功率为

iV

P

的光入射到半导体材料内，经过一段距离的传输，由于上述吸收

过程使得光功率下降，它遵从指数衰减规律：

x

io

ix

e

P

P







，式中

ix

P

为光在半导

体内走过

x

距离后的光功率，指数项系数



为吸收系数。对不同的材料，在其本

征吸收波长

g



处，有一陡峭吸收边：