目录
1、SiPM的电子模型
2、SiPM的应用电路
1>供正偏置电压
2>负偏置电压
3、SiPM的电参数
1>Afterpluse
2>PDE
3>Crosstalk
4>DCR
4、 偏压和温度对增益、暗计数、串扰、后脉冲、PDE的影响。
5、SiPM的pile up现象
6、SiPM输出信号的频谱
7、sipm的强光过曝后底噪变大的问题
1、SiPM的电子模型
首先我们来看一下二极管的雪崩电子模型,电子模型和雪崩时的电流波形如下图所示,
电流上升的快慢是由电容的充放电速度决定的,充电的时常数Td=RS*Cd,放电的时常数
Tq=Rq*Cd,这里Rq>>Rs,所以充放电的波形如上图所示。
下图为SiPM的电子模型,图中Rq为淬灭电阻,一般为MΩ级别,Cq为淬灭部分的寄生电容,Cd为二极管的体电容,开关表示雪崩的产生。
对于单个cell来讲,上升下降时间的时常数如下:
T (rise)=Rd(Cq+Cd)
Tfast (fall) = N*RS* Ctot (快输出)
Tslow (fall) = Rq (Cq+Cd) (慢输出)
对于一个像素来说,一般一个像素由一两千个cell,所以总的恢复时间为:
Tslow(fall)=(Rq+N*RS)(Cq+Cd)
2、SiPM的应用电路
1>供正偏置电压
2>负偏置电压
除了上面的两种电路结构,还可以选择把RS电阻放在偏置电压这里,但是不推荐这样做,因为电源的噪声会直接给到RS电阻上,上面的两种电路结构可以用SiPM来隔电源上面的噪声。
3、SiPM的电参数
下面是滨松的S15639的规格书
1>Afterpulse
定义:在盖格雪崩二极管被淬火后等待下一个入射光脉冲时,自身引发雪崩的概率。
滨松的S15639后脉冲已经很小了,只有1%,下图是对比两代滨松的后脉冲的波形表现。
国产的灵明光子SiPM的后脉冲也是比较好的,慢输出的上升沿0.5ns,下降沿15ns左右。
2>PDE
定义:探测入射光子的有效概率,是一次单个入射光子被像素电路检测到的概率,是外量子效率与雪崩概率的积。
国产SiPM的PDE一般都是比较高的,但是不清楚是AC还是DC测试的,这个AC或者DC测试时滨松提出来的,说他们是采用的AC测试,所以测出的PDE偏低。
SiPM的PDE与温度的关系,一般是直接给出的击穿电压和温度的关系,随着温度的升高击穿电压是逐渐变高的,也就是PDE是降低的。
偏压的提升对应PDE的提升的关系如下图所示
PDE = 填充因子 x 量子效率 x 雪崩概率
3>Crosstalk
定义:阵列本像元受相邻像元影响导致被误检测事件的概率。
下图也是滨松的一个课件上介绍的串扰,这个串扰是指相邻的Spad之间的影响,导致最后因为串扰导致叠加的信号变的足够的大,这个串扰的大小直接和增益也就是偏压的大小直接相关,偏压越大,串扰也就越大。
4>DCR
定义:在无光照时产生雪崩脉冲的频率,因热生载流子、隧道电流以及其他机制导致误触发事件的频率。
影响暗计数的大小因素主要是温度和偏压的大小。
温度与暗计数的关系如下图所示。
偏压与DCR的关系如下图所示。
4、 偏压和温度对增益、暗计数、串扰、后脉冲、PDE的影响。
参考:硅光电倍增管(MPPC/SiPM)基础知识_滨松光子学商贸(中国)有限公司
5、SiPM的pile up现象
因为SiPM的接收信号不是高斯波形,在信号比较强的时候,峰值的位置由于叠加会出现前移的现象,这样如果信号不经过校正,同一距离不同反射率信号的测距会产生误差的。
6、SiPM输出信号的频谱
方波信号的频谱:
方波信号上升、下降时间5ps,Ton=10ns ,T=20ns,频谱如下图所示,可以看到只有奇次谐波,50M,150M,250M......,
脉冲信号的频谱:
脉冲信号上升、下降时间5ps,Ton=10ns ,T=100ns,频谱如下图所示,
Sipm的脉冲信号频谱:
Sipm的脉冲信号上升1ns、下降时间10ns,Ton=10ps ,T=10us,频谱如下图所示,
上升时间改为10ns
7、sipm在强光过曝后底噪变大的问题
测试现象