IGBT的开关时间说明
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态,即VGE为负压VGC-,后级输出为阻感性负载,带有续流二极管。
由于寄生参数以及负载特性的影响,IGBT的实际开通与关断过程比较复杂,如图1为IGBT的开通关断过程示意图,图中栅极驱动波形较为理想化,集电极电流以及集电极—发亏射极电压的波形大致上是实际波形,只有细节被理想化。
图1 IGBT开关时间示意图
表1中列出了IGBT开关时间的定义,之后是对IGBT开关各个阶段的具体介绍。
表1 IGBT开关时间定义
开通时间
ton
ICBT开通时,VGE上升到0V后,VCE下降到最大值10%时为止的时间
开通延时时间
td(on)
IGBT开通时,从集电极电流上升到最大值的10%时开始,到VCE下降到最大值的10%为止的时间
上升时间
tr
IGBT开通时,从集电极电流上升到最大值的10%时开始,到达90%为止的时间
关断时间
toff
IGBT关断时,从VCE下降到最大值的90%开始,到集电极电流在下降电流的切线上下降到10%为止的时