1196: 数星星(二)(结构体专题)_磁控溅射镀膜小专题--缺陷

文章从生长过程缺陷及薄膜内部缺陷两方面进行简单介绍，本文属于覆盖性质科普，细节方面不算特别全面，会在后面专题中进行详细介绍，属于学习记录类文章，如有错误欢迎留言讨论

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小概念

肖奈特缺陷：由于晶体中格点粒子热运动到表面，在原来位置留下空位，所形成的缺陷

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生长过程缺陷（一）

薄膜的缺陷与薄膜制造工艺有关，对性能有着重要的影响，晶粒内的空位、填隙原子和位错，晶粒边界的组织缺陷以及薄膜与衬底之间的位错。

（1）点缺陷：

一个晶格点产生的缺陷，通常由于凝聚时温度急剧变换或衬底温度较低的原因产生点缺陷。点缺陷主要影响薄膜材料的电阻率。

（2）位错（线缺陷）：

位错是薄膜材料的主要缺陷之一，通常可以达到（10^10~10^11）cm^-2之间。由于位错处于钉扎状态，因此薄膜抗拉强度甚至会大于块材

（3）晶粒间界：

晶粒间界是导致薄膜材料电阻率大于块材的因素之一

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生长过程缺陷产生原因

产生原因：

（1）生长过程中真空度限制，腔体内杂质气体惨进膜晶粒内部或边界处（晶界与物理过程章节介绍的微观结构形成有关）；工作气体也会由于碰撞等进入膜层内，形成肖奈特缺陷或填隙原子，从而增大晶界体积。

（2）铌膜能量较低或者衬底温度较低，导致沉积到衬底的原子扩散能力有限，最终结晶质量差（膜内经理大量空位及位错）

（3）衬底与膜层热膨胀系数不同

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薄膜内部缺陷（二）

上述缺陷产生会导致包膜内：残余应力、附着性变差、体电阻率增加以及表面形貌粗糙的主要原因。

（1）残余应力：制约薄膜超导临界电流及临界磁场大小

（2）附着力：应用方面受限

（3）体电阻率：间接反应超导转变温度高低（体电阻率越接近块材，薄膜的超导转变温度就越接近块材）

（4）表面粗糙度：由于某些具有特定取向的晶粒和核生长比其余晶粒和核生长更有利，因此再合适的厚度下，任何随机形核的薄膜都有可能产生不均匀生长，形成丘，导致薄膜表面不光滑。

从沉积速率角度分析：沉积速率低会导致原子在衬底上迁移时间长，容易在到达吸附点位置之前就被其余的小岛所俘获，从而形成较大的晶粒，这会使得薄膜表面粗糙、不致密。除此之外，吸附原子到达衬底后，后续原子长时间不到达，暴露的原子容易媳妇残余气体分子或其他杂质。但是沉积速率过高会导致形核过多，形成内应力等（参考影响因素章节沉积速率）

从薄膜厚度角度分析：薄膜生长方式与膜基表面能有关，通常层状生长薄膜比较平整，大部分薄膜属于岛状生长，有些数与层状-岛状生长，因此当膜厚较低时有可能是层状生长表面平滑，随着膜厚增加又沉积速率不够的时候，小岛俘获沉积原子，形成较大的丘，导致表面不平滑。

具体生长过程可以关注我的另外一边文章

仓颉不造字：磁控溅射镀膜技术的物理过程​zhuanlan.zhihu.com

经文献结论（文献时间较长，现在应该有了更新结论，笔者还没总结到位，仅供参考）：丘的形成（岛状生长）很大程度上与薄膜厚度有关，薄膜厚度取决于沉积速率以及沉积时间工艺参数等（沉积速率的与溅射压强，靶基距，溅射功率等相关），通常满足（1）厚度10000A或更薄的薄膜（2）沉积速率在1000A per min或更高的速率。这两种情况都会不产生或只产生少量的丘。

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