语言 ota_gm/Id的模拟电路设计方法（5）——两级OTA设计

最新推荐文章于 2024-03-07 21:22:33 发布

weixin_39887715

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文章标签：语言 ota

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_39887715/article/details/112729824

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本文以两级OTA电路设计为例，讨论gm/Id的模拟集成电路设计方法在实际电路设计过程中的使用。

本文中电路的部分指标来自于复旦大学一篇关于两级OTA的设计教程，由于篇幅所限，并没有验证所有仿真内容，文中只对我们比较关心的指标进行仿真验证。

OTA的设计一般分成两个步骤，其一是根据设计需求选择需要的电路结构，其二是根据电路指标结合计算结果确定电路中器件尺寸并进行仿真迭代。

上述电路是最简单的两级OTA结构，左侧结构是电流偏置产生电路，中间是五管结构的差分输入对，右侧是共源极输出，其中包含一个跨接在第二级输入与输出之间的补偿结构。

两级OTA设计指标

根据上面的设计指标，结合相应的计算公式，以gm/Id作为参数重新表示各指标的计算公式。

开环直流增益：

开环增益跟第一级、第二级电路的gm/Id值有关，同时与NMOS、PMOS的沟道长度调制系数

和

有关（假设所有M

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