full tilt chip rack_硅光相关概念wafer,die,chip以及bonding

对于不在Foundry工作的人来说，wafer，die，chip这些概念到底是什么，概念很模糊。今天简单介绍一下这些名词含义，并介绍一类异质集成方法die to wafer bonding技术。

1、Wafer是什么？

wafer就是指一整个圆形的晶圆硅片

2、Die是什么？

一个wafer被分成很多矩形小方块，而这个小方块就称为Die，一个晶圆Wafer上每个小方块的设计内容都是一样的，全是同一个Die的重复单元。

3、Chip又是什么呢？
在一个Die里面实际又细分为几个小单元，每个小单元称为一个chip，每个chip具有不同的设计，每个设计由不同的用户提供。这样做的目的就是实现Multi project wafer(MPW)，即多项目晶圆，MPW可以实现多个用户的设计在同一次加工过程同时被完成，这是现阶段集成光学产业需求还不是很巨大时，采用的一种较为廉价的运营方式，这样任何一个设计者都不用单独为一整个晶圆付费，从而减轻研发成本。

接下来讲一下：异质集成中的键合技术die to wafer bonding

die to wafer bonding (D2W)只是很多bonding技术中的一种，除了D2W以外，还有wafer to wafer bonding（W2W）技术。区别在于：D2W是将尺寸较小的Die一个一个的贴到另外一个wafer上；而W2W是直接将两个wafer相互贴在一起。

集成光学中为什么要大量研究bonding技术呢？原因很简单，因为硅芯片不能发光，没有光源，而其它III-V材料能够实现发光，但人们又希望继续使用硅光的CMOS兼容特点，大规模发展硅光技术，那就必须想办法在硅平台上实现片上光源。III-V材料由于晶格不匹配，所以没办法直接在硅上面外延生长III-V材料。另一种比较可取的办法就是先用III-V平台工艺把激光器的结构加工出来，再通过bonding的技术贴到硅片上，从而实现硅光光源。

Die to wafer bonding

工艺过程:

D2W的基本目的就是将一种工艺平台的Die贴到另外一个工艺平台的Wafer上。

第一步：Die的准备
被用来贴的die：是一个没有被刻蚀任何图样的矩形方块，方块虽然没有图样，但是相应的材料层已经生长好了，可以实现对应的功能如探测器、激光器。Die的材料层主要包括两大层：1、衬底层，不同工艺平台衬底层有所不同，例如III-V工艺平台的衬底多以InP或GaAs为主，而硅光/氮化硅工艺平台多以Si衬底为主。2、功能层，也叫外延层，就是衬底上外延生长的一些列材料层，实现特定的功能如探测器、激光器。

第二步：载体Wafer准备

载体Wafer：是一个用来承载die的完整wafer，上面已经刻蚀好了很多功能结构如下图所示，包括无源波导，边缘耦合，光栅耦合等结构。

第三步：完成bonding过程

Dieto wafer bonding 对贴片位置精度要求不高，die只要能覆盖目标就可以，die的形状可以在贴完后，通过其它刻蚀方法得到。Bonding需要一些粘贴材料将die与wafer粘在一起，常用的有BCB，或者用oxide作为中间层，直接通过分子键合。

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