存储芯片介绍

1. 存储芯片

1. Eeprom

1.1 Eeprom介绍

1. 目前用过的型号有：BL24C512A-64KB，BL24C256A-32KB。以上两款型号，64KB的页大小：128B，32KB的页大小：64B。
2. Eeprom特性
   2.1 写
   1. 可以以字节为单位写。
   2. 写的时候，存储器内容是有个一页的缓存区。开始写的时候输入的写地址，就会被锁定住，之后写的数据，都会在这个页里面，超过就会翻卷。
   3. 写入时不需要擦除
   2.2 读
   读没有页的限制，可以从任意地址开始读取任意大小数据，只是超过整个存储器容量时地址才回卷。
   2.3 成本高，容量小

1.2 访问方式、使用

2.1 支持I2C通信，采用硬件I2C的方式访问，效率高。

1.3 303平台

3.1 外设确认是否启动Eeprom。不同的单板，（Drv_config.h）确定Eeprom的访问地址、Eeprom的大小、页大小、页写的间隔时间。每页有个扩展页，存储一些扩展信息。
3.2 中间件留给上层接口，入队、队列、队列的深度16，宽度192。

1. 入队
   入队判断地址是否超限、页数。

3.3 应用操作
1. 读写
1.1 根据类型、序号，获取对应的地址，固定的。不再采用均衡擦写，有bug未修复。
1.2 注意写入时，区域的划分，32B、64B、128对应各自的个数。序号不允许超出块的数量。

1.4 均衡擦写

为了延长Eeprom的寿命，采用均衡擦写对块进行操作。单页寿面，约擦写10万次。均衡擦写过程如下图。

2. flash

2.1 flash介绍

  1. nandflash/片内flash，按块擦除，按页写，写之前，必须擦除。