数字电子技术基础 - 半导体存储电路

1 概述

存储电路：存储各种数据和信息
寄存器：存储一组数据的电路，结构为一组具有公共时钟信号输入端的触发器
存储器：存储大量数据的电路，基本结构由存储矩阵和读/写控制电路组成

2 SR锁存

两个或非门接成反馈，输入端用来置1、0，如下图所示，可将S作为置1输入端，R作为置0输入端。

真值表如下（Q 表示原来的状态，Q* 表示更新的状态）
当S和R同为0，Q* 取决于Q；当S和R同为1，Q* 不定，所以正常情况下，应遵循SR=0的约束条件。

任何时刻，输入都能直接改变输出的状态。

3 触发器

3.1 电平触发的触发器

在CLK=1的全部时间里，S和R的变化都将引起输出状态的变化。

如下例所示，在CLK=1期间，Q和Q‘可能随S、R变化多次翻转。

电平触发D触发器
将SR触发器的S、R端通过非门设置为D和D‘

3.2 边沿触发的触发器

提高可靠性，增强抗干扰能力，希望触发器的次态仅取决于CLK的下降沿（或上升沿）到来时的输入信号状态，与在此前、后输入的状态没有关系。

用两个电平触发D触发器组成的边沿触发器

3.3 脉冲触发的触发器

为了提高可靠性，要求每个CLK周期输出状态只能改变1次

3.3.1 主从SR触发器

CLK=1时，“主”按S、R翻转，“从”保持；
CLK下降沿到达时，“主”保持，“从”根据“主”的状态翻转。

3.3.2 主从JK触发器

为了解除约束，即使出现S=R=1的情况，Q*也是确定的

若J=K=1，clk下降沿后，“从”=“Q*”‘，主从SR和主从JK的真值表如下

3.4 触发器的逻辑功能

对上述多种触发器总结

3.4.1 SR触发器

特性方程

真值表

状态转换图

3.4.2 JK触发器

特性方程

真值表

状态转换图

3.4.3 T触发器

特性方程

真值表

状态转换图

3.4.4 D触发器

特性方程

真值表

状态转换图

上述涉及到的触发器比较多，触发器之间的相互关系可参考：锁存器和几种触发器之间的关系

3.5 触发器的动态特性

建立时间、保持时间、传输延迟时间、最高时钟频率

4 寄存器

用于寄存一组二值代码，N位寄存器由N个触发器组成，可存放一组N位二值代码。只要求其中每个触发器可置1、置0。

5 存储器

能存储大量二值信息的器件，单元数庞大，输入/输出引脚数目有限，一般的结构形式如下

从存/取功能分类：
只读存储器(Read-Only-Memory)：掩模ROM、可编程ROM、可擦除的可编程EPROM
随机读/写(Random-Access-Memory)：静态RAM、动态RAM

从工艺分类：双极型、MOS型

5.1 静态随机存储器(SRAM)

5.2 动态随机存储器(DRAM)

动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理

5.3 只读存储器ROM

ROM的分类

掩模ROM：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产，简单，便宜，非易失性

可编程ROM(PROM)：总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同（出厂时，每个结点上都有易熔合金制成的熔丝，编程时将不用的熔断），是一次性编程，不能改写，写入时，要使用编程器

用电信号擦除的可编程只读存储器——闪存(Flash Memory)

5.4 存储器容量的扩展

位扩展方式：适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时
将各片的地址线、读写线、片选线并联即可

字扩展方式：适用于每片RAM、ROM位数够用而字数不够时

个人认为，位扩展可以当作，深度够了，数据宽度不够；字扩展则是数据宽度满足，扩展深度

5.5 用存储器实现组合逻辑函数

个人感觉，类似于FPGA中的LUT，以查找表的方式组成所需单元部件。