Eeprom和Flash的读写区别

Eeprom以BL24C512为例：

页和扇区的概念有点类似。

BL24C512的基本参数：

（1）容量为512Kbits。总共64KB，分为512个页，一个页128Byte；

（2）最高通信速率为1MHz。

最小擦除单元为：EEPROM的最小擦除单元可以是字节也可以是扇区，‌取决于具体的EEPROM设备和其设计。‌BL24C512的最小擦除单元为字节。

支持读方式：单字节读、随机读、序列读功能、跨页读。

支持写方式：字节写、页写、部分页写。

写之前是否需要擦除：否。有些eeprom可能需要擦除。

Flash以SPI FLASH---GD5F4GM5UF为例：

GD5F4GMGUF的基本参数：

（1）容量为4Gbit。

1Gbit = 1024Mbit = 1024 * 1024 * 1Kbit = 1024 * 1024 * 128KByte = 134217728Byte。

4Gbit = 134217728Byte * 4 = 536870912Byte。

所以总共512MByte，分为2048个块，每个块64扇区，一个扇区4096Byte；

2048*64*4096 = 536870912Byte = 512MByte。

最小擦除单元为：1个块。

支持读方式：支持单字节读，但不支持跨页读。有些SPI Flash支持跨页读，例如W25Q128；有些不支持跨页读，例如本例子的GD5F4G。

支持写方式：支持单字节更新，但是按页操作，因为最小的操作管理单元是页，具体可以看我的另一篇文章简单阐述关于Spi Flash最小写入单元是页还是字节的看法-CSDN博客。

能否跨页写：不能。如果只想改变SPI FLASH的某个字节：

1. 读取页面数据：首先，你需要读取包含要修改字节的整个页面的数据到一个缓冲区中。

2. 修改缓冲区：在缓冲区中找到要修改的特定字节，然后对其进行修改。

3. 擦除页面：在将修改后的数据写回之前，你需要将整个页面擦除。SPI Flash通常不能直接在已有数据的位置上写入新数据，而是需要先擦除整个页面。

4. 写入新数据：擦除完成后，将修改后的缓冲区数据写回到SPI Flash中的相应页面。

写之前是否需要擦除：是。因为GD5F4GMGUF属于NAND闪存。

 编程/擦除/读取速度

      -  页面编程时间：480us典型值

      -  块擦除时间：典型值为3ms

      -  页面读取时间：最大120us（带有ECC）

I2C按页写和单字节写的优缺点和区别：I2C总线的EEPROM24C02按页操作_eeprom的单字节写入和页写入有何区别-CSDN博客