2、EEPROM介绍及与Flash区别_VirtuousLiu的博客-CSDN博客_eeprom
3、基础——ROM, RAM, FLASH, SSD, DDR3/4， eMMC, UFS, SD卡, TF卡,相互关系_口袋里のInit的博客-CSDN博客_emmc是rom还是ram
EEPROM 芯片和flash的特点都是断电数据保留，可以存放不同的数据。
Flash是用来存储程序、代码的，在运行过程中不能改；
EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变。
一般来说eeprom中存放开机是用到的参数，不可丢失的变量等，而FLASH中会存放程序，记录文件等。
现在的单片机mcu,
RAM主要是做运行时数据存储器；
FLASH主要是程序存储器；
EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据。
另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失。
比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在运行中改为6：00，这是保存在EEPROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00
说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然， FLASH还可以用来装数据。
总结：
1. flash又叫做flash eeprom，工艺简单，按扇区操作，操作速度更快，但缺点是操作过程麻烦，特别是在小数据量反复重写时，所以适合存一般不修改的程序。
2. eeprom电路复杂，成本也高，可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，掉电后数据不丢失。
3. 所以flash和eeprom是“白马”和“马”的关系。
单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC 或SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。
在STC 单片机中内置了EEPROM（其实是采用IAP 技术读写内部FLASH 来实现EEPROM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。下面就详细介绍STC 单片机内置EEPROM 及其使用方法。
FLASH分类
根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。
主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。
信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。
系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。
选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
EEPROM芯片容量小,1Mb以下，芯片贵，但是在写入时不需要擦除，最小可写一个字节byte，读写的速度比较慢20Mbps，但因为写起来方便，适用于常常修改的数据，100万次。
EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变
Flash芯片容量大 ，最大到几G，但是在写入时需要擦除。最小擦除一个扇区block，所以一般存放的数据多是读的，也可以写，读写的速度较快2.4Gbps，但是因为最小擦除要一个扇区，写起来比较麻烦。10万次
Flash是用来存储程序、代码的，在运行过程中不能改；
注意接口差别
EEPROM通信接口： IIC、 SPI 、Microwire
Flash通信接口：
1、NOR FLASH ：既有带有并行 SRAM接口（CFI），有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节，又有串口SPI 。
Nor Flash 分为两种类型：CFI Flash（并口） 和 SPI Flash （串口）
CFI Flash：CFI并行接口（早期用的多，将近50引脚复杂多，体积大，速度快，一次传输多bit）
SPI Flash：SPI串行接口 （后期用的多，8引脚简单少，体积小，速度慢，一次传输1bit便宜）
引脚接近50个，包含地址、IO、使能信号、电源等。
其中地址通常和容量有关系，这里是1Mb的容量，地址有16个（A15-A0）;
其中IO通常是8的倍数，这里是16个（IO15-IO0）;
使能信号CE#，WE#，OE#，BHE#，BLE#，请原谅我用#代替上划线，上划线根本无法输入，MD；
电源信号：VCC/VSS.
2、NAND FLASH： 器件使用少量的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚复用用来传送指令、地址和数据信息，另外几个引脚是控制引脚。
eMMC (Embedded Multi Media Card）是一种NAND Flash
DDR是一种DRAM
除了I/O总线DATA0--DATA7 共8引脚复用，NAND接口由6个主要控制信号构成：
1.芯片启动(Chip Enable, CE#)：如果没有检测到CE信号，那么，NAND器件就保持待机模式，不对任何控制信号作出响应。
2.写使能(Write Enable, WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。
3.读使能(Read Enable, RE#): RE#允许输出数据缓冲器。
4.指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时，在WE#信号的上升沿，指令被锁存到NAND指令寄存器中。
5.地址锁存使能(Address Latch Enable, ALE)：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿，地址被锁存到NAND地址寄存器中。
6.就绪/忙(Ready/Busy, R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信号将变低。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口。当进行编程操作的时候，待编程的数据进入数据寄存器，处于在WE#信号的上升沿。在寄存器内随机存取或移动数据，要采用专用指令以便于随机存取。
Flash接口_i_vxworks的博客-CSDN博客_flash接口
a，CFI Flash
英文全称是common flash interface,也就是公共闪存接口，是由存储芯片工业界定义的一种获取闪存芯片物理参数和结构参数的操作规程和标准。CFI有许多关于闪存芯片的规定，有利于嵌入式对FLASH的编程。现在的很多NOR FLASH 都支持CFI，但并不是所有的都支持。
CFI接口，相对于串口的SPI来说，也被称为parallel接口，并行接口；
另外，CFI接口是JEDEC定义的，所以，有的又成CFI接口为JEDEC接口。所以，可以简单理解为：对于Nor Flash来说，CFI接口＝JEDEC接口＝Parallel接口 = 并行接口
b，SPI Flash
serial peripheral interface串行外围设备接口,是一种常见的时钟同步串行通信接口。
c，CFI Flash 和 SPI Flash 比较
SPI flash和 CFI Flash 的介质都是Norflash ，但是SPI 是通过串行接口来实现数据操作，而 CFI Flash 则以并行接口进行数据操作，SPI容量都不是很大，市场上 CFI Flash 做大可以做到128Mbit，而且读写速度慢，但是价格便宜，操作简单。而parallel接口速度快，容量上市场上已经有1Gbit的容量，价格昂贵
NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是类似，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约成本。
intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是其很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
存储器分为两大类：ram（内存：随机存储器）和rom（外存：程序存储器），分别存数据和程序。
ram就不讲了，今天主要讨论rom。
（1）rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。
（2）后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。
（3）人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。
（4）历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。
（ROM--PROM--EPROM--EEPROM的进化！）
EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器（不要觉得多高大上，其实经常都会用到），即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。
flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。
3、浅谈EEPROM和flash的区别 及 nor flash和nand flash - 存储技术 - 电子发烧友网
Nand Flash 和Nor Flash的区别详解 - Iriczhao - 博客园
flash分为nor flash和nand flash。nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。
nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）
由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。
因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关；NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。
SSD（固态硬盘）也是一种NAND Flash
嵌入式产品中包括数码相机，移动设备的内存卡、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等也是用的NAND Flash芯片。
eMMC (Embedded Multi Media Card）是一种NAND Flash
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC（多媒体存储卡MulTI Media Card）存储卡市场上所占份额最大。
1、擦写方式不同
FLASH在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节，换句话说，只能成块的读写，特别是写。
EEPROM写之前不需要擦除，可以每次改写一个字节。当然，也有缺点，EEPROM读写速度慢，另外，容量比较小，也就是说EEPROM要贵。
2、使用情况不同
对单片机来说，关键性的数据，如传感器的标定数据，用户配置参数等，用EEPROM存储，而像文件等大容量的数据记录，或者经常读但很少写的数据，可以用FLASH闪存存储，像图片、字库、文件记录。
除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。
3、擦写次数不同
eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制。
如果要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和写一次都算一次操作，但操作次数可以到10的12次方级别，基本可以认为是无限。
4、关于STM32的FLASH操作【转载】 - 程序员大本营
关于ISP与IAP
ISP（In System Programming）在系统编程，是指直接在目标电路板上对芯片进行编程，一般需要一个自举程序（BootLoader）来执行。ISP也有叫ICP（In Circuit Programming）、在电路编程、在线编程。
IAP（In Application Programming）在应用中编程，是指最终产品出厂后，由最终用户在使用中对用户程序部分进行编程，实现在线升级。IAP要求将程序分成两部分：引导程序、用户程序。引导程序总是不变的。IAP也有叫在程序中编程。
ISP与IAP的区别在于，ISP一般是对芯片整片重新编程，用的是芯片厂的自举程序。而IAP只是更新程序的一部分，用的是电器厂开发的IAP引导程序。
综合来看，ISP受到的限制更多，而IAP由于是自己开发的程序，更换程序的时候更容易操作。
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