RS232热插拔+静电保护

根据查阅资料

ESD保护二极管选型：

1、ESD静电二极管使用时是并联在被保护电路上，正常情况下对线路的工作不应产生任何的影响；
2、击穿电压VBR 的选择：ESD 管的击穿电压>线路最高工作电压Um或者信号电平的最大电压值；
3、脉冲峰值电流IPP 和最大箝位电压VC 的选择：ESD 管使用时，要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择IPP 合适的型号。要注意的是，此时的最大箝位电压VC <被保护芯片所能耐受的最大峰值电压；
4、用于信号传输电路保护时，一定要注意所传输信号的频率或传输速率，当信号频率或传输速率较高时，应选用低电容系列的管子，否则会影响通信质量。
ESD静电二极管的封装形式：根据电路设计布局及被保护线路数目选择合适的封装形式。（注意封装大小从一定程度上可以反映器件的防护功率大小，一般封装越大的器件防护等级也越高，反之亦然。）

RS232接口参数
开路电压：       ≤25V 
负载阻抗:        3kΩ－7kΩ
负载电容：       ≤2500 pF 
输出电阻：        300Ω
输出短路电流：   ≤60mA 
信号速率：       ≤20Kbps

典型连接图

(1)二极管选用推荐是双向TVS管，例如是：（PESD15VL2BT，30KV，反向击穿电压15V，结电容16pF，功率200W）（BS0150MS）
BS0150MS参数如下：
1．双向浪涌吸收
2．低的断态电压=15V 
3．峰值电流IPP 10/1000µs (A)50A
4．低的电容保证信号失真极低。C〈15 pF  
5．5．SMA(DO-214AC 2.5k/Rell)
(2)类似于下载接口或TXD信号那样接个5.1或22欧的小电阻
(3)磁珠与电容滤除信号上的高频干扰，根据磁珠的特性曲线可以知道，232的通信频率相对于磁珠来说都是低频信号，可以低阻通过，高频杂波被阻挡，配合低容值电容，泄放高频干扰。通常选择600Ω/100MHz，330pF。
(4)限流电阻初步选择100Ω，可以根据后期使用情况进行增减

1.峰值反向工作电压 要求：15V
2.反向漏泄电流 50nA
3.绝缘击穿电压 17.1V
4.试验电流，测试电流 5ma
5.最大反向峰值脉冲电流
6.钳位电压 44V
7.[电] 脉冲功率尖峰 200W
8.[电子]结电容 <15pF

从接口端开始：

1，气体放电管。用于泄放高压大电流。但是放电管的特点是通流量大，但响应慢、击穿电压高。所以后部还需要其他器件配合。可选：

【UN3E5-470LSMD】直流标称电压470±20%V，冲击电流（8/20μS）2.5KA*2，电容值＜1.5pF，电阻值＞1GΩ

【UN3E6-420MM】直流标称电压420±20%V，冲击电流（8/20μS）5KA*2，电容值＜1.5pF，电阻值＞1GΩ

2，PTC热敏电阻/自恢复保险丝。配合气体放电管，当大电流过来时阻断电路配合GDT泄放能量。我的理解是PTC的电压高于预料内引入浪涌的最高压，电流不高于后级TVS的最大通过电流。

可选：PTC1/PTC2【JK250-120U】最大冲击电压250V，最大冲击电流10A，最大不动作电流120mA

3，双向TVS二极管，因为RS232的电压特性，选用的TVS是双向的，电压为15V就可以。弥补GDT因为反应慢而通过的电流。

4，滤波磁珠与滤波电容

磁珠与电容滤除信号上的高频干扰，根据磁珠的特性曲线可以知道，232的通信频率相对于磁珠来说都是低频信号，可以低阻通过，高频杂波被阻挡，配合低容值电容，泄放高频干扰。通常选择600Ω/100MHz，330pF。

5，限流电阻。

初步选择100Ω，可以根据后期使用情况进行增减。

注意：滤波电路尽量靠近端口，磁珠或共模电感到端子间PCB走线长度要小；如防护器件过多，磁珠到端子间PCB走线长度距离比较大，则应在最靠近接口处增加Y电容或高压电容进行滤波，Y电容要满足耐压要求；

如果EARTH能够可靠接地（有金属外壳接地），那么SGND与EARTH之间加高压电容相连。

如果EARTH不能够可靠接地（浮地），那么SGND与EARTH直接相连短接