最常用的电平转换电路

两颗NMOS搭建的电平转换电路

★适用范围:适用于大部分需要电平转换的应用场景
★优点:可以双向传输，导通压降一般较小，且传输频率可以达到很高
★缺点:几乎几乎没有
★工作原理：
①当SDA1输出高电平时:MOS管Q1的Vgs=0MOS 管关闭，SDA2 被电阻 R3上拉到 5V。
②当 SDA1 输出低电平时:MOS管Q1的Vgs=3.3V大于导通电压，MOS 管导通，SDA2 通过 MOS管被拉到低电平。
③当 SDA2 输出高电平时:MOS 管 Q1 的 Vgs 不变MOS 维持关闭状态，SDA1被电阻 R2上拉到 3.3V。
④当 SDA2 输出低电平时:MOS 管不导通，但是它有体二极管，MOS 管里的体二极管把 SDA1 拉低到低电平此时 Vgs 约等于 3.3V，MOS 管导通，进一步拉低了SDA1 的电压。

两颗NPN三极管搭建的电平转换电路

★工作原理：
★缺点:元器件多
①当5V TXD输出高电平时Q5的Vbe < 0.7V三极管截止，3.3V RXD被R5上拉到3.3V,所以3.3V RXD为高。
②当5V TXD输出低电平时，3.3V RXD通过三极管被5V TXD拉低，所以Q5的Vbe >0.7V，三极管导通，33.3V RXD为低。

① 当5V TXD（发射数据）输出高电平时，Q5基极-发射极电压（Vbe）小于0.7V，说明三极管Q5未导通。此时，3.3V RXD（接收数据）通过电阻R5被上拉至3.3V，因此3.3V RXD呈现高电平状态。
② 当5V TXD输出低电平时，由于三极管Q5的集电极与发射极之间是低阻抗路径，3.3V RXD会通过导通的三极管Q5被5V TXD拉低，因此Q5的Vbe将大于0.7V，导致三极管Q5导通。这时，3.3V RXD会被拉到接近0V的低电平状态。
★注意:三极管b极的限流电阻一定要保留，

二极管钳位搭建电平转换电路

★工作原理:
①当3.3V_TXD输出高电平时，D2截止，5V RXD被R14上拉到5V,同时又被D1钳位到3.3V，所以5V RXD为高，即A点电平大概为4V左右。
②当3.3V TXD输出低电平时，D2导通，5V RXD被D2拉低,所以5V RXD为低，即A点电平大概为0.3V左右。
③当5V TXD输出高电平时，通过二极管D3钳位到3.3V,所以3.3V RXD为高，即B点电平大概为3.6V左右。
④当5V TXD输出低电平时，D3不导通,直接通过电阻R15将3.3V RXD拉低，所以3.3V RXD为低。

当3.3V_TXD输出高电平时：

D2处于截止状态，5V RXD通过R14上拉至5V，同时由于D1的钳位作用，A点电平被限制在3.3V左右，因此5V RXD呈现高电平状态。
对于B点，当5V TXD输出高电平时，通过D3钳位，使得3.3V RXD为高，B点电平大概为3.6V左右。
当3.3V_TXD输出低电平时：

D2导通，导致5V RXD被拉低，A点电平约为0.3V左右。
对于B点，当5V TXD输出低电平时，D3不导通，3.3V RXD通过R15被拉低，所以3.3V RXD为低。
当5V_TXD输出高电平时：

通过D3钳位到3.3V，所以3.3V RXD为高，即B点电平大概为3.6V左右。
对于A点，当5V TXD输出高电平时，Q5的Vbe < 0.7V，三极管截止，3.3V_RXD被R5上拉到3.3V,所以3.3V_RXD为高。
当5V_TXD输出低电平时：

D3不导通，直接通过电阻R15将3.3V RXD拉低，所以3.3V RXD为低。
对于A点，Q5的Vbe > 0.7V，三极管导通，3.3V_RXD通过三极管被5V_TXD拉低，所以3.3V_RXD为低。

二极管和MOS管组合的电平转换电路

工作原理:
①当3.3V TXD输出高电平时，D5截止，1.8V RXD被R24上拉到1.8V,所以1.8V RXD为高，即C点电平大概为1.8V左右
②当3.3V TXD输出低电平时，D5导通，1.8V RXD被D5拉低,所以1.8V RXD为低，由于二极管的压降，所以C点低电平大概为0.3V左右;
③当1.8V TXD输出高电平时Q4截止3.3V RXD被R25上拉到3.3V,所以3.3V RXD为高，即D点电平大概为3.3V左右;
④当1.8V TXD输出低电平时3.3V RXD被Q4拉低,所以3.3V RXD为低，即D点电平大概为0V左右;

专用转换芯片电平转换

范围广：VCC(A):1.65 Vto 3.6 V and VcC(B): 2.3 V to 5.5 V
最大数据速率:50 Mbps
多种封装
转换通道数:4
主要适用于:I2C，UART，GPIO 等