元器件
无
iot 小胡
嵌入式软件工程师
擅长领域 : 智能家居、STM32、CubeMX、RT-Thread、通信
展开
-
MOS管
提示 : 博主软件出生, 以下纯属个人的学习笔记. 如果有误导, 还望不吝赐教!下图为N-MOS和P-MOS的标准符号和简化符号常用作门电路分析分析分析标准符号, 如果遇到简化符号, 化成标准符号一般用来分析高低电平就够了高电平 = VDDV_{DD}VDD = 1 、低电平 = VSSV_{SS}VSS = 0比较 S 和 G 的电平, 如果箭头指向电平高的方向 S ...原创 2020-03-12 16:29:31 · 805 阅读 · 0 评论 -
三极管
温馨提示 : 博主软件出生, 以下纯属个人的学习笔记. 如果有误导, 还望不吝赐教!下图为三级管图, 通常NPN使用得比较多, 以下图中的 (NPN) 为例, 简述常见的三种状态:饱和区:条件:VC<VBV_C < V_BVC<VB, 且 βIB>ICβI_B > I_CβIB>IC , VCE≈0.3VV_{CE} ≈ 0.3VVCE≈...原创 2020-03-11 14:59:56 · 550 阅读 · 1 评论 -
二极管
温馨提示 : 博主软件出生, 以下纯属个人的学习笔记. 如果有误导, 还望不吝赐教!参考下面伏安特性曲线:P为正极, N为负极(硅管) 当 P端电压- N端电压>= 0.7V时二极管导通(锗管) 当 P端电压- N端电压>= 0.2V时二极管导通X负半轴为反向击穿电压(了解),当电压过高就会被击穿.一般情况下默认为硅管备注:提供一下个人微信号 Hleafleafle...原创 2020-03-11 14:58:59 · 434 阅读 · 0 评论