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RSS订阅原创 浪涌(冲击)抗扰度试验
然后怎么打：1.2/50us开路电压波形 8/20us还是10/700us 看具体设备的要求。浪涌电压：5个等级，最后一个图是教你怎么布置测试仪器的。然后仪器已经有这些波形了，选择就可以了。1.2/50us开路电压波形。冲击电流5/300us。
2024-01-30 14:23:21
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原创 电磁兼容试验内容题目
29 直流电源输入端口电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验。13 交流电源端口谐波、谐间波及电网信号的低频抗扰度试验。16 0Hz~150kHz共模传导骚扰抗扰度试验。11 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验。17 直流电源输入端口纹波抗扰度试验。27 三相电压不平衡抗扰度试验。10 阻尼振动磁场抗扰度试验。28 工频频率变化抗扰度试验。3 射频电磁辐射抗扰度试验。14 电压波动抗扰度试验。2 静电放电抗扰度试验。8 工频磁场抗扰度试验。9 脉冲磁场抗扰度试验。12 振荡波抗扰度试验。
2024-01-30 09:12:58
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原创 场效应管的笔记
在GS加正向电压，也就是Ugs>0，由于绝缘层SIO2的存在，栅极聚集了正电子，排斥P衬底的空穴，形成负离子的耗尽层，继续增大Ugs，一方面耗尽层增宽，另一方面会吸引衬底的自由电子到耗尽层上面靠近SiO2的地方形成一个N型的薄层，称之为反型层，所以叫N沟道，ugs越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。N沟道的增强型MOS，P衬底，吸引的是电子作为沟道，所以当ugs增大时候耗尽层增大同时吸引更多的电子，加宽反型层，从而导通。低掺杂的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺制作2个高掺杂的N+区，引出S\D2个电极。
2023-07-31 13:16:00
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空空如也
空空如也
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