场效应管的笔记

场效应管分为2种

1-结型场效应管

2-绝缘栅型场效应管

主要采用了SiO2的绝缘层所以叫绝缘栅型场效应管。

然后又分为4个类型

N沟道增强

N沟道耗尽

P沟道增强

P沟道耗尽

N沟道增强MOS管

低掺杂的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺制作2个高掺杂的N+区，引出S\D2个电极。

在GS加正向电压，也就是Ugs>0，由于绝缘层SIO2的存在，栅极聚集了正电子，排斥P衬底的空穴，形成负离子的耗尽层，继续增大Ugs，一方面耗尽层增宽，另一方面会吸引衬底的自由电子到耗尽层上面靠近SiO2的地方形成一个N型的薄层，称之为反型层，所以叫N沟道，ugs越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。

Ugs th是刚好形成反型层时候的电压，要是这时候在DS加PN结的反向偏置也就是增大耗尽层从而关闭靠近d的反型层，此时Ugd=Ugs  th 。此时UDS=2Ugs th

因为Uds=Ugs-Ugd，所以Uds>=Ugs-Ugd 也就是Ugs-Ugsth的时候进入恒流区。

当DS有正电压的时候，产生正电流，在没有关断前 ，UDS和Id线性正关系，由于D逐渐正大 会使耗尽层不断增大。

总结下：

N沟道增强型MOS：导通条件 ugs大于ugsth，然后uds正电压，是电压型控制ID器件，uds达到关断后，其增大的部分几乎用于克服夹断区对漏电流的阻力。管子进入恒流区。这个是NPN结构的。

 N沟道耗尽型MOS管

结构也是NPN 不过在SiO2绝缘层惨入大量正离子，在ugs=0的情况下，由于衬底是P型的，所以一样会自动形成反型层

由于天然就有沟道，所以当Ugs加正电压时候沟道变宽，负电压时候沟道变窄，当小于UGSoff时候，沟道关断。

实际应用中增强型比较多。

N沟道的增强型MOS，P衬底，吸引的是电子作为沟道，所以当ugs增大时候耗尽层增大同时吸引更多的电子，加宽反型层，从而导通。电流方向一般是D到S。

 P沟道的增强型MOS，

 衬底是N+型，吸引空穴形成反型层，所以Ugs<0，当Ugs小于Ugsth是的时候形成反型层，电流方向，s流向D。