晶体管-三极管

0.NPN&PNP共射电路

NPN:集电结 是结 反偏 发射结正偏

PNP: 集电结 是结 反偏 发射结正偏

 

 

 

1.输入回路和输出回路共用了哪个级，就叫共X放大电路，下图是NPN的三极管。

 2.IE=IB+IC，IC大约等于IC=β*IB，IE=β*IB+IB。

3.针对上图电路

截止区：UBE<Uon 开启电压，UCE>UBE

放大区：UBE>Uon,UCE>UBE

饱和区：UBE>Uon,UCE<UBE

绝大多数的晶体管应该工作在放大区。

4.特征频率fT，由于结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数是所加信号频率的函数。当频率高到一定程度是时候，IC/IB的比值会下降，也就是β减少，直到==1是时候叫这个特征频率。

5极限参数：

ICM：最大电流

PCM：最大功率

推出UCEM=0.5V左右吧估计

 6.特性图解：

6.1

IC和VCE关系图，也即是放大区、截止区、饱和区这样的，然后放大倍数例如IB=0.02mA，IC=3mA，这样放大倍数就是β=150 

 6..2放大倍数和Ic关系图，Ic在相当大的范围内hFE是不变化的，当Ic大到一定程度时候hFE开始减少。高温使hFE增大，扩散活跃。

6.3高温扩散剧烈，PN结内电场相对减弱，所以VBEsat减少。1℃大约减少2~2.5mV。

saturation-饱和。

 6.4 VCE不平衡状态下少子的漂流运动。温度上升，扩散运动加剧，内电场收到削弱，所以VCE增大一点吧，从而达到新的平衡。

 

 6.5 VBE开启电压和温度关系，BE是扩散运动，温度高容易扩散VBE减少。