模拟电路-PN结

概念,专有名词：

 

首先要明白化学知识，就是一个原子想要成为一个稳定点的东西一般在它最外层要形成8个电子来填充满最外层---物理规律，可能是刚好达到了某一个级别的能量吧。

共价键：形成化合物一起共用电子的结构吧

硅晶体：纯净的硅分子组成的东西

   图1 硅晶体        

N型半导体：上图通过扩散工艺加入了+5价的磷元素，就是在已经做好的硅晶体上面通过手段将磷元素塞进去，由于磷元素最外层有5个电子，加上硅元素原来的4个就成了9个，比8个多一个，就成了自由电子，所以这个加了磷元素的硅晶体成了带负电 Negative 所以叫N型半导体。

P型半导体：同理加入+3价格的硼元素，由于最外层只有3个电子，加上原来硅元素的4个只有7个，然后硅晶体已经做好了8个坑来给你们放电子，奈何只有7个，多出了一个叫空穴。

自由电子：由于热激发具备高能量后的 自由的电子

空穴：由于热激发具备高能量后的 自由的电子，离开共价键后，就是  走了后留下的坑叫空穴

这儿的自由电子是可以运动的，空穴由于电子的运动也做了相对运动，坑其实应该是不动的。

载流子：能够运送电荷的粒子，自由电子带负电，空穴带正电，外加电压下他们做相反的定向运动，两个加起来形成电流。

复合：空穴和电子同时消失

扩散运动：因为浓度高的总喜欢向低浓度的走过去，就形成了扩散运动，一般是多子的运动

漂流运动：由于外加了电压差，少子也动了起来的运动。

这儿的多子N型半导体，都已经是N了 多子肯定是自由的电子，少子为空穴

相对的P型半导体，多子为空穴，少子为自由的电子

PN结：将P、N型半导体制作在同一块硅片上面，由于扩散运动他们的交界处就形成了PN结。

PN结---N区的正离子：

 PN结---P区的负离子：

 

 PN结---空间电荷区也叫做耗尽层，估计是因为几乎耗尽了自由电子和空穴

所以在这个耗尽层里面一般没有自由的电子和空的空穴，在这儿几乎可以忽略载流子的作用，载流子就是可以运输电荷的东西。 在这儿正负离子形成的电场起绝对作用，形成了由正离子指向负离子的电场

 耗尽层的平衡：由于热扩散运动和 正负离子 的电场的逐渐平衡从而形成了耗尽层。

耗尽层内电场：正离子指向负离子，N区指向P区

 

PN结-正向偏置：加一个和耗尽层内电场相反的电场，如上图所示，P区接正极，N接负极

这样下来内电场削弱---导致漂流运动减弱，同时增强了扩散运动，这样就可以导通了，例如二极管发光，需要加个电阻限流。

PN结-反向偏置：加一个和耗尽层内电场相同的电场，增强漂流运动，减少扩散运动，漂流运动的电流称为反向电流或者是漂流电流。可以看看二极管的datasheet

 

齐纳击穿：在高渗透的情况下，耗尽层宽度比较窄。 比较小的电压就可以造就比较强的电场，强到吸引到了共价键的电子脱离共价键的空穴，产生电子-空穴对，致使反向电流增大

雪崩击穿：渗透浓度不大的情况下，耗尽层比较宽，低电压不能产生齐纳击穿，等到电压高了，漂移现象加剧，然后把共价键的电子撞走了，连锁反应，致使反向电流快速增大。

上述2个击穿若电流不限制都会永久损坏，对一个二极管可能同时发生2种击穿，又或者是其中的一种。

PN结的电容：由于耗尽层的宽窄会变化形成了势垒电容Cb

由于加了外部电压所以叫非平衡。

将从P区去了N区的空穴和从N区去了P区的自由电子叫非平衡少子。

然后这样理解在P区的少子是自由电子，它是从N过来的，所以在靠近N的地方浓度大，远离N的地方浓度小，下图横坐标表示距离，纵坐标表示浓度。

然后非平衡程度大的浓度更加大，也就是加的电压大，同样距离浓度大。

下图线2电压大于1 ，1又大于3.

浓度差形成的扩散电流。

同一个x位置时候由于外部原因：电流 非平衡少子的寿命 等因素 ，同一个x的浓度在不同时刻不一样呀，形成了类似电容的效应 由此形成的叫扩散电容Cd

二极管结电容Cj=Cb+Cd 一般看datasheet有 1pf到几十pf，根据工作频率选用不同Cj的二极管。

 

二极管特性：

反向电流：温度高，漂流运动加剧，反向电流肯定大了。

 

正向电压：温度高，扩散运动也快，耗尽层的内电场削弱，正向压降下降

 Cj结电容与反向电压关系：

反向电压大，耗尽层宽了也就是d大了，所以Cb变小，Cd怎么影响这个不清楚，看数据手册，Cj和反向电压反比例。

稳压二极管：利用反向特性

稳压电压Uz，上面看不是很清那个是Izmin ，就是二极管要想工作在反向击穿区域最小的电流，例如5mA，所以要加一个限流电阻。