QR反激模式（准谐振反激模式）

QR反激模式也叫准谐振反激模式，其实是DCM的一种，是指磁芯能量完全释放完毕后，变压器的初级电感和MOS的结电容进行谐振，MOS结电容放电到最低值时，初级的开关管导通。
此模式是集DCM的优点及大部分缺点于一起，只是将其中的一项缺点做了优化从而变成了优点。就是加了低谷检测功能，改善MOS的开通损耗，从而改善效率。实现这一模式，只是在PWM芯片中增加低谷检测功能就可以了，外电路和普通的DCM一样。此模式就是简单是提高了一点效率，但是它也有一个问题，就是在MOS管导通时，一定要在低谷处，但是不可能总是正好赶在一个谷底MOS导通，因为MOS什么时候导通是由占空比决定的，所以就会出现跳谷现象（为了赶在谷底，过早或过晚的导通MOS），这会增加EMI噪声（可能还有其他影响）。
下面的就是QR模式：

下图就不是QR模式：