科科的电源笔记

CV模式：目前知道的是cv模式一是用于检测电流精度。二是看带载能力，当切到CV模式时，比如升压到正常协议的20V，带载后就会带20V的最大电流，另外我们也要求此情况下10V-18V内不会掉电，也就是都能cv的住（这不是一个主要的测试项目，而是在实际使用中，出现了CV不住掉电压的情况，所以才这样去看）。

雷击和Hipot

一次侧OTP

谐波

变压器Vpp

电流精度与采样电阻R39

传导和辐射整改

环路补偿

layout布局走线对温度的影响Q2温度变高

LPS保护功能

不插手机升压板时，Q3会断开，输出无电压

这是开关电源学习

这个电阻就是防止电感上面的寄生电容与电感本身形成无阻尼震荡，加电阻就变成有阻尼震荡了，对EMI好点，一般都是4.7KΩ。有的在整流桥前的差模电感上并联电阻，一般是1K-10K，作用相同。

1，换芯片要选用引脚合适的，否则要重新画板。2，芯片的参数要一样，或者兼容。3，VCC供电电压，FB脚基准电压，CS脚电压这些都要变更。遇到问题：1，芯片没有合适的，找了很久，5V2.4A的就基本上是芯彭薇和辉芒微的两款方案。而这两款方案的引脚是不一样得。所以没法替换。最后终于找到了一款和芯朋微引脚参数合适的通嘉的方案。虽然好像是5V3.1A的。但是能用。2，一开始是用对了芯片，但没发现芯朋的是内置启动回路的，所以板子没有启动回路，所以换上通嘉的起不了机。不知道什么原因，就换了一个芯片，结果这次发

150K到500k之间是滤波电容的电阻太大的原因，是因为没有热机的时候太大，一般热机以后，电阻会降低，也就能过了，但是还是需要换电阻小的电容比较好。这里基本就是这样。然后，500k到1M之间，一般就是变压器漏感，然后500k到5M之间的改善措施基本就是，减小变压器漏感，增大改善初次级的吸收，比如把RCD的二极管由快管改成慢管。次级的电容增大一点（比如1.5nf改成2.2nf），还有Y电容接滤波电容的地方，要么C1要么C2，要么接火线，要么接地线。还有Y电容也可以加大一点。还有就是芯片周围的散热铜箔，有可能比

1环路补偿作用：使空载和满载时的输出电压一致。2，输出纹波太大原因:调试方法：

1，有些是AC-DC恒压，后面小板再DC-DC调压。这种是多个口，并需要单口实现快充的情况。不是多口，或者不需要单口实现快充的，不用那么麻烦，可以直接调压，原理和普通充一样。

一，QR准谐振1，首先它的优点是效率高。2，然后就是缺点，因为他总是在最低谷处导通，所以EMI会差一点（500K的地方），思考一下为什么会影响EMI！，为了减小EMI的影响，芯片也有措施：在第一个第二个第三个等多个谷底处交替导通，这样就能分散杂波，减小EMI。有些芯片没有QR，EMI就好一些，换上QR的EMI可能就会差一点。二，RCD回路选型选型不需要计算，通过经验选值加调试即可！经验选值：对于参数，而言176-264V的电源C：1nF-10nF之间R：100K-470K之间D：fr10

1，芯片的工作频率是定值，跟变压器有一点关系，但不是很大，频率会有一个范围。一开始计算时可以按最大算。2，

1，电容的充放电公式？2，输入电解电容的波形，前半部分是正弦曲线，但放电时为什么是直线下降呢？是不是也是曲线？只不过近似直线？3，为什么整流桥的电流是平均值？为什么老师说多数是计算平均值，只在计算能量时用有效值？P=UI，U，I都是平均值吗？...

1，A口的是QC快充，不能用PD快充，C口一般是PD快充，也可以是QC快充。它是兼容QC的。C口是趋势，慢慢取代A口。2，有些PD快充是通过初级的AC-DC降压，并输出恒定电压，再通过小板上的DC-DC来实现PD不同的输出电压电流的。也有些是跟传统的一样，初次极完成电压的转换。3，有些协议芯片是能集成到次级同步整流芯片中的。4，有些电路为了散热，会加宽并开窗。为了避免波峰焊时电路铜箔和引脚等堆积过多焊。会在引脚处加绿油阻焊，看上去这里没连在一起，但是连在一起的。...

1，电感：电感的感量计算：　表中给出的理论值，电感器的实际电感量要以实测为准。另外，电感量与匝数的关系需注意的是：1、电感量与匝数成平方比的关系，也就是说电感量与匝数的平方成正比，每匝电感量也与铁芯大小、质量有关。2、如果在铁芯不变的情况下，增加绕组匝数，能提供更大的电感量和更充沛的电能，这是好处，但是增加了内阻这是坏处。在绕组不变的情况下，薄片铁芯有着更少的磁涡流，更低的损耗，能通过更高的频率。但是占空隙数大，磁路也长。很多人追求低内阻，以获得更好的高频响应，追求大电感量，以获得更多的电流来增加低

1，单板，双层版的烙铁温度一般是400°。焊的时候，多加锡，快上快下。2，PWM芯片，同步整流芯片多是SOP-8封装，直接烙铁焊，加锡侧划一下就可以了。3，对于GFP和GFN封装的芯片MOS，可以加锡膏，热风枪吹，单层板350°以上温度，风速35以上。多层板就430°以内，50以内风速。不要吹太久，否则板子吹的黑了，黄了就损坏了。4，三极管封装为SOT，UC6231协议芯片也是这个封装。二极管是SOD封装。...

最主要的设计问题和容易出的问题，比较难处理，比较难以准确设计，难以固定方案，每个板子需要修改调整的地方就是温升和EMC，两者需要找到平衡点。方案电路，甚至变压器都是成熟的方案了。...

电气距离是空间的最短距离，爬电间隙是沿表面的距离。当两元器件之间有隔板时，电气距离跟爬电距离差不多，但是电气距离还是空间的最短距离，一个绕过隔板之间间隙的折线。2，安规距离主要有两个地方：第一个是保险丝的pin脚距离要有3.2mm的距离，保证不会被击穿产生电弧之类的。第二个是初次极之间的距离，要满足6.5mm以上的距离。电气间隙和爬电距离都一样。实际只要电气间隙满足了，爬电距离一般也能满足。初次极之间的安规距离，需要加隔板，变压器的初次极绕组要有足够距离。...

我设计开关电源也有一些年份了，接触开关电源的新手也比较多，而新手问得最多的一个问题就是变压器怎么计算，而变压器计算中问得最多的一个问题就是，上面提到的感量不一样的问题。我可以这么说，只要有这个疑问的电源工程师，那么一定说明你是新手，一定没有掌握变压器的设计方法。其实两个工程师计算出来的电感量不相同是很正常的，我甚至可以说，同一个项目给两个不同的并且有经验的工程师来计算变压器的话，这两个工程师计算出来的电感量一定不一样。为什么？其中有比较多的原因。我们以反激为例，计算变压器得出来的感量大与小根本没有绝对的对

LAYOUT： 元器件绘制->>绘制原理图->>元器件封装->>绘制PCB布线图快捷键：旋转：空格键复制：Ctrl+C，Ctrl+V，复制删除：Ctrl+X，按距离移动：1，按栅格，2，按M，选择按X/Y偏移量查看距离：Ctrl+M，删除距离，右键，清除过滤器或者shift+C画封装时的定位线移动，可以先把线移动到原点，基点处，再通过X/Y移动。每个元器件封装都要确定好基准脚，在编辑中选择设置参考，1脚，选中左下角制作封装有两种：手动画和通过向导制作封装

1，主芯片PWM温升过高，CV模式达到117度，虽然没有超过120度，但是还是偏高，为了留够余量，换用内阻更小的PWM芯片，由4.4Ω换用4.2Ω的，其他都一样。2，适配性测试，部分机型充电电压只有4.8V，电流低于1A。这是输出电压过低，所以调整提高输出电压，调低下偏电阻。上偏电阻95.3K，下偏电阻R10A由8.2K变为10K。3，控制回路的电阻精度都是1%，但是实验室没有1%的电阻，所以用了5%的电阻，结果就有很大的误差，导致有的不合格。后面还是用5%的，因为实验室没有1%的，不过测量选择几个偏差

有源钳位反激电路和无源钳位反激（RCD吸收回路）

QR反激模式也叫准谐振反激模式，其实是DCM的一种，是指磁芯能量完全释放完毕后，变压器的初级电感和MOS的结电容进行谐振，MOS结电容放电到最低值时，初级的开关管导通。此模式是集DCM的优点及大部分缺点于一起，只是将其中的一项缺点做了优化从而变成了优点。就是加了低谷检测功能，改善MOS的开通损耗，从而改善效率。实现这一模式，只是在PWM芯片中增加低谷检测功能就可以了，外电路和普通的DCM一样。此模式就是简单是提高了一点效率，但是它也有一个问题，就是在MOS管导通时，一定要在低谷处，但是不可能总是正好赶在一

什么是软起动？

1，什么是DCM断续工作模式，CCM连续工作模式。

通过采样电压与基准电压比较，高的时候就导通，低的时候就关断，而且，越高导通时间就越长，越低，关断时间就越长，这就是占空比。

DCM断续工作模式是与次级的同步整流有关系，避免次级的同时导通而选择的工作模式，与初级没关系，这里要搞清楚次级同步整流的工作原理！

开关电源初级滤波电容滤波之后的电压并不是非常近似直流，其实只是将峰峰值100多到300多的脉冲直流整流到峰峰值60-70多的脉冲直流，所以滤波电容后的电压是下面的波形。注意，这时的波形是50/60HZ下的。再往后面，被mos整流成方波时，其频率是100KHZ左右的。如下图：注意，两者的周期，上面是ms级，下面是μm级。可以得出什么结论呢？后面的方波是在前面70V峰峰值的脉冲电压的基础上展开的。把70V峰峰值的波形展开到μs级时，就近似直流了。所以要把mos端的电压波形缩小到ms级时，波形会有波动

开关电源的降压包含两个地方。1，变压器的初次极匝比。2，功率MOS开关的占空比。通过匝比将电压降低到一定值，再通过MOS调节占空比将电压稳定在5V左右。电源设计的重点在变压器上，因为其设计的地方多，可操作空间很大，匝比的选择也要考虑到初级MOS管的Vds，这里不是说尖峰电压，而是反射电压，输入电压加反射电压的电压值也要控制，不能太高，而反射电压就跟匝比有关系，所以要控制匝比，不能让反射电压太高。当然这是在满足降压要求的情况下来设计匝比，要是匝比必须那么大，不然就不满降压，那就要换MOS，换用耐压更高的M

1，频率的问题：功率mos的开关频率在100KHZ左右，那么这个频率有什么意义呢？首先，开关频率跟降压的实现没有关系，实现降压的原理就是反激电路的降压原理，每个周期的降压都是一样的，即便把频率加快也是一样的降压，但是频率快了，有什么意义呢？这就要说，*单个周期的降压过程中，时间越长（占空比一定时），传递的能量越多，*那么对变压的要求，就越高，变压器要能储存释放那么多的能量，因此体积就会变大。另外，频率低，周期时间长，电流的纹波就越大，所以，将频率提高，减小单个周期转换的能量，来缩小变压器体积，减小纹波。

开关电源学习1，模拟电路（数字电路）2，制样，测试，调试，维修。3，layout画板4，电路计算，选型。