NOR和NANDFlash的简单比较与基础概念

1、什么是Flash，有什么种类？

Flash就是一种存储器芯片，就是一种用来存储程序和数据的部件。

按照掉电还能否保持数据来分：易失性和非易失性。

易失性：SRAM、DRAM（SDRAM、DDR-SDRAM），适合做主存储。

非易失性：ROM（PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM）、Flash（NOR、NAND），适合做辅助存储。

以下主要是比较NOR Flash和NAND Flash：

2、程序能否在芯片内执行？

NOR Flash可以在芯片内运行，即应用程序可以在闪存内运行，不必再把代码写入到RAM当中，传输效率高，但是本身写速度和擦除速度很慢，而且擦除之前还必须先将目标块内所有位清零。

NAND Flash不能片内执行，但存储单元密度很高，写入与擦除速度也很快，擦除操作也很简单。

3、擦除块大小和执行时间？

NOR Falsh擦除是从64~128K的块内进行，执行时间为5s。

NAND Falsh擦除是从8~32K的块内进行的，执行时间只需要4ms，擦除单元更小，擦除速度更快，需要的擦除电路更少。

4、读取数据方式？

NOR Falsh带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，因此可以容易读取内部的每一个字节。

NAND Falsh用复杂的IO来串行读取数据，各个产品和厂商的方法可能不一样。

5、主要用途？

NOR Flash 可在片内运行程序，读取速度快，读取数据容易，写取速度慢，擦除速度也慢，因此可以应用在代码存储介质上。

NAND Flash 不能片内执行，容量大，写取速度快，擦除数据也快，读取速度慢，读写采用512字节的块，单元尺寸几乎是NOR的一半，生产过程比较简单，在给定尺寸内可提高容量，减低成本，因此可用于取代硬盘之类的设备。

6、耐用性？

NOR Flash支持擦写次数十万次。

NAND Flash擦写次数，一百万次，因为尺寸比NOR小八倍，因此在给定时间内删除次数要少一些。

7、位反转？

flash器件都会有的，发生在NAND Flash比较多，一个位会发生反转，可能认为一个位并不起什么作用，但是如果发生在关键文件上，就可能会导致系统停机。可用EDC/ECC数据校验算法来解决此问题。

8、坏块处理？

坏块是随机分布的，需要对介质进行初始化扫描，并将坏块标记为不可以，如果不进行这项处理，将会导致高故障率。

9、是否需要软件支持？

NOR Flash的使用不需要任何软件支持，可直接运行代码。

NAND Flash 使用之前需要先写入内存技术驱动程序，然后才可以写入操作，写入时千万不能向坏块写入，也就是意味着NAND器件必须时时刻刻进行虚拟映射。

10、 NAND Flash的一些概念：chip，die, Block, plane，page

（1）chip是指芯片，一个封装好的芯片就是一个chip；

（2）die是晶圆上的小方块，一个芯片里可能封装若干个die，由于flash的工艺不一样，技术不一样，由此产生了die，一个chip包含N个die；

（3）Block是NANDFlash的最小写入单位，一个Block包含了64个Page；

（4）plane就是一个存储矩阵，包含若干个Block；

（5）. Page是NANDFlash的最小读写单位，一个Page包含若干个Byte，有512（small page）、2018、4096、8192，目前最常见的是2048字节（large page）；

11、NAND Flash有哪些种类？

SLC：一个存储单元存放1bit数据，只放0和1；
  MLC：一个存储单元存放2bit数据；
  TLC：一个存储单元存放3bit数据；

12、什么情况下会导致坏块？

1、出厂就有坏块；
  2、擦除失败产生的坏块；
  3、写操作失败产生的坏块；

13、空闲区域有什么用？

每一个page，都有一块空闲区域，之所以设计了多余的区域，是用来存放数据的校验值
  这片区域一般是给ECC/EDC用的，该操作是随着页一起完成的。
  每一个page除了2K字节外，还有64字节的空闲区域(2K + 64)。