沧月九流的博客

本文目的：主要是自己学习的心得，做下记录，方便以后回顾！本文主要内容：从三极管的输入输出特性曲线分析三极管的三个工作状态，截至区，放大区、饱和区。主要包括：1、进入这三种工作区域的条件！2、进入该区域之后的工作特性！前题：为分析方便，首先我们应该也应当把三级管当做一个盲盒，这样我们使用它的时候就会关注以下这两点，输入与输出。会关注给怎样的输入它才会工作，工作后会输出怎样的型号。为了更好的描述输入输出关系，才测得了三级管的输入与输出曲线。如下图所示：从输入、输出特性曲线整体分析可知：1、若输入

1、PN结的反向击穿？2、反向击穿类型？3、什么是齐纳击穿（也叫隧道击穿）？4、什么是雪崩击穿？5、两者的区别？6、两者的共同点？1、PN结的反向击穿：当反向电压超过一定数值U(BR)，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。2、反向击穿类型：按照击穿机制不同可分为两种类型，齐纳击穿与雪崩击穿。3、齐纳击穿：PN结高掺杂，导致耗尽层宽度窄，根据电场强度计算公式E=U/d,耗尽层宽度窄d小...

虚短虚断的使用条件?　　虚断的存在是无条件的，因为这是由它的内部结构决定的，输入电阻大，电流进不去。　　虚短的存在是有条件的，这个条件是“运放要处于放大状态且开环增益很大”，（因为要确保运放的开环增益很大，运放处于不同的工作状态会影响开环增益，比如进入饱和区的开环增益A与放大区的开环增益A是不同的！因此才要运放处于放大状态）要满足这个条件只有两种状态：　　1、在开环电路中，输入两端的电压差非...

对于RC串联电路来说，因为纯电阻没有超前滞后的现象，而电容的电压是不能瞬变的，电容的电压是由电荷的移动后形成的，也就是对于电容而言，是先有电流流过它，再才在两端产生电压，因此电容是电流超前电压，在下面两个电路里将会产生电流超前电压的现象。而一般我们并不是想知道一个电路中电流与输入电压的相位关系，也即有无超前滞后现象，而是想知道输入电压与输出电压的相位关系，而这就得看输出电压是取自哪里！一、输...

MOS管工作动画原理图详解绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。MOS管工作原理动画与结型场效应管相同，MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类，...

什么是输出阻抗？无论信号源或者放大器还是电源， 都有输出阻抗的问题。 输出阻抗就是一个信号源的内阻。输出阻抗对负载影响的工作原理？本来，对于一个理想的电压源，内阻应该为 0，因此开路电压应与带负载后的输出电压是相等的（因为没带负载，输出阻抗所在电路上相当于开路，没有电流流过，因此输出阻抗不会产生压降）。但现实中的电压源，则做不到这一点。我们常用一个理想电压源串联一个电阻 r 的方式来等效一个...

A问:看原理图时，经常看到串一些小电阻，如22欧姆，但是也不是一定串。同样场合有的串，有的不串。请哪位高人指点一下吧B答:如果是高速信号线上串小电阻，那就应该是终端阻抗匹配。如果是GPIO口上串了小电阻，很可能是抗小能量电压脉冲的。简单的例子：一个串口通讯的提示信号，当接上串口时，因为瞬间的插拔产生了一个很窄的电压脉冲，如果这个脉冲直接打到GPIO口，很可能打坏芯片，但是串了一个小电阻，很容...

去耦电容总结1 理想电容，实际电容？理想电容：一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，在任何频率下都呈现“容性”。实际电容：实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。实际上的电容等于等效串联电感ESL、等效串联电阻ESR、与理想电容的串联，因此其特性与频率有关。2 用...

一、电路输入电阻的大小与电路需求有关：1、 需求：若要从信号源取得尽可能大的功率方法：就要使电路的输入电阻等于信号源的内阻（这一道理在中学物理中已讲过，在大学电路中有证明） ；应用：比如太阳能电池板，为了最大效率地汲取太阳能，常动态地调整太阳能电池板的输出电阻，使其与电路输入电阻相等。2、需求：若要从信号源取得尽可能大的电压，**方法就要求放大电路的输入电阻 ri 比信号源内阻 r s ...

在电路图的设计过程中我们经常会遇到一个非常常见与实际的问题，那就是MCU的心脏——晶振，它所匹配的电容该选多大呢？前辈们给我们的经验是22pf或者是6.8pf，那为什么选这样的值呢？让我们来看看吧。这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的“有效”电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶...

什么是PN结呢？什么是半导体？什么是P型半导体，什么N型半导体呢？自由电子、空穴、多子、少子又是什么呢？漂移运动，扩散运动又是什么呢？击穿原因是什么？让我们带着问题来一一解答吧！

运算放大器和比较器无论外观或图纸符号都差不多，那么它们究竟有什么区别，在实际应用中如何区分？今天我来图文全面分析一下，夯实大家的基础，让工程师更上一层楼。先看一下它们的内部区别图:从内部图可以看出运算放大器和比较器的差别在于输出电路。运算放大器采用双晶体管推挽输出，而比较器只用一只晶体管，集电极连到输出端，发射极接地。比较器需要外接一个从正电源端到输出端的上拉电阻，该上拉电阻相当于晶体管的...