晶振电路电容选取的计算方法

在电路图的设计过程中我们经常会遇到一个非常常见与实际的问题,那就是MCU的心脏——晶振,它所匹配的电容该选多大呢?前辈们给我们的经验是22pf或者是6.8pf,那为什么选这样的值呢?让我们来看看吧。
这里涉及到晶振的一个非常重要的参数,即负载电容CL(Load capacitance),它是电路中跨接晶体两端的总的“有效”电容(不是晶振外接的匹配电容),主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,与晶体一起决定振荡器电路的工作频率,通过调整负载电容,就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示:
在这里插入图片描述
CS :为晶体两个管脚间的寄生电容(Shunt Capacitance),它与晶振外接的匹配电容(也就是我们要确定大小的电容CL1、CL)是并联的。
CD:表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容,包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2,即CD=CPCB+CO+CL2(CG、CD, )。
CG :表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容,包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1,即CG=CPCB+CI+CL1(一般我们将CL1、CL2选为一样的值,因此CG、CD一般相同)。它们与晶振是串联的。
一般CS 为1pF左右,CI与CO一般为几个皮法,CPCB=5pF,具体可参考芯片或晶振的数据手册。如下
在这里插入图片描述
上图是TI公司MSP430单片机的芯片管脚寄生电容为2pf。CPCB=5pF

不同公司生产的同一标称频率的晶振,所需要的负载电容CL(Load capacitance)可能不同。我们以EPSON(爱普生) 的常用的32768HZ的晶振为例型号: Q13FC1350000400
在这里插入图片描述

我们以负载电容最高为12.5pf计算:CS 为1.5pF左右,CI与CO为5pf,CPCB=5pF
可以得出CL1为22pf.
再以7pf计算CS 为1pF左右,CI与CO为2pf,CPCB=4pF
可以得出CL1为6.8pf.左右
注意:CPCB,CS 在不同的芯片,不同的PCB布局当中是不同的,因此在计算当中我做了修改,在实际的运用当中,我们贴片式晶振中电容一般选22pf或6.8pf即可,(直插式晶振一般取30pF,22pf,晶振的频率取值在1.2MHz~12MHz之间也可以查看厂家的推荐电容值)。

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单片机晶振电路电容30pF是通过调节晶振电路中的外部电容来实现的。在单片机系统中,晶振电路(也称为时钟电路)的作用是提供稳定的时钟信号以驱动单片机的运行。晶振电路晶振电容构成,其中外部电容用来调整晶振的工作频率。 晶振的工作频率与晶振电容之间存在着关系:频率越高,所需电容越小;频率越低,所需电容越大。一般而言,单片机晶振的工作频率在几十kHz到几十MHz之间,而常见的电容值有20pF、30pF、40pF等。 选择合适的电容值主要取决于晶振的频率和晶振的品牌。在设计电路时,可以参考晶振厂家提供的相关资料或规格书,其中会提供建议的电容值。 调整晶振电路电容值通常是通过将电容晶振进行并联或串联来实现的。具体操作方式有两种:第一种是串联,将电容直接连接在晶振的引脚之间;第二种是并联,将电容连接在晶振的两个引脚之一,另一个引脚则与单片机的时钟引脚相连接。 在调试过程中,可以通过观察单片机的运行稳定性以及时钟频率是否正常来判断所选电容值是否合适。如果时钟频率不准确或单片机运行不稳定,可以尝试更换适合的电容值,直到达到满意的效果。 总之,单片机晶振电路中的电容值30pF是根据晶振的频率和型号选择而来的,通过合适的电容值可以确保单片机时钟信号的稳定与准确。

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