晶闸管的主要参数

1，VDRM：断态重复峰值电压

      正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间的最大峰值电压。此电压约为正向转折电压VBO-100V。

2，VDSM：断态不重复峰值电压

3，IDRM：断态重复峰值电流

       晶闸管在断态下的正向最大平均漏电流值，一般小于100uA。

4，VRRM：反向重复峰值电压

       晶闸管在门极断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压VBR-100V。

5，VRSM：反向不重复峰值电压

6，IRRM：反向重复峰值电流/阻断漏电

       晶闸管在关断状态下的反向最大漏电流值，一般小于100uA。

7，IT(SM)或IF(SM)：通态不重复浪涌电流

8，IT(RMS)：通态有效值电流

9，IT(AV)：通态平均值电流

       在规定的环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时，A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。

10，VTM：通态峰值压降

        在规定的环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为最大值时，其A、K间电压降的最大值。

11，IH：维持电流

       维持晶闸管导通的最小电流，当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。

12，IL：擎住电流

        晶闸管刚从断态转入通态，并移除触发信号后，能维持通态所必须的最小回路电流，约为维持电流IH的2到4倍。

13，VGT：门极触发电压

        在规定的环境温度和A、K间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。

14，IGT：门极触发电流

        在规定的环境温度和A、K间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需的最小门极直流电流。

15，VGD：门极不触发电压

16，IGD：门极不触发电流

17，PGM：门极峰值功率

18，PG(AV)：门极平均功率

19，dv/dt：断态电压临界上升率

        在额定结温、门极开路和正向阻断的条件下，晶闸管在单位时间内所能允许上升的正向电压（电压从零上升到正向阻断峰值电压），通常以“伏/微秒”来表示。

20，di/dt：通态电流临界上升率

       在规定的环境温度、标准散热和晶闸管导通的条件下，晶闸管单位时间内所能允许上升的正向电流（电流从零上升到额定值），通常用“安/微秒”来表示。

21，Visol：模块绝缘电压

22，IDD：正向断态电流(测试条件：最大结温，VDD=VDRM)

23，IRD：反向断态电流(测试条件：最大结温，VRD=VRRM)

24，VBO：正向转折电压(VDRM = VBO－100V)

         在额定结温且门极开路的条件下，在其阳极和阴极间加正弦半波正向电压，使其由关断转变为导通状态时所对应的峰值电压。

25，VBR：反向击穿电压(VRRM = VBR－100V)

         在额定结温下，晶闸管阳极与阴极间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电流急剧增加时对应的峰值电压。

26，i2t：电流平方时间积

27，tgd：门极控制延迟时间

        从门极电流达到其最大值IGM的10%时起，到阳极-阴极电压下降至施加的正向断态电压VD的90%以下的间隔时间。

28，tq：关断时间

       从反向换向的电流过零时起，到重新施加的正向断态电压不会在没有控制脉冲的情况下使晶闸管开通时的时间间隔。(tq = tgr + trr)

29，tgr：正向阻断恢复时间

30，trr：反向阻断恢复时间

31，ton：导通时间

        在规定的环境温度和额定结温的条件下，晶闸管通以一定的正向电流，自加上控制极信号到进入导通状态所需的时间。它由上升时间和延迟时间两部分组成。

32，toff：关断时间

        在规定的环境温度和额定结温的条件下，晶闸管从切断正向电流，使其重新处于阻断状态，直到控制极恢复控制能力为止所需要的时间。