差分管电路图_差分对管的保护电路的制作方法

本发明涉及一种差分对管的保护电路。背景技术:差分对管在运算放大器(OPAMP)和比较器(Comparator)里被广泛应用,且在CMOS和Bipolar(BJT)工艺里都会涉及,而一些半导体工艺决定了Vin+和Vin-之间的电压差不能太大。差分对管通常由成对的PMOS管或NMOS管共源连接一个电流源构成,而传统常用的保护电路,由两个电阻和两个二极管组成。当Vin+和Vin-的电压差超过二极管阀值电...
摘要由CSDN通过智能技术生成

本发明涉及一种差分对管的保护电路。

背景技术:

差分对管在运算放大器(OPAMP)和比较器(Comparator)里被广泛应用,且在CMOS和Bipolar(BJT)工艺里都会涉及,而一些半导体工艺决定了Vin+和Vin-之间的电压差不能太大。

差分对管通常由成对的PMOS管或NMOS管共源连接一个电流源构成,而传统常用的保护电路,由两个电阻和两个二极管组成。当Vin+和Vin-的电压差超过二极管阀值电压时,二极管便开启导通,电流流过电阻形成电压降。这样就算Vin+和Vin-电压差较大,差分对管两栅极之间的压差也能保证较小,从而起到保护差分对管的作用,当然每个二极管还可由多个二极管串联替代,以提高开启的阀值电压。

已有专利(ZL 2015103146512)公开了一种差分对管的保护电路。在正常工作时,Vin+和Vin-的电压很接近,两个NMOS管处在线性状态,相当于两个电阻。当Vin+和Vin-电压相差较大时,其中一个NMOS管的Vgs下降,处在截至状态,相当于电阻变大,更好地保护了差分对管。

然而,以往的这些保护电路,大都采用二极管阀值突破导流并形成电压降,降低Vin+和Vin-之间的压差。然而二极管面积较大,而且差分对管栅极间压差受限于二极管的阀值,无法进一步提升保护电路的敏感程度。

技术实现要素:

鉴于上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的是提出一种差分对管的保护电路。

为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:差分对管的保护电路,所涉及的差分对管具有第一PMOS管、第二PMOS管和电流源,且两个PMOS

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