过去了几天，在搞一些别的事情，就把这个耽搁了，也因为是初学者，这个版图也是自己根据原理图绘制的，版图画的不是非常美观。
2023/2/22，将版图重新绘制，在下方。
首先仍然是绘制原理图：
check and save检测是否有端口没有衔接好。
开始绘制版图：
线画的不太规整，这里我是将两个m为4的NMOS放在一起并用隔离环隔离，将上方的PMOS放在一起也用隔离环隔离，最后将下方的NMOS放在一起用隔离环隔离，首先要将m不为1的管子相互交叉，共用一端；然后将源端和源端连上线，这里我默认的是左源右漏。接下来就是连线，这里我用了M1与M2金属线，所有接口都是通过M2金属线接出去，M1线用来连接各自的源漏端，按照原理图一个一个连接起来，注意的是隔离环是有M1接触孔的，所以可以用M2接出去，或者从下面绕出去。
DRC验证：
经检查，都是面积与密度问题。
LVS验证：
出现笑脸，结果与原理图一致，通过；在这里我要说的是必须要保证端口在最上端的金属上,因为之前我把其中三个端口放在了M1金属上，剩下三个放在了M2金属上，导致LVS一致出现错误，通过翻译error，发现问题都是出现在端口连接上，开始我还检查了是不是端口命名有问题，最后才发现是因为没有同时将其接在M2金属上，这也是一个收获。
接下来我还会继续学习版图绘制，加油！
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2023/2/22
上面的版图绘制不太完美，所以花了半天时间又画了一个新的版图
成品如下：
这个版图面积比上一个面积小，并且只用到3层金属，差分对也按照差分对的匹配方法匹配，电流镜也是按照应有的匹配方式匹配
DRC顺利跑通
LVS顺利通过
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