SRANM和DRAM的区别

RAM 可分为静态存储器（Static Access Memory,SRAM)和动态存储器（Dynamic Random Access Memory)。ARAM中的存储单元相当于锁存器，只有0和1两个稳态，DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态，因此需要定时对其进行刷新，否则随着时间的推移，电容其中存储的电荷将逐渐消失。

 SRAM:读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。

DRAM：读写速度快，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的存储器。

静态存储器和动态存储器主要性能如下：

动态存储器的定时刷新：在不进行读写操作时，DRAM存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新。