SRAM的特点
静态随机存储器(
SRA
)的存储元是用双稳态触发器
来记忆信息的,因此即
使信息被读出后,它仍保持其原状态而不需要再生(非破坏性出)
。但是,只要电源被切断
原来的保存信息便会丢失,故它属易失性半导体存储器。
SRAM
的存取速度’快,但集成度低,功耗较大,所以一
般用来组成高速缓冲存储器。
DRAM的特点
与SRAM存储器的存储原理不同,动态随机存储器(DRAM)是利用存储元电路中栅极电容上的电荷来存储信息的,常见的DRAM 的基本存储电路通常分为三管式和单管式。DRAM采用地址复用技术,地址线是原来的1/2,且地址信号分行、列两次传送。
相对于SRAM来说,DRAM具有容易集成、位价低、容量大和功耗低等优点,但是 DRAM的存取速度比SRAM慢,一般用来组成大容量主存系统。
DRAM
电容上的电荷一般只能维持
2ms
,因此即使电源不掉电,信息也会自动消失
此,每隔
一定
时间必须刷新,通常取
2ms
,这个时间称为刷新周期。
DRAM的刷新方式有:
集中刷新:快到2ms的时候,停⽌⼀切对内存的读取操作,使⽤0.5μs×64对64⾏依次刷新,这段时 间称为死时间
分散刷新:在每个存取操作后绑定⼀个刷新操作,新的系统的存取周期内前半部分存取,后半部分刷新
异步刷新:刷新周期除以⾏数,2ms ÷ 64 作为每次刷新的周期