mos管结电容等效模型_三极管（BJT）与MOS 管电压增益的比较

无意中看到今日头条上推送的某人讲述的模拟电路课程，其中讲到MOS 管的特性。视频截图见图 1.

图1 争议课程视频截图

其中第三条——同等情况下(MOS管)放大倍数比三极管小。视频作者的解释是"MOS管的导通电阻比较大，使得损耗比较大"，对此我只能说"结论基本是正确的，但是对原因的解释是一本正经地胡说八道"。

那么正确的解释是什么呢？请往下阅读

分析

首先MOS管和 Bipolar三极管是不同类型的晶体管，单纯说谁的放大倍数大自然是没有意义的。因此视频作者的板书中有"同等情况下"这个形容词是比较合适的，但问题是什么样

的情况是"同等情况"？

其次，这里作者所指放大倍数应该是指电压放大倍数。因为 Bipolar三极管的集电极电流是基极电流的β倍，其值通常为 100-800。而MOS 管的栅极电流非常小，趋于零(对于 2N7002，直流情况下，栅极漏电流在 10nA级)，这样一来，在通常的集电极MOS 管的电流增益远远大于 Bipolar。因此，比较电流增益就显得没有意义。基于以上讨论，我们说所谓的"同等情况"需要满足以下几点：

1. MOS管为增强型 NMOS管，Bipolar三极管为 NPN型；
2. MOS管放大器为共源极组态，Bipolar三极管放大器为共发射极组态；
3. MOS管放大器的漏极偏置电流与 Bipolar三极管的集电极偏置电流相等；
4. MOS管放大器的漏极偏置电阻与 Bipolar三极管的集电极偏置电阻相等；
5. 两者的供电电压相等(VCC与 VDD相等)；
6. 两者的交流小信号输入频率相等、幅值相等，且均工作在线性范围内。

为此，我们在 LTspice中搭建仿真电路，并首先仿真其直流特性，见图 2、图3。其中 NMOS选用2N7002，Bipolar三极管选用封装相同，参数相近的 BC817-25.采用了 12V的 VCC(VDD)电压，集电极(漏极)偏置电压去 VCC(VDD)电压的中点——约 6V，集电极(漏极)偏置电流接近于 10mA.

仿真

图 2 共源(共射)放大器的仿真电路对电路做直流偏置仿真