在SAGCM结构的InGaAs/InP 光电探测器暗电流仿真中,低电场下InP的TAT贡献总是较大,和SRH数量级一致,和文献中不一样,调整缺陷能级也没有用,有人知道是什么问题么,没找到合适的mass.tunnel参数