Silvaco学习笔记（六）毕设相关

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soliton-monologue

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版权

2023.3.6 周一

写在前面

昨天询问了师兄打开.gds文件的方式，师兄和我说了很多，也分享了安装包，今天安装一下，然后看看老师发的版图文件，了解一下电流保护环结构和版图设计相关知识

继续复习唐龙谷老师书籍中的extract特性

仿真示例学习暗电流特性仿真

学习origin

将2.9/11整理的问题及解答上传CSDN

复习大创，进行分工讨论

led器件仿真示例学习

学习三文件

一、L-Edit软件安装

https://mp.weixin.qq.com/s/KhnFavRYhgBQkeV1vI8f_g

“L-Edit”软件，它是由Tanner 公司开发的版图设计工具（现已被Mentor公司收购）。相较于Virtuoso工具，L-Edit的优点就是它能直接在Windows系统上运行，可以很方便地在个人电脑中安装使用。

安装包、安装流程在上文链接均有十分感谢！

没花钱，成功安装好啦：

二、继续复习提取（extract）特性——唐龙谷老师书籍

Extract可用于提取仿真结果，如工艺仿真得到的结果，如材料厚度、结深、方块电阻等，或提取器件仿真的阈值电压、电流放大倍数等。

Deckbuild的提取功能能较方便的得到仿真结果，代替了手动的分析。这和导出数据是有区别的。提取的另一个用途体现在参数优化（工艺优化）上的应用。

<value_sigle_line>：厚度（thickness）、结深（xj）、表面浓度（surf.conc）、一维阈值电压（1dvt）、某二维区域内的最大或最小浓度（2d.max.conc/2d.min.conc）、最大或最小浓度（max.conc/min.conc），二维浓度分布（2d.conc.file）、一维区域的最大或最小边界（max.bound/min.bound(1D)）、二维区域的最大最小边界（max.bound/min.bound(2D)）、杂质浓度在某范围内的积分面积(2d.area……)

<value_multi_line>：方块电阻（sheet.res）、P型或N型方块电阻（p.sheet.res/n.sheet.res）、电导（conduct）、P型或N型电导（p.conduct/n.conduct）

提取曲线时通常需要给出x轴或y轴的信息：<curve_def>分“<curve_single_line>”和“<curve_multi_line>”两种类型。

impurity：boron、phosphorous、asenic、net doping、electron conc，tonyplot中可以显示的量都可以作为QSTRING

material：gas、silicon oxide polysilicon aluminum nitride oxynitride gaas gold silver alsi photoresist tungsten titanium platinum tisix wsix ptsix等，也可以是ALGAAS

extract可以对轴或数据进行+-*/^等基本运算，也支持C语言的描述：abs() log() dydt() atan()等。此外还支持数据的统计和拟合功能，如min() ave() slope(LINE) y=ax+b

v."" i."" c."""" g."""" time temp freq beam."" ie."" rl."" cl."" il."" q"" id."" rho."" probe."" elect.""

提取的默认参数：

材料：silicon;杂质："net doping";x.val|y.val| region（x.val为距器件左边界5%的位置）；.occno=1;datafile="results,final";1dvt typ=ntype;2d.area（x.step为器件尺寸的10%）；temp.val=300;bias=0;1dvt(bias.stop=5,bias.step=0.25,vb=0);1dcapacitance(bias.stop=5,bias.steo=0.25,vb=0,vg=0,bias.ramp=vg);soi=false;semi.poly=false;incomplete=false……

提取结果默认单位……

例句：

提取工艺仿真特性：

#提取栅氧化层厚度
extract name="gateox" thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.49
#提取结深
extract name="nxj" xj silicon mat.occno=1 x.val=0.1 junc.occno=1
#提取结深的另一种方法
extract name="Junction Depth" x.val from(depth,\
      (impurity="Gallium" material="Silicon" mat.occno=1)\
      - (impurity="Phosphorus" material="Silicon" mat.occno=1)) where y.val=0.0
#提取表面浓度
extract name="chan surf conc" surf.conc impurity="Net Doping"\
        material="Silicon" mat.occno=1 x.val=0.45
#提取x=0.1um处的硼浓度分布
extract name="bcurve" curve(depth,boron silicon mat.occno=1 x.val=0.1) outfile="extract.dat"
#提取激活了的砷的总浓度
extract name="Active_Arsenic" 1.0e-4*(area from curve(depth,\
       impurity="Active Arsenic" material="Silicon" mat.occno=1))
#提取方块电阻
extract name="n++ sheet rho"sheet.res material="Silicon"\
       mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1
#电容、电导、击穿电压、1dvt不详细写了，用到再说

提取器件仿真特性

器件仿真的方法是对器件施加电流、电压、磁场或是光照等，对器件的端电流电压和器件内部的电学量进行仿真计算（solve）。仿真时solve得到的器件信息（含电学信息）可以保存在结构文件（.str）或日志文件（.log）中。

先只了解提取的功能，具体语法用到了再学习：

提取器件仿真特性前导入提取的来源文件

从结构文件中提取solve后的特性

I-V特性提取

瞬态特性提取

提取漏电压随温度变化的特性

提取漏电流随频率变化的特性

提取电容

提取电导

提取其他的点学参数的曲线……

轴处理

轴处理在器件特性提取中显得尤为重要，如β、Vt等都需要由输出的电流电压特性中进行计算得到。

对轴操作的例子：

提取栅压除以50作为横坐标，漏电流*10为纵轴的曲线

提取集电极电流作为横轴，集电极电流和基极电流的商（即电流放大倍数）作纵轴的曲线

提取栅电压对漏电流的微分曲线并保存在文件中。

提取X（栅压）在0.5——2.5范围内的漏电流的最大值并保存。

提取栅压对漏电流的二阶微分曲线并保存

提取放大倍数的最大值

提取转移特性曲线中斜率最大处的X（栅压）值作为阈值电压

提取X（基极电压）为2.3时的Y（集电极电流）值

三、继续set 命令功能——唐龙谷老师书籍

命令set可以对Deckbuild的全局变量进行设置或设置tonyplot的显示方式。显示方式可以保存在.set文件中，这样在显示时可直接调用。

全局变量设置

SET <VARIABLE> = [ <VALUE> | <EXPR>] [NOMINAL]

variable 为任意变量，在后续语句中使用该变量则需写为“$<variable>”，即在前边加上美元符号。

示例：用全局变量来设置工艺参数

set temp=1000
set gaspress=1
diffuse time=30 temp=$temp press=$gaspress

这种全局变量设置的方法可以给仿真参数的设置带来很大的方便，例如在变参数仿真中，可使得仿真参数更易更改。

Value可以是数字，也可是由某些变量经运算后得到的结果

经常在淀积工艺中定义网格密度的时候采用这种方式，如将纵向网格数设置成厚度除以网格间距的商。

设置tonyplot的显示方式

按照设置文件“show.set”来进行显示

tonyplot structure.str -set show.set

在tonyplot界面的File下拉菜单中点击Save Set Files ……则可以将当前的显示方式保存在相应的set文件中。Set文件需要存放在工作路径下，这样程序才能查找到。用设置文件来定义显示的方式可以提供很大的方便，避免了每次查看结果的时候都进行一系列的操作。

四、LED器件仿真实例

4.1 示例原代码：

# (c) Silvaco Inc., 2013
go atlas 
#
# GaN LED Device Simulation
#氮化镓LED器件仿真
# Blue single-quantum well LED
#蓝色单量子阱LED
# Parameter used for this blue SQW LED
#该蓝色单量子阱LED器件用到的参数
#############################################################################
#  Epilayer #  Material  #  Type  # Thickness #  Doping    #    Mobility    #
#           #            # p or n #     [nm]  #   [cm-3]   #    [cm2/V-s]   #
#############################################################################
# n-Buffer  #    GaN     #    -   #     30    #       -    #       100      #
# n-Contact #    GaN     #    n   #   4000    #     1e18   #       100      #
# n-Contact #  In0.2GaN  #    -   #      3    #       -    #       100      #
# p-Emitter #  Al0.2GaN  #    p   #    100    #     1e19   #        10      #
# p-Contact #    GaN     #    p   #    500    #     1e19   #        10      #
#############################################################################
#-------------------------------------------------------------------
# SECTION 1 : MESH GENERATION
#-------------------------------------------------------------------
#
# width for 1 Dimensional Structure conversion to  A/cm^2
mesh width=1e8
#
x.mesh loc=0.0    spac=0.5
x.mesh loc=1.0    spac=0.5
#
y.mesh loc=-5.00  spac=1.0
y.mesh loc=-0.65  spac=0.005
y.mesh loc=-0.603 spac=0.0002
y.mesh loc=-0.600 spac=0.0002
y.mesh loc=-0.55  spac=0.005
y.mesh loc=-0.5   spac=0.001
y.mesh loc=-0.0   spac=0.1
#-------------------------------------------------------------
# SECTION 2: REGIONS AND ELECTRODES
#-------------------------------------------------------------
region num=1 material=GaN y.max=-0.603 substrate
region num=2 material=InGaN y.max=-0.6 y.min=-0.603 x.comp=0.20 \
       name=well qwell led well.ny=50
region num=3 material=AlGaN y.max=-0.5 y.min=-0.6 x.comp=0.2 
region num=4 material=GaN y.min=-0.5 
#
electrode name=anode   bottom
electrode name=cathode top
#-------------------------------------------------------------
# SECTION 3: DOPING PROFILES
#-------------------------------------------------------------
# p type is Mg
# n type is Si
doping region=4 uniform p.type conc=1e19
doping region=3 uniform p.type conc=1e19
doping region=1 uniform n.type conc=1e18
#---------------------------------------------------------------
# SECTION 4: MATERIAL MODELS
#---------------------------------------------------------------
models calc.strain polarization polar.scale=1.0

models  fermi ^incomplete consrh auger optr print k.p
models region=2 k.p chuang spontaneous lorentz
#
material material=GaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 \
         augn=1.0e-34 augp=1.0e-34
material material=AlGaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 \
         augn=1.0e-34 augp=1.0e-34
material material=InGaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 \
         augn=1.0e-34 augp=1.0e-34
#
# Lorentz Broaden factor
material well.gamma0=30e-3
#
material edb=0.080 eab=0.101
#
mobility mun0=100 mup0=10 
#
#----------------------------------------------------------------
# SECTION 5: OUTPUT FLAGS and METHOD
#----------------------------------------------------------------
#
output con.band val.band band.param charge polar.charge e.mobility \
       h.mobility u.srh u.radiative u.auger permi
#
method climit=1e-4 maxtrap=10
#
#----------------------------------------------------------------
# SECTION 6: INITIAL SOLUTION
#----------------------------------------------------------------
#
solve init
solve prev
#
save outf=ledex01_1.str
tonyplot
#
#-----------------------------------------------------------------
# SECTION 7: BIAS RAMP and Save the SPECTRUM
#-----------------------------------------------------------------
#
probe name=Recombination integrate recomb
probe name=Radiative integrate radiative rname=well
#
log outf=ledex01.log
solve vstep=0.05 vfinal=3.5 name=anode
save outf=ledex01_3p5.str
save spectrum=ledex01_3p5.spc lmin=0.40 lmax=0.50 nsamp=100

solve vstep=0.05 vfinal=4.0 name=anode
save outf=ledex01_4p0.str
save spectrum=ledex01_4p0.spc lmin=0.40 lmax=0.50 nsamp=100

solve vstep=0.05 vfinal=5.0 name=anode
save outf=ledex01_5p0.str
save spectrum=ledex01_5p0.spc lmin=0.40 lmax=0.50 nsamp=100
#
#------------------------------------------------------------------
# SECTION 8: PLOTTING CURVES
#------------------------------------------------------------------
#
# V-I Curve
tonyplot ledex01.log     -set ledex01_0.set
# I-L Curve
tonyplot ledex01.log     -set ledex01_1.set
# EL Intensity at 3.5V, 4.0V and 5.0V
tonyplot -overlay ledex01_3p5.spc ledex01_4p0.spc ledex01_5p0.spc -set ledex01_2.set

extract init infile="ledex01_3p5.str"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Electron Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_3p5_Electron.dat"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Hole Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_3p5_Hole.dat"

extract init infile="ledex01_4p0.str"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Electron Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_4p0_Electron.dat"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Hole Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_4p0_Hole.dat"

extract init infile="ledex01_5p0.str"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Electron Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_5p0_Electron.dat"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Hole Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_5p0_Hole.dat"

tonyplot -overlay ledex01_3p5_Electron.dat ledex01_3p5_Hole.dat ledex01_4p0_Electron.dat ledex01_4p0_Hole.dat ledex01_5p0_Electron.dat ledex01_5p0_Hole.dat -set ledex01_3.set

quit

4.2 代码逐句解释

说明

go atlas #启动ATLAS器件仿真器，说明直接进行器件仿真，非工艺仿真

# GaN LED Device Simulation
#氮化镓LED器件仿真
# Blue single-quantum well LED
#蓝色单量子阱LED
# Parameter used for this blue SQW LED
#该蓝色单量子阱LED用到的参数
#############################################################################
#  Epilayer #  Material  #  Type  # Thickness #  Doping    #    Mobility    #
#           #            # p or n #     [nm]  #   [cm-3]   #    [cm2/V-s]   #
#############################################################################
# n-Buffer  #    GaN     #    -   #     30    #       -    #       100      #
# n-Contact #    GaN     #    n   #   4000    #     1e18   #       100      #
# n-Contact #  In0.2GaN  #    -   #      3    #       -    #       100      #
# p-Emitter #  Al0.2GaN  #    p   #    100    #     1e19   #        10      #
# p-Contact #    GaN     #    p   #    500    #     1e19   #        10      #
#############################################################################

仿真说明和参数展示，该形式直观，值得借鉴

将参数做成表格：

外延层	材料	类型 p/n	厚度 nm	掺杂 cm-3	迁移率 cm2/V-s
外延层	材料	类型 p/n	厚度 nm	掺杂 cm-3	迁移率 cm2/V-s	n型缓冲区	GaN	-	30	-	100
n型接触区	GaN	n	4000	1.00E+18	100
n型接触区	In0.2GaN	-	3	-	100
p型发射区	Al0.2GaN	p	100	1.00E+19	10
p型接触区	GaN	p	500	1.00E+19	10

元素周期表

从元素周期表来看，Al、Ga、In均是ⅢA族，那么化合物半导体怎么看n、p型呢？

第一模块：网格生成

#-------------------------------------------------------------------
# SECTION 1 : MESH GENERATION 第一部分网格生成
#-------------------------------------------------------------------
#一维结构的宽度转换为A/cm^2
# width for 1 Dimensional Structure conversion to  A/cm^2  
mesh width=1e8
#定义x方向
x.mesh loc=0.0    spac=0.5
x.mesh loc=1.0    spac=0.5
#定义y方向
y.mesh loc=-5.00  spac=1.0
y.mesh loc=-0.65  spac=0.005
y.mesh loc=-0.603 spac=0.0002
y.mesh loc=-0.600 spac=0.0002
y.mesh loc=-0.55  spac=0.005
y.mesh loc=-0.5   spac=0.001
y.mesh loc=-0.0   spac=0.1

x方向：0-->1，间隔0.5，分成2份

y方向：-5-->0，间隔从1-0.005-0.002-0.002-0.005-0.001-0.1，整体变化趋势是：疏-密-疏

第二模块：区域、电极定义

#-------------------------------------------------------------
# SECTION 2: REGIONS AND ELECTRODES第二部分 区域电极定义
#-------------------------------------------------------------
region num=1 material=GaN y.max=-0.603 substrate
region num=2 material=InGaN y.max=-0.6 y.min=-0.603 x.comp=0.20 \
       name=well qwell led well.ny=50
#composition是组分，x.comp=0.2 即成分为In0.2GaN 形成q(quantum量子)阱，同区域3
region num=3 material=AlGaN y.max=-0.5 y.min=-0.6 x.comp=0.2 
region num=4 material=GaN y.min=-0.5 
#底部是阳极，顶部是阴极
electrode name=anode   bottom
electrode name=cathode top

区域1、4：

区域2

区域3

组分：

电极

第三模块：掺杂

#-------------------------------------------------------------
# SECTION 3: DOPING PROFILES  掺杂配置
#-------------------------------------------------------------
# p type is Mg
# n type is Si
doping region=4 uniform p.type conc=1e19
doping region=3 uniform p.type conc=1e19
doping region=1 uniform n.type conc=1e18

效果：

第四模块：材料和模型

#---------------------------------------------------------------
# SECTION 4: MATERIAL MODELS  材料和模型
#---------------------------------------------------------------
models calc.strain polarization polar.scale=1.0
#calc.strain:查询手册，是GANFET的方便模型  应变和极化
models  fermi ^incomplete consrh auger optr print k.p
#区域2是In0.2GAN 量子阱，专门用了新模型
models region=2 k.p chuang spontaneous lorentz
#
material material=GaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 \
         augn=1.0e-34 augp=1.0e-34
material material=AlGaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 \
         augn=1.0e-34 augp=1.0e-34
material material=InGaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 \
         augn=1.0e-34 augp=1.0e-34
#
# Lorentz Broaden factor
material well.gamma0=30e-3
#
material edb=0.080 eab=0.101
#
mobility mun0=100 mup0=10 
#

模型

calc.strain polarization

根据用户手册：针对GAN器件的应变和极化模型其中的polar.scale=1.0

手册中搜索calc.strain

指定偏振效应和压电效应：

GAN材料具有极化和压电效应，要包括极化对区域的影响，应该在相应的区域语句上指定极化参数。

这将只包括自发极化，如果你还想包括压电极化，你也可以指定calc.strain参数。如果您指定了calc.strain，仿真器将自动计算晶格失配产生的应变，并计算压电极化并将其应用于该区域。您还可以指定strain参数的值，该参数将指定该区域中的轴向应变。

在应变(压力)（strain）和极化(polarization)设置下，仿真器将应用利用应变参数分配的应变值计算的压电极化。

fermi

费米狄拉克统计模型

^incomplete

不完全电离和掺杂依赖性迁移率

如果需要使用泊松方程中的电离掺杂剂浓度来计算迁移率，总掺杂剂浓度来计算电荷密度，则指定MOB。模型语句不完整，以显式清除此标志。不建议使用此参数组合。？？？

consrh

Shockley-Read-Hall 复合模型

auger

俄歇复合模型

optr

光学复合模型

print k.p？

在唐龙谷老师的书和手册都没搜到，看编译结果吧

还有单独在区域2定义的模型：

在唐龙谷书籍中找到一个有关k.p的句子：

设置物理模型。
models k.p fermi incomplete consrh auger optr print

手册中：

使用多波段k.p能带结构

局部光学增益和自发发射

激光器的GAINMOD参数设置了四个增益/自发发射模型。对于标准模型GAINMOD取1，对于经验模型取2， Takayama模型为3，多波段k.p模型为5。

多波段k.p模型#5可用于块状区域和量子阱。对于多波段k.p模型参数ZB.ONE,ZB.TWO,ZB.THREE或WZ.THREE,也应该在模型语句中指定。现在已经有了一个ABS.BULK参数上的模型声明，它计算吸收，使用完全相同的机制。ABS.BULK在使用了增益模型#5的区域被禁用。

漂移扩散中的k.p带参数模型

chuang

是WZ.KP参数的一个别名

激光器仿真参数：GAINMOD=5指定将使用yan、li或chuang的增益模型

将由LI、YAN或CHUANG模型得到的辐射复合速率纳入漂移扩散模型中。

k.p chuang spontaneous lorentz

好像都是在增益模型里

Lorentzian Gain Broadening

洛伦兹增益扩大

通过在模型声明中指定洛伦茨，可以引入由带内散射引起的增益增宽。下面的方程描述了应用时的增益增宽

材料定义

material=GaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 augn=1.0e-34 augp=1.0e-34

taun0：SRH 复合的电子寿命（s）；

taup0: SRH 复合的空穴寿命（s）。

copt：材料的光学复合速率（cm3/s），设定模型时需使用 model optr；

augn：电子俄歇系数（cm6/s）；

augp：空穴俄歇系数（cm6/s）；

AlGAN

material=AlGaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 augn=1.0e-34 augp=1.0e-34

InGAN

material=InGaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1.1e-8 augn=1.0e-34 augp=1.0e-34

洛伦兹增益扩大参数

material well.gamma0=30e-3
material edb=0.080 eab=0.101
mobility mun0=100 mup0=10

指定了“洛伦兹增益增宽”中的洛伦兹增益增宽因子。

EDB和EAB为掺杂剂的活化能，ND和NA分别为净补偿n型和p型掺杂。净补偿掺杂的定义如下：

mun0：电子迁移率

mup0：空穴迁移率

第五模块：输出和数值方法

#----------------------------------------------------------------
# SECTION 5: OUTPUT FLAGS and METHOD
#----------------------------------------------------------------
#
output con.band val.band band.param charge polar.charge e.mobility \
       h.mobility u.srh u.radiative u.auger permi
#
method climit=1e-4 maxtrap=10
#

输出

定义结构文件中额外可以包含的信息

con.band 导带

val.band 价带

band.param

charge

polar.charge

e.mobility

h.mobility

u.srh

u.radiative

u.auger

permi

数值方法

最大折半次数：10

默认可能是newton？

第六模块：初始解

#----------------------------------------------------------------
# SECTION 6: INITIAL SOLUTION#初始解
#----------------------------------------------------------------
#初始解
solve init
solve prev
#保存结构并显示
save outf=ledex01_1.str
tonyplot
#

第七模块：保存频谱

#-----------------------------------------------------------------
# SECTION 7: BIAS RAMP and Save the SPECTRUM
#-----------------------------------------------------------------
#得到这个点的
probe name=Recombination integrate recomb
probe name=Radiative integrate radiative rname=well
#绘制图像 阳极电压从0.05-->3.5
log outf=ledex01.log
solve vstep=0.05 vfinal=3.5 name=anode
save outf=ledex01_3p5.str
save spectrum=ledex01_3p5.spc lmin=0.40 lmax=0.50 nsamp=100
#阳极电压从0.05-->4
solve vstep=0.05 vfinal=4.0 name=anode
save outf=ledex01_4p0.str
save spectrum=ledex01_4p0.spc lmin=0.40 lmax=0.50 nsamp=100
#阳极电压从0.05-->5.0
solve vstep=0.05 vfinal=5.0 name=anode
save outf=ledex01_5p0.str
save spectrum=ledex01_5p0.spc lmin=0.40 lmax=0.50 nsamp=100
#

PROBE：允许您将多个分布式数量的值输出到日志文件中。指定位置上的值或设备指定区域内的最小值、最大值或集成值将在每个偏置或时间点保存到日志文件中。

注意：PROBE是ATLAS计算许多参数值的最准确的方法。存储在TonyPlot的结构文件中的节点上的参数通常会被插值、受噪声影响。

Integrate—测量单条曲线和横轴之间的面积或两条曲线之间的面积。

语法

PROBE[MIN|MAX|INTEGRATED|x=<n>y=<n>z=<n>

[DIR=<n>]][POLAR=<n>]<parameters>

INTEGRATED:指定探测值将在由参数X. MIN、X.MIX.MAX、Y. MIN、Y. MAX、Z. MIN和Z. MAX定义的框内的所有网格点上进行集成。

RECOMBIN：指定probe将以净重组率运行。

RADIATIVE:指定probe将根据辐射复合速率工作。

LMAX and LMIN：指定要保存光谱文件的波长范围。

NSAMP：指定要用于光谱图的样本数量

第七模块：绘制曲线

#------------------------------------------------------------------
# SECTION 8: PLOTTING CURVES绘制曲线
#------------------------------------------------------------------
#
# V-I Curve
tonyplot ledex01.log     -set ledex01_0.set
# I-L Curve
tonyplot ledex01.log     -set ledex01_1.set
# EL Intensity at 3.5V, 4.0V and 5.0V
tonyplot -overlay ledex01_3p5.spc ledex01_4p0.spc ledex01_5p0.spc -set ledex01_2.set

extract init infile="ledex01_3p5.str"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Electron Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_3p5_Electron.dat"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Hole Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_3p5_Hole.dat"

extract init infile="ledex01_4p0.str"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Electron Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_4p0_Electron.dat"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Hole Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_4p0_Hole.dat"

extract init infile="ledex01_5p0.str"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Electron Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_5p0_Electron.dat"
extract name="Electron" curve(depth,impurity="Hole Conc" material="All" \
        x.val=0.5) outfile="ledex01_5p0_Hole.dat"

tonyplot -overlay ledex01_3p5_Electron.dat ledex01_3p5_Hole.dat ledex01_4p0_Electron.dat ledex01_4p0_Hole.dat ledex01_5p0_Electron.dat ledex01_5p0_Hole.dat -set ledex01_3.set

quit