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RSS订阅原创 硅像素传感器文献调研（九）3
目前正在汉堡建造的欧洲X射线自由电子激光器的高强度和高重复率需要硅传感器，该传感器可以在高偏置电压下工作3年，承受高达1 GGy的X射线剂量。在AGIPD合作范围内，研究了由四家供应商在具有两种晶体取向和不同工艺参数的高欧姆n型硅上制造的MOS电容器和栅控二极管中的X射线辐射损伤，剂量在1 kGy和1 GGy之间。提取的氧化物电荷密度和表面电流密度值已被用于TCAD模拟，并优化AGIPD像素传感器的布局和工艺参数。据发现，高X射线剂量的优化布局是显着不同的非辐照传感器。
2024-01-25 18:17:11
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原创 硅像素传感器文献调研（八）
本文介绍了交流耦合硅微带探测器的计算机分析。这项研究的目的是调查的主要几何参数负责潜在的关键影响，如早期微放电和击穿现象。CAD工具的采用允许评估设备内的实际场分布，并且使得能够识别关键区域。采用悬垂的金属条被证明有一个积极的影响，电场分布，减少角效应，从而最大限度地减少击穿风险。
2024-01-24 22:09:33
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原创 硅像素传感器文献调研（八）
本文提出了对浮置场限环器件进行数值计算的理论依据。本文讨论了一种简单的计算直接算法，特别适用于场限环器件的计算。提出了一种确定浮置场限环中性部分电势的附加算法。该算法是基于零电流流入场环的标准。场环电位对单场环器件的外加电压的实验和理论依赖关系之间获得了良好的一致性，从而构成了对理论的极其灵敏的测试。然后表明，当绘制为归一化曲率的函数时，具有单个最佳位置的场环的平面器件可以获得的理想击穿电压的分数可以很好地由所有衬底掺杂和结深度的单个曲线表示。
2024-01-23 22:05:04
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原创 硅像素传感器文献调研（七）
在本文中，一个基于计算机的分析进行研究的布局解决方案，旨在提高硅微带探测器的击穿电压。对于最佳性能，它是至关重要的，以实现最大的击穿电压硅探测器工作在非常高的偏置，由于下一代实验，如大型强子对撞机的极端恶劣的辐射环境。硅微带探测器的性能可以通过在有源探测器区域周围实现浮动场限制环来改善。已经进行了模拟研究，以评估作为保护环间距（GS）的函数的击穿电压的分布。本工作的目的是找到一个标准，以优化GS的多个环结构，包括各种物理和几何参数作为设计优化的援助。利用该准则，得到了多环结构中保护环的最佳间距。
2024-01-23 20:49:39
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原创 硅像素传感器文献调研（六）
介绍了场限环平面器件击穿电压的研究结果。采用有限差分法求解二维泊松方程。对具有多个场环的器件的最佳环间距问题以及表面电荷对阻挡能力的影响进行了广泛的研究。讨论了环间距、环宽度、掺杂梯度和表面电荷密度对器件性能的影响。本文提出了一个简化计算的分析模型，用以说明场环器件的主要特性。此外，显示EBIC测量的一些实验结果。
2024-01-23 17:03:16
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原创 硅像素传感器文献调研（五）
主要用途：我主要用它找论文，有些期刊的引文格式并没有文章标题，也看不出来他在哪个期刊发表的，不好直接在学校相应数据库上检索，所以我会直接复制引文格式，先在谷歌学术镜像某个站点搜索一下，可以下载最好，如果收费再根据获取到的标题和期刊去学校对应数据库下载。今天又探索到一个更全数据库的scihub功能！太赞了。
2023-12-28 23:16:43
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原创 硅像素传感器文献调研（四）
对于高压平面结提出了一个简单的新概念。通过在氧化物掩模中的小开口和随后的驱入注入来获得在结表面处的空间电荷区域的必要加宽，从而导致受控的掺杂剂分布。与其他平面结相比，该概念还产生了有源芯片面积的增益。实验结果表明了该概念的有效性。一个高压平面结实现了一个新的结构，结深约20 μ m。新的VLD结构显示出更好的表面稳定性，并比常用的场环结构需要更少的芯片面积。计算机模拟表明，VLD结构的稳定性主要是由于与场环的情况相反，表面电场很低，大部分表面压降发生在结的p侧。
2023-12-28 22:39:28
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原创 硅像素传感器文献调研（三）
提出了一种基于场板与氧化物上半阻层（SIPOS）结合使用的改进高压技术。场板和SIPOS具有互补的功能。场板的存在减少了结曲率电场效应。硅表面电势通过氧化物上的主要SIPOS层线性化，从而降低场板边缘处的峰值电场。第二高电阻率SIPOS层提供优异的钝化，并且还防止下层SIPOS膜的介电击穿。以下描述高压平面晶体管的完整制造、设计、电气特性和可靠性。场板和SIPOS作为结端接技术的互补功能是这种设计理念高效率的关键。场板减小了扩散结曲率处的电场，SIPOS减小了场板边缘的电场。
2023-12-28 22:03:05
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原创 硅像素传感器文献调研（二）
配备有场板和保护环的平面结（非穿通和穿通情况）的击穿电压是通过使用有限差分法求解二维泊松方程计算的电势分布来评估电离积分来确定的。各种参数，如衬底掺杂浓度，n层厚度，场氧化层厚度，圆柱结曲率，场板宽度，场板和保护环之间的间距，对于击穿电压的影响进行了广泛的研究。结果表明，场氧化层厚度存在一个最佳值，以实现最大的击穿电压。研究还表明，最佳的氧化层厚度取决于圆柱结曲率衬底掺杂浓度，和n层厚度。进一步表明，当击穿发生在场板边缘时，场板结构上钝化介质层的介电常数影响击穿电压。
2023-12-28 17:33:56
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原创 硅像素传感器文献调研（一）
信息提取：简单介绍研究内容和结果：研究内容：针对氧化物电荷和衬底掺杂浓度对具有多个浮动扩散带的分段保护结构的影响。计算机仿真+实验测试结果：实验与仿真吻合良好：具有浮动扩散带的分段保护结构具有高击穿电压和低漏电流；浮动的中间场板减少了来自氧化物电荷的影响，并使器件稳定以抵抗环境影响。我们设计了一种具有多个浮置p-n结的保护结构，将电势分布效应作为其基本功能的一部分。我们利用计算机模拟了这种结构的模型，研究了不同掺杂浓度和氧化物电荷密度的结构中的电势分布。我们在实验样品的保护下？
2023-12-26 15:36:43
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原创 文献阅读报告——半导体文献精读
文章来源：老师发的The future transistors 《未来晶体管》类型：综述类摘要：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的核心元件，代表了自工业革命以来最重要的发明之一。在集成电路产品对更高速度、能效和集成密度的要求的推动下，在过去的六十年中，MOSFET的物理栅极长度已微缩到20nm以下。然而，即使对于现有技术的鳍式场效应晶体管，在保持低功耗的同时缩小晶体管的尺寸也越来越具有挑战性。
2023-12-22 19:08:27
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原创 关于不能及时回复私信和评论的致歉
同时也感到很抱歉，当初做毕设的情况基本上已经忘得差不多了，真的是“学如逆水行舟，不进则退”呀，很抱歉大家提出的很多问题我都回答不上来了orz。感觉之前做毕设记录做的工作和点滴心得的方法很好，所以最近打算重拾起来，希望大家原谅我暂时不能回复一些评论和私信（十分抱歉）。会记录完成作业（阅读报告等）、进行科研的一些过程，也会慢慢重拾毕设并完善，继续学习Silvaco-TCAD。最近登陆上来看到新增了很多粉丝，受宠若惊呀！怕什么真理无穷，进一步有进一步的欢喜。读研后主要以课程为主，大概半年多没怎么用CSDN了。
2023-12-21 17:18:53
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翻译 SCI论文写作学习
1.SCI是Science Citation Index(科学引文索引)的缩写2.引入citation index“引文索引”概念，这反映了文献之间的相互引证和科学研究间的内在联系。3.SCI选录期刊的依据是文献分析法，该分析法以期刊论文被引用次数作为评价指标，被引用频率越高，则该期刊影响越大。4.SCI的记录包括论文与引文。这两者的区别？5.SCI根据期刊来源种类划分为SCI和SCI-E，SCI指印刷版，光盘版；SCI扩展版——SCIE。
2023-04-22 17:32:10
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原创 Silvaco学习笔记（十七）——beam代码仿真过程
之后相差是2的指数倍：2e-11 4e-11 8e-11 16e-11 32e-11 64e-11 128e-11 256e-11 512e-11。通过此代码保存不同时刻器件结构，tonyplot可显示电子/空穴浓度和电流密度，展示了电荷收集过程。光功率为2W：在ramptime(5ns)内从0增加到2W，t步进0.01ns，持续到20ns。波长1015nm，出射原点：（60，502）,为传感器背面,窗口宽度=2um。缺点就是时间不是很准确的，是按照算法的，不过应该可以试试分段和改步进。
2023-04-05 23:59:12
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原创 Silvaco学习笔记（十六）——beam状态的maxwidow参数研究
以光束入射原点为原点，建立新的坐标轴x'，y'，y'和角度ANGLE有关，x'垂直于y'。光束自动分割成一系列射线，使射线的总和覆盖照明窗口的整个宽度。下边代码是四束光b1b2b3b4，改变原点和max.win参数，看一下tonyplot的结果。wavelength=0.6um：根据c=fλ，光的频率为：5e14，根据对照表，是可见光。num=1:光束序号，便于之后进行功率赋值（b1=1：b1光束光强=1W/cm2）这些代码里均没有指定min.win，猜测是默认器件最左边，现在去验证一下。
2023-04-04 12:31:51
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原创 Silvaco学习笔记(十五)——提取电子浓度（electron concentration in empty/full well ）
花了好长时间才解决下述问题，现记录一下。
2023-03-30 21:26:37
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原创 Silvaco学习笔记（十四）——获取器件特性（毕设相关）
在仿真开始时电极都是零偏的，之后才会按照设置的方式将电流或电压步进式地加上 去。步进的步长是需要考虑的，步长太大容易不收敛（由于计算方法中的初始猜测策略）。电压和电流的施加使用solve状态，log和save 是将计算得到结果分别保存为日志文件和结 构文件。Log语句需要在solve之前，这样solve的数据才能得到保存。
2023-03-30 11:58:39
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原创 Silvaco学习笔记（十三）——CV特性/瞬态特性仿真（毕设相关）
Y：3um硅片初始化：均匀掺杂硼（B），掺杂浓度为5e15/cm3，晶向100，网格间距×2网格定义：乘数前；乘数后可见，加入spac.mult=2乘数后网格变得稀疏了一倍提取结果：四个电极：分别是：sto_gate，tra_gate，drain substrate字面意思：sto猜测是storage（存储，相比drain面积也大）；tra猜测是transport（运输）；drain类比mos漏极（高浓度n区）
2023-03-30 01:09:18
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空空如也
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