三极管

双极性三极管（BJT）

双极性三极管（BJT）是一种三段器件，内部有两个背靠背的PN结（即发射结和集电结）。

结构介绍

双极性三极管（BJT）有两种类型：NPN型和PNP型。
三个电极：发射极e、集电极c、基极b
结构特点：基区很薄且掺杂浓度很低；发射区和集电区是同类型的杂质半导体，但发射区掺杂浓度高，集电区面积大。
三个杂质半导体区域之间形成两个PN结，发射区与基区间的PN结称为发射结，集电区与基区间的PN结称为集电结。
注：发射极上的箭头表示发射结加正偏电压时，发射极电流的实际方向。

本文主要讨论NPN型三极管，但对PNP型同样适用，只不过两者所需电源电压的极性相反，产生的电流方向相反。

放大状态下三极管的工作原理（模电）

1. 三极管内部载流子的运动情况
   三极管有两个PN结，在应用中可能有四种工作状态：放大、饱和、截止和倒置（少用）
   当三极管用作放大器件时，无论是NPN型还是PNP型，都是发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
   （1）发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流I_E
   
   由于发射结外加正向电压，发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区，形成发射结电子扩散电流 I_EN，其方向与电子扩散方向相反。同时，基区的多子空穴也要扩散到发射区，形成空穴扩散电流 I_EP，方向与l_EN相同。l_EN和 I_EP一起构成受发射结正向电压v_BE控制的发射结电流（也就是发射极电流）I_E，即I_E=l_EN+ I_EP(由于基区掺杂浓度很低，I_EP很小，可以认为I_E=l_EN）
   （2）载流子在基区扩散与复合，形成复合电流 l_BN
   由发射区扩散到基区的载流子电子在发射结边界附近浓度最高，离发射结越远浓度越低，形成了一定的浓度梯度。浓度差使扩散到基区的电子继续向集电结方向扩散。在扩散过程中，有一部分电子与基区的空穴复合，形成基区复合电流 l_BN。由于基区很薄，掺杂浓度又低，因此电子与空穴复合机会少，l_BN很小，大多数电子都能扩散到集电结边界。
   （3）集电区收集载流子，形成集电极电流I_C
   由于集电结上外加反偏电压，空间电荷区的内电场被加强，对基区扩散到集电结边缘的载流子电子有很强的吸引力，使它们很快漂移过集电结，被集电区收集，形成集电极电流中受发射结电压控制的电流l_CN，其方向与电子漂移方向相反。显然有I_CN=l_EN-l_BN。与此同时，基区自身的少子电子和集电区的少子空穴也要在集电结反偏电压作用下产生漂移运动，形成集电结反向饱和电流 l_CBO，其方向与I_CN方向一致。l_CN和l_CBO一起构成集电极电流I_C，即 I_C = I_CN+l_CBO(l_CBO数值很小，对放大没有贡献，受温度影响大）
   三极管的基极电流 I_B = I_E - I_C

【注】放大电路中有三种连接方式（共基极、共发射极、共集电极），但无论哪种连接方式，要使得三极管有放大作用，都必须保证发射结正偏、集电结反偏。
2. 三极管的电流分配关系
从载流子的传输过程可知，由于BJT结构上的特点，确保了在发射结正向电压、集电结反向电压的共同作用下，由发射区扩散到基区的载流子绝大部分能够被集电区收集，形成电流l_CN，一小部分在基区被复合，形成电流l_BN。通常把l_CN与发射极电流I_E的比定义为BJT共基极直流电流放大系数α，即α = I_CN/I_E(表达了I_E转化为l_CN的能力).