实现线段切割法_切割晶圆及玻璃产品的现代技术与设备

作者： 韩卓申科VS ^1,2，伊凡诺夫VI ³，吕鸿图 ^2,4，纳乌莫夫A S ^2,4，王薇媛 ⁴ 摘要 ：由于需以各种非金属半导体材料晶圆制造使用价值低之微电子产品，对其加工高精度及品质改善的要求更为严苛，因此研究效率高的晶圆切割方法有其必要性。本文将探讨得以加工昂贵复杂之装置的高效晶圆切割法，笔者透过实验证明应用激光控制热裂解法的效果，提出将该方法导入玻璃、硅、蓝宝石及其他脆性非金属材料精密切割的优势与成果。 关键词：微电子产品；激光切割半导体材料；激光切割晶圆；激光切割玻璃；激光控制热裂解法(韩卓申科切割法)   　　俄罗斯科学与创新发展的趋势为对微米和纳米技术领域之研发，并将其结果导入生产。 　　由于现代电子产品发展突飞猛进，使仪器和工艺设备尺寸缩小。微米和纳米技术与制造微米、纳米物体的方法直接相关，其尺寸至少在一个维度上不大于100µm或100nm。为制造以微米和纳米技术为基础之电子产品，采用的是经充分验证之材料及新材料，拥有广大潜力能为特定应用取得可控制、有利的物理化学性质。 　　用于生产半导体器件之传统晶圆材料均属脆性，而印刷其上的结构因物理特性加深后续生产制程难度。此外，精密器件加工复杂促使收益增加、开发更为繁复的结构，并优化半导体晶圆有效区域之应用，同时又要维持售价与运营成本。 　　目前将晶圆分离成芯片的主要技术皆建立于机械与激光切割基础上，即钻石划线后裂片、带外刀刃的钻石圆盘锯片切割、激光划线后裂片、激光切割等。 　　本文分析非金属材料晶圆的切割技术和方法，阐述芯片品质研究结果，并特别着重激光控制热裂解(Laser Controlled Thermal Cracking，以下簡稱LCT) ^[1-4] 及其在制造各式电子产品的应用 ^[5] 。  现有晶圆切割技术与设备分析 　　首先探讨钻石划线后裂片，以及带外刀刃的钻石圆盘锯片切割。 　　半导体晶圆机械划线直至1990年代未曾改变 ^[6] ，刀具有硬质合金刀轮、三角锥或四角锥台等形式，皆以鑽石及其他硬質合金製成，因其耐磨性最佳。機械劃線用角錐的稜劃線，輪流標示刻槽，此法的应用受限于有如应力集中系数 k之标准，透过施加弯矩决定在表面的最大弯曲应力，可经下列公式计算：

k = (0.355 (t - d) / r) + 0.85) / 2 + 0.08

(1)

其中， t ：晶圆厚度； d ：切割深度； r ：钻石粒径。 　　由此可知，晶圆愈厚所需的弯曲应力愈大。可透过增加划痕深度减少所需的弯曲应力，但如此沿切割线的缺陷程度便会增加，且划线工具上压力提高可能导致材料分裂不受控制；另可加大钻石粒径，但同样会影响芯片断面品质及其机械强度。 　　半导体晶圆机械划片和分割的设备厂商有法国JFP及Cefori、台湾爱玻丽工业、英国Loadpoint等公司。 　　在生产中最简易的晶圆切割法为钻石圆盘锯片切割。当切割深度不超过1.5 mm，可使用带外刀刃的钻石圆锯片将晶圆切割分离成芯片 ^[7] 。有时采用间隔距离与欲切割芯片尺寸相等的锯片组，或用配备双轴之机器。根据不同任务，圆盘厚度为0.02～0.32 mm(20～320 µm)不等。钻石圆盘切割之目的旨在实现宽度20 µm的锯痕，然而，却更常出现宽度达250 µm的锯痕，关键在于刀片材料、钻石颗粒粒度和密集度、旋转与切割速度等众多因素。 　　带外刀刃的钻石圆盘锯片切割缺点为刀具硬度 G不高，该部分主要取决于其尺寸(含厚度和外径)的比例，而硬度与主要操作因素相关，如下列关系式：                (2) 　　其中， K _m ：(用来说明材料性质的)系数； W ：转数； V _cut ：切割速度； m, n ：常数。 　　强化刀具硬度的方式有二：其中一种为采用厚切割锯片，但将加大锯口宽度并增加材料损失；另一种则为提高切割锯片转速，此时产生之离心力会给予额外的硬度，但随着转数增多，锯片刀刃产生振动，流体力学过程加强，也会导致切割区域缺陷数量、大小皆增加。 　　制造切割晶圆的外刀刃钻石圆盘锯片设备和工具厂商有：ESTO(俄罗斯)