晶圆激光切割工艺流程

近年来，随着光电产业的快速发展，对高度集成的半导体晶圆的需求日益增加。诸如、硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃等材料广泛用于半导体晶片。随着晶圆集成度的快速提升，晶圆趋向于更薄更轻，传统的加工方式已经不再适用。激光切割逐渐引入半导体晶片切割。

激光切割机在半导体晶片上的应用。

半导体器件分类

激光属于非接触加工，不会对晶圆产生机械应力，对晶圆的损伤较小。由于激光聚焦的优势，聚焦点可以小到亚微米量级，更有利于晶圆的微加工，可以加工小零件。即使在低脉冲能量水平下，也可以获得高能量密度，并且可以有效地处理材料。大多数材料通过吸收激光直接蒸发材料，并冲出连续的盲孔形成通道。从而达到切割的目的，因为导光板小，碳化影响最低。

切割过程

半导体晶圆激光隐形切割技术是一种全新的激光切割工艺，具有切割速度快、、切割、时不产生粉尘、不损耗、、要求、切割路径小、完全干法等诸多优点。隐形切割的主要原理是通过材料表面将短脉冲激光束聚焦在材料中间，然后通过外压将切屑分离。

半导体样品

晶圆切割是先进技术的代表，标志着一个国家的先进水平。想要避免被卡脖子，只能通过开发自己的技术来跳出这个泥潭。

1、简化生产流程，降低生产成本
2、速度快，效率高，零破片率
3、非机械加工，无机械应力，提高芯片质量
4、CCD快速定位功