s32k1xx的FLASH学习笔记Flash Memory Module (FTFC)

一、概述

FTFC仅适用于S32K1xx系列设备，

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1.Flsah内存类型

1.1程序Flsah：可执行程序代码的非易失性闪存

1.2FlexNVM: 非易失性闪存，可以执行程序代码，存储数据，备份模拟的EEPROM数 据

1.3FlexRAM: RAM 可用作SRAM或高速模拟EEPROM存储，加速Flsah编程

在安全引导期间和当FlexRAM作为系统RAM运行时，PCC_FTFC[CGC]必须为1。•CSEc（安全性）或EEPROM写入/擦除将在HSRUN模式(112MHz)中触发错误标志，因为不允许此用例同时执行。设备需要切换到RUN模式（80Mhz）以执行CSEc（安全）或EEPROM写入/擦除。

2.Flsah内存尺寸

       FTFC模块有多种配置。每个配置都由一个或多个读取分区组成。一个给定的读分区一次只能占用一个任务。有多个读分区允许执行并发操作，如读而写(RWW)。必须特别考虑到其中包含FlexNVM的分区，因为FlexMEM特性由几个方面组成，包括数据Flash、模拟EEPROM备份、CSEc特性(需要启用模拟EEPROM)。因此，可以请求对单个FlexMEM读取分区进行读取、编程、删除、模拟EEPROM更新或CSEc加密操作，但一次只能请求其中一个。

该芯片上的FLASH类型的大小如下：

可用的程序Flash随着FlexNVM的大小而减少。当程序Flash被完全使用时，则FlexNVM不可用。         必须发出Pgmpart命令，才能使所有这些内存区域都可用。•对程序闪存的推测性缓冲区的大小等于程序闪存端口宽度的大小。数据闪存的推测缓冲区的大小等于数据闪存端口宽度的大小。

2.1. 128 KB程序Flash/32 KB FlexNVM/2 KB FlexRAM模块（S32K116）

   128KBFTFC flash模块由两个NVM读分区和一个FlexRAM块组成：

                一个128KB程序Flash读分区(非交错1×128KB)

                一个32KBFlexNVM读分区(非交错1×32KB)

                一个2KBFlexRAM

当FlexNVM配置为模拟EEPROM时，关联的EFlash将从内存映射中消失，如图所示

2.2. 256 KB程序Flash/32 KB FlexNVM/2 KB FlexRAM模块（S32K118）

   这个256KB的FTFC flash模块由两个NVM读分区和一个FlexRAM块组成：

一个256KB的程序Flash读分区(非交错的1×256KB)

一个32KB的FlexNVM读分区(非交错的1×32KB)

一个2KB的FlexRAM 

 当FlexNVM配置为模拟EEPROM时，关联的EFlash将从内存映射中消失，如图所示

2.3.256 KB程序Flash/64 KB FlexNVM/4 KB FlexRAM模块（S32K142）

这个256KB的FTFC flash模块由两个NVM读分区和一个FlexRAM块组成：

一个256KB的程序Flash读分区(非交错1×256KB)

一个64KB的FlexNVM读分区(非交错1×64KB)

一个4KB的FlexRAM

当FlexNVM配置为模拟EEPROM时，关联的EFlash将从内存映射中消失，如图所示

2.4. 512 KB程序Flash/64 KB FlexNVM/4 KB FlexRAM模块（S32K144）

512K BFTFC flash模块由两个NVM读分区和一个FlexRAM块组成：

一个512KB程序Flash读分区(交错2×256KB)

一个64KBFlexNVM读分区(非交错1×64KB)

一个4KBFlexRAM

当FlexNVM配置为模拟EEPROM时，关联的EFlash将从内存映射中消失，如图所示

2.5. 1MB程序Flash/64 KB FlexNVM/4 KB FlexRAM模块（S32K146）

  1M BFTFC flash模块由三个NVM读分区和一个FlexRAM块组成：

   两个512KB程序flash读分区(交错2×256KB)

  一个64KBFlexNVM读分区(非交错1×64KB)

   一个4KBFlexRAM

当FlexNVM配置为模拟EEPROM时，关联的EFlash将从内存映射中消失，如图所示

 2.6. 2MB程序Flash/64 KB FlexNVM/4 KB FlexRAM模块（S32K148）

2M BFTFC flash模块由四个NVM读分区和一个FlexRAM块组成：

三个512KB程序flash读分区(交错2×256KB)

一个共享程序/数据flash(FlexNVM)读分区(交错2×256KB)这个共享的读取分区由448KB的                       PFlash(交错2×224KB)和64KB的FlexNVM(交错2×32KB)区域组成。

一个4KBFlexRAM

    最后一个分区(448KB程序闪存和64KB数据闪存/FlexMEM)是一个共享的单读分区，需要考虑，因为代码可能不会在访问64KB数据闪存/FlexNVM区域的同时从448KB程序闪存区域执行。

  由于FlexNVM是为2MB模块上的模拟EEPROM配置的，因此离开值被限制为64KB或没有。

 2.7 内存MAP

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各种类型的闪存和闪存的寄存器都有不同的基本地址，如下图所示。每个基本地址都在S32K1xx系列map分布表中指定了

 

二、FLASH内存模式

  FTFC模块有两种操作模式，NVM正常和NVM特殊模式。在此芯片上，FTFC总是配置为NVM正常模式。该芯片没有为NVM特殊模式配置FTFC的操作条件。

三、功能说明

1.删除FLASH中的所有内容

 软件可以通过一系列外围总线写入FTFC寄存器的方式启动“擦除所有块”命令。此外，整个闪存可以从外部SWJ-DP调试端口根据以下顺序删除：

1.设置MDM-AP控制[0]。

2.MDM-APStatus[0]设置为表示已接受批量删除命令。

3.MDM-AP状态[0]在批量擦除完成时清除。  

2.同时操作PFLASH读取分区

     在从特定的PFLASH读分区执行时，FTFC命令（并行引导除外）不能在该PFLASH读分区上运行。以下是每个设备中的PFLASH读取分区数：

   

四、细节说明

1.FTFC模块说明

FTFC模块包括以下可访问的内存区域：

为向量空间的程序flash和代码存储

用于数据存储和其他代码存储的FlexNVM

FlexRAM用于高速性数据存储或传统RAM

     FTFC模块包括一个内存控制器，它执行命令来修改flash内容。擦除的位读取“1”，编程的位读取“0”。编程操作是单向的，它只能将数据位从“1”状态（已擦除）移动到“0”状态（已编程）。只有擦除操作才能将位从“0”恢复为“1”；不能将位从“0”编程为“1”。

      flash位置必须处于擦除状态。不允许在flash位置内累积位编程（无中间清除程序的背回背程序操作）。不允许将现有的0s重新编程为0，因为这会过度强调设备。flash的标准运输条件。随着时间的推移，由于已擦除（“1”）状态和/或已编程（“0”）状态的退化，可能会导致数据丢失。因此，建议在工厂编程之前立即重新擦除每个flash块或扇区，以确保实现完整的数据保留能力。