S32K1xx系列MCU的Flash擦除与编程

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  S32K1xx系列MCU的Flash擦除与编程
  （使用S32K1xx SDK Flash驱动API）

S32K1xx系列MCU的Flash资源包括P-Flash和Flex NVM，其中Flex NVM默认为D-Flash功能，可以调用S32K1xx SDK 提供的Flash驱动API函数进行擦除和编程操作，也可以调用分区API函数–FLASH_DRV_DEFlashPartition()将其分区用作模拟EEPROM的备份Flash，此时2/4KB的Flex RAM用作模拟EEPROM的操作RAM。

擦除P-Flash和D-Flash时，可以按照2/4KB的sector擦除D/P-Flash，使用的API为FLASH_DRV_EraseSector():

对于大于512KB的part，比如S32K146和S32K148有多个512KB的Flash块(block)，所以也可以按照512KB的block擦除P-Flash–使用API为FLASH_DRV_EraseBlock():

S32K1xx系列MCU的P-Flash和D-Flash除了支持8B的phase编程外，还支持section编程，其可以一次编程1/4 FlexRAM大小的P-Flash/D-Flash，也就是512B(S32K11x系列)或者1KB(S32K14x)，从而提高编程效率。

在使用S32K1xx SDK的Flash驱动API函数–FLASH_DRV_ProgramSection()时需要注意：

①需要将FlexRAM分区为传统SRAM，并将编程数提前写入Flex RAM，可通过如下代码实现：
/*****************************************************************

• Fill the FlexRAM with size Byte *Program_Data for Flash section program
  ******************************************************************/
  void Fill_FlexRAM_For_FlashSectionProgram_Buffer( uint8_t *Program_Data, uint32_t size)
  {
  uint8_t *FlexRAM_Base_Addr = (uint8_t *)Flash1_InitConfig0.EERAMBase;

  /configure the FlexRAM as traditional RAM for section program buffer/
  FLASH_DRV_SetFlexRamFunction(&flashSSDConfig,EEE_DISABLE, 0, NULL);

  while(size–)
  {
  *FlexRAM_Base_Addr++ = Program_Data++;
  }
  }
  ②该API函数的输入参数目的编程地址必须按照1/4 FlexRAM大小对齐，且size为数据buffer占用的Flash phase数量，即buffer size/8：
  #ifdef S32K11x_SERIES
  #define BUFFER_SIZE 0x200u / Size of data source, 512B for S32K11x 2KB EEE/4 /
  #else
  #define BUFFER_SIZE 0x400u / Size of data source, 1024B for S32K14x 4KB EEE/4 */
  #endif
  /the data buffer for Flash program/
  uint8_t sourceBuffer[BUFFER_SIZE];

/set the address to erase and program D-Flash/
address = Flash1_InitConfig0.DFlashBase;
size = BUFFER_SIZE;

/* prepare the program data via filling into FlexRAM in advance /
Fill_FlexRAM_For_FlashSectionProgram_Buffer(sourceBuffer,size);
/ Write some data to the erased PFlash sector via program section*/
FLASH_DRV_ProgramSection(&flashSSDConfig, address, (size/8));

Tips: 调用S32K1xx SDK的Flash驱动API擦除和编程P-Flash/D-Flash时，需要关闭CPU内核的全局中断，以避免响应中断时出现Flash的RWW(Read While Write)冲突，程序跑飞(CPU内核响应中断时需要先从中断向量表取中断向量，然后跳转到中断ISR中执行：虽然S32K1xx SDK在startup时已经将中断向量表重定向到了SRAM中，取中断向量不需要访问Flash了，但中断ISR默认是储存在Flash上的，若想要CPU在擦除和编程Flash还可以响应外设中断，则必须将其中断ISR拷贝到SRAM中，并修改中断向量表改变其向量指向中断ISR的SRAM地址，或者将中断ISR保存在不同RWW的Flash分区上(比如D-Flash或者S32K146/8的不同512B Flash Block))。

Tips: S32K1xx系列MCU的FlashAPI函数实现Flash命令序列最后Launch命令到等待命令完成的API函数FLASH_DRV_CommandSequence()是remap到SRAM中了的，所以用户可以在Flash上调用Flash的API函数，但是必须保证不要擦除程序自身，否则会跑飞：