二次特征辐射(
X
射线荧光辐射)
:当高能
X
射线光子击出被照射物质原子的内
层电子后,较外层电子填其空位而产生了次生特征
X
射线(称二次特征辐射)
。
应用:
X
射线被物质散射时,产生两种现象:相干散射和非相干散射。相干散射
是
X
射线衍射分析方法的基础。
非相干散射:
当
χ
射线经束缚力不大的电子或自
由电子散射后,
可以得到波长比入射
χ
射线长的
χ
射线,
且波长随散射方向不同
而改变,
这种散射现象称为非相干散射。
非相干散射波长
与入射线与衍射线夹角
相关,
荧光辐射
波长与吸收限频率相关。
非相干散射
会增加连续背影,
给衍射图
象带来不利的影响,
特别对轻元素。
荧光辐射
对
X
射线衍射分析是有害的,
它增
加衍射花样的背底,但它是
X
射线光谱或能谱分析的基础。
滤波片:
使
X
射线管产生的
X
射线单色化,
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