认对画对MOS管

MOS管我们在设计电路中经常用的一种无源器件。

首先介绍下,在原理图和PCB以及实物PCBA中如何辨别各种MOS管,作为应用好的先决条件,必须认对画对管子。

1. MOS管的GSD三极在原理图和PCB上怎么判定:

G极(gate)—栅极,原理图上不用说比较好认;                   PCB 封装上左下角为G极;
S极(source)—源极,P沟和N沟,原理图上均是在交汇处; PCB 封装上右下角为S极;
D极(drain)—漏极,P沟和N沟,原理图单独引线的;            PCB 封装上单独一个的为D极; 孤独的D极。

2. N沟道、P沟道和寄生二极管的指向:

箭头指向G极的是N沟道;

箭头背向G极的是P沟道;

他们的寄生二极管方向均是与箭头方向一致的;

3. 万用表判别NMOS、PMOS:

借助寄生二极管来判定,将万用表调到二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,如果有数值显示反过来无数值,则说明是NMOS管;总体情况相反的话,则是PMOS管。

4. 用做开关管时电流的方向:

如图中红线箭头所示电流流向,导通条件是:|Ugs|>|Ugs(th)|

PMOS管一般用在电源正向控制上,NMOS管一般用在对地连接上;

其中寄生二极管本身是阻碍电流流动的,只有管子打开后电流才能流过。

5. 电路符号的画法:

6. MOS管的重要参数:

①封装  表贴、插装;         ---大小 散热 功率;
②类型(NMOS、PMOS) ---使用场合;
③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
栅极阈值电压Vgs(th)

接下来再抽空总结一下MOS管在实际电路中的应用,欢迎关注下一篇博客介绍。


 

 

 

 

 

 

 

 

### 背对背MOS管开关的工作原理 背对背MOS管开关是指将两个相同类型的MOS管(通常是NMOSPMOS)串联连接,且它们的方向相反。这种结构能够实现电流的双向流动控制,同时具备防止反向电流的功能[^1]。 #### 工作机制 当采用背对背NMOS配置时,其中一个MOS管的源极与另一个MOS管的漏极相连,形成串联路径。为了使该电路正常工作,需要分别驱动这两个MOS管的栅极电压。具体来说: - 当正向电流流过时,一个MOS管被开启而另一个处于关闭状态,从而允许电流沿指定方向流通。 - 反之亦然,对于反向电流,则需调整相应的栅极信号以切换导通路径[^2]。 值得注意的是,在此过程中,由于每个单独使用的MOS管内部均含有体二极管,因此在某些特定条件下可能会引发不必要的导电现象。然而,在精心设计下,可以通过恰当设置各元件参数来规避这些问题并优化整体表现[^4]。 以下是基于上述理论构建的一个简单例子展示如何利用背靠背N-MOSFET创建双向开关功能: ```python import numpy as np def simulate_back_to_back_mos(vgs1, vgs2, rds_on=0.1): """ Simulate a back-to-back MOS configuration. Parameters: vgs1 (float): Gate-source voltage of the first NMOS transistor. vgs2 (float): Gate-source voltage of the second NMOS transistor. rds_on (float): On-state resistance when fully enhanced. Returns: float: Effective current flow through both transistors combined. """ threshold_voltage = 2.0 if abs(vgs1) >= threshold_voltage and abs(vgs2) >= threshold_voltage: effective_resistance = rds_on * 2 # Both are ON; add their resistances. i_d = 5 / effective_resistance # Assuming Vdd-Vss is 5V across load. elif any([abs(vg) < threshold_voltage for vg in [vgs1, vgs2]]): i_d = 0 # One or more OFF means no conduction path exists. return round(i_d, 3) print(simulate_back_to_back_mos(-3, +3)) # Example usage with typical gate voltages applied symmetrically. ``` 以上代码片段仅作为概念验证工具,并未完全反映真实硬件环境中的复杂情况。实际应用还需综合考量更多因素如温度变化影响、精确建模寄生效应等[^3]。 ### 设计要点总结 - **选择合适型号**: 根据预期负载特性挑选具有适当额定值的MOS器件; - **关注热管理**: 高频操作可能导致显著功耗增加进而引起发热问题; - **保护措施实施**: 加入缓冲网络减少尖峰干扰风险保障长期稳定性。
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