三极管基本参数介绍与放大电路分析

全称为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导器件,作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。

两个PN结的排列方式有两种:PNP和NPN。

三个端点依序称为射极(emitter, E)、基极(base, B)和集极(collector, C)

1. 区别

NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC > VB > VE   电流均只跟E极相关;

Vb<Ve               截止状态

Vc>Vb>Ve         放大状态  

Vb>Ve  Vb>Vc   饱和状态,Ib*β>Ic(max)

PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC < VB < VE   电流均只跟E极相关;

Vb>Ve              截止状态

Vc<Vb<Ve        放大状态

Vb<Ve  Vb<Vc  饱和状态

 

2. 作用

放大:把微弱的电信号变成一定强度的信号,把电源的能量转换成信号的能量。

开关:工作在饱和和截止区,作为电子开关用;

振荡:配合其他电子元器件构成振荡器电路。

 

3. 分类

按照结构分:NPN 和 PNP

按照工作频率分:小于3MHz为低频

                                 3MH< Ft<30MHz 为中频

                                 大于30MHz为高频

按照输出功率分:功率小于1W的为小功率管

                                 1W< P<2W 为中功率

                                 大于2W的为大功率

4. 基本参数

特征频率fT:当f=fT时,三极管完全失去电流放大功能。

工作频率大于fT,电路将不正常工作。

工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。

 hFE:电流放大倍数β。

VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压;

PCM:最大允许耗散功率。

 

5. 放大电路分析

如下共射放大电路分析如下:

  • 分析各个元件的作用
  • 理解放大电路的放大原理
  • 分析计算电路的静态工作点
  • 理解静态工作点的设置目的和方法,先静态再动态

C1 C2为耦合电容,起到交流信号传递的作用,将直流分量隔离,交流信号从前级传递到

后级;

R1 R2为直流偏置电阻,电路要工作,电源一定要是直流电源,所以叫直流偏置。三极管

的三种工作状态“截止、放大、饱和”由直流偏置决定,上图由R1 R2电阻决定。

Uce电压接近电源电压VCC,截止状态,三极管基本不工作Ic电流基本为0;

Uce电压接近0V,饱和状态,Ic达到最大值,Ib增大Ic也不能再增大了因为饱和了;

除了上述两种状态,就是第三种放大状态,Ic的大小受到Ib控制,一般Uce接近VCC

一半。 这样设置目的分析:

这是为了使信号正负能有对称的变化空间,在没有信号输入时,Uce为电源的一半,作为

一条水平线,作为参考点;

当输入信号增大,则Ib增大,Ic电流增大,则电阻R2的电压U2=Ic&TImes;R2会随之增

大,Uce=VCC-U2,会变小。U2最大理论上能达到等于VCC,则Uce最小会达到0V,

这是说,在输入信增加时,Uce最大变化是从1/2的VCC变化到0V.

当输入信号减小,则Ib减小,Ic电流减小,则电阻R2的电压U2=Ic&TImes;R2会随之减

小,Uce=VCC-U2,会变大。在输入信减小时,Uce最大变化是从1/2的VCC变化到

VCC。这样,在输入信号一定范围内发生正负变化时,Uce以1/2VCC为准的话就有一个

对称的正负变化范围,所以一般图1静态工作点的设置为Uce接近于电源电压的一半。

 

如何设置:

小功率管:Ic为零点几毫安到几个毫安;

中功率管:Ic为几个毫安到几十毫安;

大功率管:Ic为几十毫安到几安;

假设Ic为2mA,R2=VCC/2/2mA=3K,Ib由β=100~400,则R1=(VCC-0.7)/Ib=56K;

实际上管子的放大倍数可能远远大于100,同时温度会影响Ic的大小,按照上面计算可

能处于饱和状态,故上述电路稳定性差,实际使用较少,改成如下小结描述的分压式偏

置电路,分析计算与实际测量会更加吻合。

 

6. 偏置电路解说

放大电路中,通常使用电流负反馈偏置电路,下面讲讲偏置电路稳定工作原理。

R1 R2为基极分压电阻为放大器提供基极电流;当Ib变化时Ub(R2电压)基本不变;

R4为发射极电阻,也叫反馈电阻,属于放大电路关键元件;通过电流负反馈作用稳定直

流工作点,当三极管放大电路由于温度上升等因素,使集电极电流Ic保持稳定,稳定原理如下:

适当加大R4的值,反馈越大,稳定性越好;为了减小交流能量在R4上的损耗,增加C3

电容让交流旁路到地,可以提高放大电路的交流增益。

电流负反馈偏置电路具有良好的温度稳定性,选择好合适的偏置电阻阻值,设计好直流

工作点,就可以让放大电路稳定可靠的工作。

具体取值关系:Ic=2mA  Uce=0.5Vcc  R4=100 推出 R3=2.7K

 β=100 推出 Ib=20uA    IR1=10Ib=200uA  

UR2=Ube+UR4 推出R1=56K  R2=4.7K

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半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下: 第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下: 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分:O-表示半导体器件 第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 关于“材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)”给你解释一下 如:SI-NPN 0.1 20 45 >100 意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作电流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz。
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