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RSS订阅原创 闪存 (Flash) 及其工艺
闪存是一种非易失性存储器 ( nonvolatile memory)，以块为单位擦除 数据并以字节级别重写数据。闪存广泛用于消费类设备，企业系统和工 业应用中的存储和数据传输。不管配备闪存的设备是打开还是关闭电源， 闪存都会将数据保留很长一段时间。闪存用于企业数据中心服务器，存储和网络技术以及广泛的消费类设备， 包括USB闪存驱动器（也称为记忆棒），SD卡，移动电话，数码相机， 平板电脑 笔记本计算机和嵌入式控制器中的PC卡。例如，基于NAND 闪存的固态驱动器通常用于加速 I/O 密集型应用的性能。
2023-10-17 11:52:16
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原创 芯片封装技术基础
封装狭义的定义是指安装集成电路芯片外壳的过程：广义的定义应包括将制备合格的芯片、元件等装配到载体(Carrier）上，采用适当的连接技术形成电气连接、安装外壳，构成有效组件的整个过程。安装集成电路芯片（元件）的外壳，可以采用塑料、金属、陶瓷、玻璃等材料，通过特定的工艺将芯片（元件）包封起来，使得集成电路在各种环境和工作条件下能稳定、可靠地工作。
2023-08-15 15:19:31
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原创 BCD工艺概述
BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS器件，称为BCD工艺。
2023-08-15 14:34:23
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原创 车规级MCU知识介绍
一辆传统燃油车需要大约500到600颗芯片，轻混汽车大约需要1000颗，插电混动和纯电动汽车则需要至少2000颗芯片。这就意味着在智能电动汽车快速发展的过程中，不仅对先进制程芯片需求不断增加，而且对传统芯片需求也会持续增加。MCU就是这样，除了单车搭载的数量在不断增长，域控制器也带来了对高安全、高可靠、高算力MCU的新需求增长。
2023-08-01 09:48:58
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原创 PLL锁相环设计中的VCXO性能权衡
许多压控晶体振荡器是低带宽锁相环中的关键部件。此类锁相环通常用于电信、视频、音频、网络和仪器应用中的同步和/或抖动清理。本应用说明描述了关键VCXO特定性能参数的关系及其在PLL设计中的权衡。图1：典型PLL框图 图1显示了一个简单的PLL框图。参考时钟提供输入频率FIN。相位频率检测器（PFD）比较输入时钟和输出时钟的相位，并基于相位差生成周期误差信号。该周期信号通过环路滤波器（LF）进行低通滤波，并作为模拟控制电压传递给VCXO输入。VCXO输出频率由控制输入电压控制，并大致与控制输入电压成比例。输出频
2022-07-05 11:53:00
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原创 SiTime小尺寸低功耗可编程MESM硅晶振的优势
可编程性以多种方式改进了电子产品设计。一些好处更明显，例如更快的开发和更短的交付周期。有些是性能相关的，正如本系列的第一篇博客中所讨论的那样。我们在下面深入探讨的其他好处导致尺寸和功率下降，有些令人惊讶，鲜为人知。所有这些优点都可通过广泛的功能集（下表中显示的许多功能集）和MEMS硅晶振可编程架构实现。SiTime可编程定时平台可以通过多种方式减少组件数量和系统规模。首先，由于我们的器件频率可以在很宽的范围内进行编程，精度为六位小数，因此设计人员可以选择与下游芯片（MCU，MPU，SoC等）要求完全匹配的输
2022-07-05 11:04:05
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原创 SiTime扩频时钟振荡器
随着当今电子系统中处理器速度和数据速率的不断提高，电磁干扰 (EMI) 已成为设计人员面临的主要挑战。 一台设备中产生的 EMI 会妨碍附近其他电子设备的运行。时钟通常是系统中 EMI 的最大贡献者。 方波时钟的频谱由基音和高次谐波的集合组成。 过滤、屏蔽和良好的 PCB 布局实践可以限制系统中的 EMI，但它们会增加成本并占用宝贵的电路板空间。 另一种方法是减少时钟产生的噪声。 通过随时间缓慢调制时钟频率，基频和谐波频率中的峰值频谱能量都会降低。 这种降低很有用，因为政府监管机构（例如 FCC 或 CE）
2022-07-01 11:57:25
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原创 探测SiTime硅晶振输出的实用指南
电气工程师经常将示波器用于从检查简单的低速数字信号到准确的波形和抖动测量等各种目的。 他们需要使用探针直接访问 PCB 上的任意信号。 但是，探头可能会给信号带来额外的负载或使示波器上显示的波形失真。 因此，应仔细进行探测。本应用笔记提供了有效探测振荡器输出的实用指南，显示了常见错误并解释了如何识别和避免潜在的探测问题。评估板是测试振荡器性能的绝佳工具。 它们经过精心设计和测试，并具有用于探测的专用测试点。 然而，由于探测或测量技术不当，评估结果可能不准确。...
2022-07-01 11:38:43
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原创 MEMS谐振器简介
目前市场上应用比较多的晶振主要有石英晶振和硅晶振。石英晶振的频率大小取决于晶片的厚薄。首先，从制作工艺来讲，晶片大小以及晶片厚薄与晶振的频率密切相关，一般来讲，石英晶振的频率越高，需要的石英晶片越薄。比如40MHZ的石英晶体所需的晶片厚度是41.75毫米，这样的厚度还算可以做到，但100MHz的石英晶体，所需的晶片厚度则是16.7毫米。即使厚度可做到但损耗非常高，制成成品后轻轻一跌晶片就碎裂。所以，石英晶振的使用不良率是一个非常重要的指标。除此之外，由于制作工艺的限制，石英晶振在小体积、高精度、高可靠性方面
2022-07-01 11:18:36
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原创 SiTime硅晶振保持自适应漂移补偿
移动宽带和电信网络依靠称为 Stratum 时钟的高度稳定和准确的定时源来满足表 1 中所示的严格相位和同步要求。在典型的网络部署中，有一个主要参考时钟源 (PRS) 可追溯到 Stratum- 1 或铯原子钟。 一个典型的网络节点计时时钟源：Stratum-3 或 -3E 源自更准确的上游 Stratum-2 时钟。 每个 Stratum 级别的时钟必须满足标准规定的频率稳定性和 20 年以上的长期老化。 Stratum-n 精度和保持规范的详细信息在以下部分中描述。...
2022-07-01 11:09:19
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原创 汽车电子时钟硬件设计指南
随着电动汽车的应用与普及, 传统的汽车设计发生了非常大的变化。电子电路的功能与系统已经成为电动汽车的核心技术.那同样有着电子电路“心脏”之称的时钟则是核心中的核心。而一款电动汽车,最多则会用到70多颗时钟器件，这些时钟器件是否具有AEC-Q100认证，是否具有超强的抗震性、高低温稳定性、EMI抗干扰性等，与汽车的安全性能有最直接的关系。所以，作为电动汽车的设计者，就一定要在时钟产品选择与设计方面做诸多考量。通过大量的客户拜访与实际验证,SiTime总结了如下时钟产品在汽车电子设计里的时钟指南。因为无源晶体需
2022-06-28 08:49:57
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原创 SiTime MEMS硅晶振五大优势
MEMS作为微电子机械系统身就很小。硅晶振可实现极端扩展。无论是单独的谐振器还是与其控制电子器件（例如，振荡器IC）组合的封装部件，其范围从几毫米到几分之一毫米。MEMS振荡器硅晶振通常由堆叠在硅混合信号IC上的MEMS谐振器组成。由于MEMS硅晶振的主要元件是硅，因此可以应用先进的半导体封装技术，如晶圆级芯片级封装（WL-CSP），从而创建一个与硅芯片大小相当的振荡器。该SEM图像显示了CSP振荡器，其不需要塑料，陶瓷或金属来容纳芯片。关于你可能不知道的一些事实......硅比钛强15倍。事实上，MEMS
2022-06-20 18:05:08
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原创 SiTime硅晶振 高性能MEMS时钟方案在5G中的应用
5G是第五代移动通信技术（5th-Generation）的简称，是新一代的蜂窝移动通信技术，也是继4G、3G、2G系统之后的延伸，5G的性能目标是高数据速率、减少延迟、节省能源、降低成本、提高系统容量和大规模设备链接面向5G时代，预计随着流量陡增，4G核心网架构存在如下局限：为此，需对5G核心网架构进行重新设计：从4G到5G，与之前的技术迭代升级都大不相同。当然从4G到5G也不仅仅只是上网速度更快了这么简单。借用苹果的一句话说，那就是“Not than Faster”. 正是有了5G的出现，万物互联、工业4
2022-06-20 10:35:50
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原创 SiTime硅晶振MEMS谐振子制作工艺详解
目前绝大多数的电子产品都需要用到时钟器件来工作，就是我们所熟知的晶振。但是，晶振有哪些？又是如何工作的？这可能就不太清楚了。或许您会说，我会用就成了，又何必花时间去了解呢？此言差矣，了解这些有助于我们在电路设计时对时钟器件的正确选择。目前市场上应用比较多的晶振主要有石英晶振和硅晶振。石英晶振的频率大小取决于晶片的厚薄。首先，从制作工艺来讲，晶片大小以及晶片厚薄与晶振的频率密切相关，一般来讲，石英晶振的频率越高，需要的石英晶片越薄。比如40MHZ的石英晶体所需的晶片厚度是41.75毫米，这样的厚度还算可以..
2022-06-20 10:12:49
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原创 从1G到5G，为什么说5G需要的网络设备是4G的10倍以上？
今天咱们再聊一聊1G-5G，其实这里的G，指的是Genertion(代)。也就是1代、2代、3代、4代、5代的意思。那5G是5代什么呢？就是指第5代移动通信系统。移动通信，也就是无线通信。说无线通信，要从一种波说起。话说很久很久以前，人们认为电和磁是八竿子打不到一起的两种东西，直到后来有个叫法拉第的年轻人，发现在磁场可以影响到电流的变化，反之亦然。那这说明了啥呢？说明了电和磁之间有种神秘的力量让他们隔空也能相互影响，这就是电磁波。今天咱们主要说说，这个波在通信上的应用。通过进一步研究，人们学会了控制电磁波的
2022-06-20 09:59:50
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原创 SiTime AEC-Q100汽车级振荡器提高汽车的可靠性
随着汽车行业不断将基于电子的功能添加为标准设备，对可靠汽车级定时解决方案的需求也在不断增加。 几十年来 ，定时元件都是基于石英晶体技术的，这也是以前唯一提供高稳定性和高性能的可行解决方案。 然而 ，MEMS（微机电系统）硅晶振解决方案正迅速取代石英晶振 ，提供更可靠的高质量低成本替代方案。诸如加速度计和陀螺仪之类的MEMS传感器已经在汽车应用中用作主动安全装置多年。 加速度计检测速度的突然变化，使气囊膨胀并挽救生命。 当检测到转向控制丢失时，稳定性控制系统会自动进行自动更正，以不可见的方式改善操作并提高驾驶
2022-06-17 17:19:37
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原创 关于差分晶振的LVDS、LVPECL、HCSL、CML模式介绍及其相互转换
差分晶振一般用在高速数据传输场合，常见的有LVDS、LVPECL、HCSL、CML等多种模式。这些差分技术都有差分信号抗干扰性及抑制EMI的优点，但在性能、功耗和应用场景上有很大的区别。下图列举了最常用的几种差分信号技术和它们的主要参数。LVDS信号的摆幅低，为±350mv, 对应功耗很低。但速率可达3.125Gbps。总的来说电路简单、功耗和噪声低等优点，使LVDS成为几十Mbps及至3Gbps应用的首选。LVPECL信号的摆幅为±800mv或更高,所以其功耗是大于LVDS信号的。 ...
2022-06-14 09:04:33
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原创 如何延长无线医疗设备的电池使用寿命
无线医疗设备越来越普遍，用于远程监测和记录生命体征，以帮助检测和治疗疾病和医疗异常。图1显示了一个示例。无线身体传感器通过互联网中心或个人服务器（如患者的智能手机）上传生命体征。...
2022-06-13 17:15:20
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原创 SiT9005：1 -141MHz单端扩频振荡器SSXO
辐射不合规（产品辐射无法满足相关标准）常常发生在产品开发的最后阶段，造成不可预见的故障排除和昂贵的生产延迟。（通过扩频时钟信号和调整信号的上升、下降沿，SiT9005可以帮助客户解决辐射问题）同时SiTime的Time Machine II编程器支持这些器件，允许设计人员（通过现场编程的方式实时）降低辐射度。辐射不合规（产品辐射无法满足相关标准）常常发生在产品开发的最后阶段，造成不可预见的故障排除和昂贵的生产延迟。（通过扩频时钟信号和调整信号的上升、下降沿，SiT9005可以帮助客户解决辐射问题）同时SiT
2022-06-10 14:23:01
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原创 SiT9003：1-110MHz单端扩频振荡器SSXO
SiT9003是SiTime公司推出的一款1-110MHz输出的低功耗、芯片级、可编程扩频MEMS振荡器，可有效降低EMI达12dB、无温漂、低抖动，兼容LVCMOS/LVTTL电平输出，广泛用于消费电子、视频、图像采集、机顶盒、HDTV、DVR、扫描仪、打印机、复印机、网络摄像头等领域。SiT9003是低功耗的可编程扩频振荡器，输出电平兼容LVCMOS/LVTTL。SiT9003为单芯片应用方式，可以直接替代当前的扩频芯片和外部的石英晶体。振荡器类型SSXO频率1 - 110MHz任意频率，精确到小数点后
2022-06-10 14:19:45
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原创 SiT9002：1 -220MHz差分扩频振荡器SSXO
SiT9002是SiTime公司推出的一款1-220MHz差分输出的芯片级、可编程扩频MEMS振荡器，可有效降低EMI达16dB、无温漂、低抖动，无温漂、低抖动。兼容LVPECL, LVDS, CML和 HCSL电平输出，广泛用于消费电子、视频、图像采集、机顶盒、HDTV、DVR、扫描仪、打印机、复印机、网络摄像头等领域。SiT9002是业界第一款可编程差分扩频时钟振荡器，输出电平支持四种模式：LVPECL、LVDS、CML、HCSL。振荡器类型SSXO频率1 - 220MHz任意频率，精确到小数点后5位频
2022-06-09 10:00:23
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原创 SiT5721：±5~±8ppb超高精度Stratum 3E恒温数控振荡器DCOCXO，1-60MHz
SiT5721 是业界最小的 Stratum 3E 数控 OCXO，具有 ±5 ppb 频率稳定性和 ±40 ppt/°C 频率斜率 (ΔF/ΔT)。该设备旨在提供最佳动态性能。利用 SiTime 独特的 DualMEMS™ 和 TurboCompensation™ 温度传感技术，这款 DCOCXO 在存在气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰 (EMI) 等环境压力因素的情况下提供最稳定的计时。SiT5721 的环境稳健性实现了无与伦比的易用性并简化了系统设计：SiT5721 可以在工厂编程为 1 到 60
2022-06-09 09:49:38
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原创 SiT5711：±5~±8ppb超高精度Stratum 3E恒温振荡器OCXO，1-60MHz
在 5G 之前，OCXO 部署在良好受控的环境中。现在5G应用通常被部署到诸如塔楼、屋顶或灯柱等非受控环境中。在这样的环境中，传统石英OCXO容易受到诸如振动、温度变化和冲击等环境压力因素的干扰，进而降低网络性能、减少正常运行时间，甚至影响ADAS、精准定位等任务关键型服务的体验。因此，设计人员在布局石英OCXO时，必须远离气流和热源等压力因素，甚至使用专门的金属或塑料罩进行热隔离，但这会增加布线和制造生产复杂性，并导致潜在的信号完整性问题。此外，设计人员也尝试使用专门的塑封型 OCXO 盖进行热隔离，但这
2022-06-09 09:46:17
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原创 SiT5357：±0.1~±0.25ppm超高精度Stratum 3温补振荡器TCXO，60-220MHz
SiT5357是SiTime公司推出的一款60-220MHz输出的超高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温补振荡器VC-TCXO，可提供0.1 ppb/g 振动免疫力，不会产生频率扰动或微跳变。广泛应用于小型基站、IEEE1588、光传送 - SONET / SDH，OTN、同步以太网及光学设备。SiT5357具有超高的稳定性（±0.1 ppm至±0.25 ppm），出色的动态性能和丰富的功能。将会让小型基站、微波回传、同步以太网及光学设备的动态性能提升30 倍，动态稳定性提升 10 倍达 1 ppb/℃，可取
2022-06-09 09:43:04
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原创 SiT5356：±0.1~±0.25ppm超高精度Stratum 3温补振荡器TCXO，1-60MHz
SiT5356是SiTime推出的一款1-60MHz输出的超高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温度补偿型振荡器，可提供0.1 ppb/g 振动免疫力，不会产生频率扰动或微跳变。广泛应用于小型基站、IEEE1588、光传送 - SONET / SDH，OTN、同步以太网及光学设备。SiT5356具有超高的稳定性（±0.1 ppm至±0.25 ppm），出色的动态性能和丰富的功能。将会让小型基站、微波回传、同步以太网及光学设备的动态性能提升30 倍，动态稳定性提升 10 倍达 1 ppb/℃....
2022-06-09 09:40:02
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原创 SiT5157：±0.5~±2.5ppm高精度抗冲击抗振动温补振荡器TCXO，60-189MHz、200-220MHz
SiT5157是SiTime公司推出的一款60-220MHz输出的高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温度补偿型振荡器，可提供0.1 ppb/g 振动免疫力，不会产生频率扰动或微跳变。广泛应用于小型基站、微波回传、存储和服务器、专业音视频设备、同步以太网及光学设备。SiT5157具有极高的稳定性（±0.5 ppm至±2.5 ppm），出色的动态性能和丰富的功能。 这些设备解决了电信，网络和精密GNSS系统的根深蒂固的时序问题。在降低功耗和尺寸的同时，它们可用于取代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石
2022-06-09 09:36:57
187
原创 SiT5156：±0.5~±2.5ppm高精度抗冲击抗振动温补振荡器TCXO，1-60MHz
1、SiT5156简介SiT5156是SiTime公司推出的一款1-60MHz输出的高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温补振荡器VC-TCXO，可提供0.1 ppb/g 振动免疫力，不会产生频率扰动或微跳变。广泛应用于小型基站、微波回传、存储和服务器、专业音视频设备、同步以太网及光学设备。SiT5156具有极高的稳定性（±0.5 ppm至±2.5 ppm），出色的动态性能和丰富的功能。 这些设备解决了电信，网络和精密GNSS系统的根深蒂固的时序问题。在降低功耗和尺寸的同时，它们可用于取代新兴的5G和IEEE
2022-06-09 09:34:02
270
原创 SiT5155：±0.5ppm高精度抗冲击抗振动温补振荡器TCXO
1、SiT5155简介SiT5155温补振荡器VC-TCXO是SiTime公司推出的一款10-40MHz输出的高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温度补偿型振荡器，可提供0.1 ppb/g 振动免疫力，不会产生频率扰动或微跳变。广泛应用于小型基站、微波回传、存储和服务器、专业音视频设备、同步以太网及光学设备。SiT5155温补振荡器VC-TCXO具有极高的稳定性（±0.5 ppm），出色的动态性能和丰富的功能。 这些设备解决了电信，网络和精密GNSS系统的根深蒂固的时序问题。在降低功耗和尺寸的同时，它们可用于取
2022-06-09 09:30:11
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原创 SiT3373：220 -725MHz 低抖动压控差分振荡器VCXO
1、SiT3373简介SiT3373 是一款高频可编程差分 VCXO（压控振荡器），支持 LVPECL、LVDS 和 HCSL 输出类型，具 有高达 ±3145 ppm 的 27 个异常线性 APR（绝对牵引范围）选项。该器件基于 SiTime 独特的 Elite Platform™，可提供 0.23 ps 抖动（典型值）、±15 ppm 和 0.1% 牵引范围线性度的卓越动态性能，同时具有同样出色的相位噪声。Elite 产品经过精心设计，可在存在常见环境危害（例如冲击、振动、电源噪声、EMI 和电路板弯曲
2022-06-09 09:27:05
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原创 SiT3372：1 -220MHz 低抖动压控差分振荡器VCXO
1、SiT3372简介SiT3372 是一款低抖动、可编程差分 VCXO（压控振荡器），支持 LVPECL、LVDS 和 HCSL 输出类型，具有高达 ±3145 ppm 的 27 个异常线性 APR（绝对牵引范围）选项。该器件基于 SiTime 独特的 Elite Platform™，可提供 0.21 ps 抖动（典型值）、±15 ppm 和 0.1% 牵引范围线性度的卓越动态性能，同时具有同样出色的相位噪声。Elite 产品经过精心设计，可在存在常见环境危害（例如冲击、振动、电源噪声和 EMI）的情况下
2022-06-09 09:23:21
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原创 SiT3809：80 -220MHz 单端压控振荡器VCXO
SiT3809压控晶振是在市场上灵活、兼容LVCMOS/ LVTTL的压控振荡器（VCXO）。SiT3809支持80-220MHz范围内的任意频率，牵引范围从±25ppm到±1600ppmm，封装形式从2520、3225，5032到7050，与石英压控OSC管脚兼容。SiT3809提供了低于1ps的抖动性能、以及在牵引范围及线性特性方面10倍优于传统石英VCXO的特性，从而简化PLL和时钟同步设计。可透过编程改变驱动能力协助工作人员降低EMI，卓越的斜率（Kv）一致性，能将导因系统PLL效能所造成的差异性达
2022-06-08 10:47:35
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原创 SiT3808：1 -80MHz 单端压控振荡器VCXO
SiT3808压控晶振是在市场上灵活、兼容LVCMOS/ LVTTL的压控振荡器（VCXO）。SiT3808支持1-80MHz范围内的任意频率，牵引范围从±25ppm到±1600ppmm和封装形式从2520、3225，5032到7050，与石英压控OSC管脚兼容。（需要注意的是3225/2520是 4-pin管脚；7050/5032是6-pin管脚）。SiT3808提供了低于1ps的抖动性能、以及在牵引范围及线性特性方面10倍优于传统石英VCXO的特性，从而简化PLL和时钟同步设计。SiT3808可透过编程
2022-06-08 10:44:31
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原创 SiT3807：高性能单端压控振荡器VCXO
SiT3807 是一款高度灵活、高性能的压控晶振 (VCXO)，具有 LVCMOS/LVTTL 兼容输出。该器件支持一组标准频率以及电压（1.8 V、2.5 V 至、3.3 V）、牵引范围（±25 ppm 至 ±200 ppm）和封装（2520、3225、5032、7050）的任意组合。它提供了卓越的牵引范围线性度和调谐斜率一致性 (Kv)，比石英晶体 VCXO 好 10 倍，从而简化了 PLL 和时钟同步设计。SiT3807 VCXO 在尺寸和控制电压方面与传统石英器件 100% 兼容，因此无需任何设计更
2022-06-08 10:41:04
392
原创 SiT2021：抗冲击抗振动宽温振荡器,119-137MHz之间频率，SOT23-5封装
SiT2021抗冲击高温振荡器是市场上很强大可靠的高频、单芯片，单输出时钟发生器，具有0.1 PPB / G振动灵敏度，50kg冲击和70g抗震性以及5亿小时平均故障间隔时间（MTBF）。SiT2021抗冲击高温振荡器提供了高频（高达137 MHz），最佳稳定性（±20 PPM）和宽温度范围（-55℃至125℃）以及令人感到惊奇的组合。SiT2021采用SOT23-5封装，提供最佳的板级焊点可靠性，并可实现低成本，持续高可靠性工作。...
2022-06-08 10:36:52
203
原创 SiT2020：抗冲击抗振动宽温振荡器，1-110MHz之间频率，SOT23-5封装
1、SiT2020简介SiT2020抗冲击宽温振荡器是市场上很强大可靠的单芯片一输出时钟发生器，具有0.1 PPB / G振动灵敏度（G感度），50kg冲击和70g抗震性能以及5亿小时平均无故障时间（MTBF）。SiT2020抗冲击宽温振荡器提供灵活频率范围（1-110 MHz），最佳稳定度（±20 ppm）和宽温度范围（-55℃至125℃）。 SiT2020抗冲击宽温振荡器采用SOT23-5封装，提供最佳的板级焊点可靠性，并可实现低成本，持续高可靠性工作。...
2022-06-08 10:33:20
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原创 SiT2019：抗冲击抗振动宽温振荡器 115.194-137MHz之间频率，SOT23-5封装
SiT2019是具有嵌入式MEMS谐振器的高频，高温，单输出抗冲击宽温振荡器,支持115.194-137MHz之间的频率。 SiT2019具有低功耗，优异的稳定性，灵活的电源电压和高频应用的较短提前期等优点。 SiT2019采用小型5引脚SOT23-5封装，提供最佳的板级焊点可靠性，并可实现低成本，持续高可靠性工作。...
2022-06-08 10:29:55
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原创 SiT2018：抗冲击抗振动宽温振荡器，1-110MHz之间频率，SOT23-5封装
1、SiT2018简介SiT2018是具有嵌入式SOT23-5封装MEMS抗冲击宽温振荡器，1-110MHz单输出时钟发生器。 SiT2018抗冲击宽温振荡器具有广泛的频率范围，低功耗，最佳的稳定性和较短的交付时间，为消费者，网络，工业和其他应用。SiT2018采用SOT23-5引脚，提供最佳的板级焊点可靠性，并可实现低成本，持续高可靠性工作。...
2022-06-08 10:26:11
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原创 SiT8921：抗冲击抗振动宽温振荡器 -55℃ ~ +125℃，119.342-137MHz之间频率
SiT8921是一款专注超宽温、恶劣环境下的坚固可靠的单端MEMS抗冲击高温振荡器,支持119.342 - 137MHz之间的频率（可精确到小数点后6位）。由于SIT8921独特的硅MEMS和模拟电路设计，SiT8921在多个主要性能类别超越石英振荡器。虽然是在-55℃至+125℃的宽广温度范围内工作，SIT8921的功耗为石英振荡器的一半，稳定性却是后者的两倍。...
2022-06-08 10:17:12
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原创 SiT8920：抗冲击抗振动宽温振荡器 -55℃ ~ +125℃，1-110MHz之间频率
SiT8920是一款专注超宽温、恶劣环境下的坚固可靠的单端MEMS抗冲击宽温振荡器。由于其独特的硅MEMS和模拟电路设计，SiT8920在多个主要性能类别超越石英振荡器。虽然是在-55°至+125°的宽广温度范围内工作，SiT8920的功耗为石英振荡器的一半，稳定性却是后者的两倍。SiT8920在总体器件可靠性和抗冲击和振动性能方面，更分别提高了20倍和30倍。SiT8920拥有0.1ppb/G振动灵敏度（G-sensivity），50kg冲击和70g抗振动以及10亿小时平均无故障时间。...
2022-06-08 10:13:33
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原创 SiT8919：抗冲击抗振动宽温振荡器，115-137MHz之间频率
SiT8919抗冲击抗振动宽温振荡器延伸频率支持高达137MHz，同时SiT8919保持良好的稳定性（±20 ppm）在高温（高达125℃）及最小的2.0×1.6封装下，这个组合是不容易从石英中获得的。SiT8919还具有业界最佳的振动灵敏度和抗冲击和振动。SiT8919配备行业标准封装，因此无需任何设计变更就可取代石英晶振。...
2022-06-08 10:09:44
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SiT8008：1-110MHz低功耗单端有源晶振 SiTime硅晶振数据手册
2022-06-14
SiT1602：SiTime低功耗单端有源晶振 SiTime硅晶振数据手册
2022-06-14
SiT1576：1508CSP芯片级封装尺寸，1Hz-2.5MHz TCXO SiTime硅晶振数据手册
2022-06-14
SiT1552：高精度10±ppm，1508CSP封装，低功耗32.768KHz有源晶振SiTime硅晶振数据手册
2022-06-14
空空如也
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