晶体三极管结构及其工作原理详解

最新推荐文章于 2024-06-12 11:05:44 发布

半导体之芯

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分类专栏：半导体器件与原理介绍文章标签：硬件工程 fpga开发单片机

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本文详细介绍了晶体三极管的工作原理，包括NPN型晶体三极管的结构、分类和四种工作区间：正向放大区、反向放大区、饱和区和截止区。在正向放大区，晶体管通过小基极电流控制大集电极电流，实现电流放大。同时，文章还解释了晶体三极管内部载流子的运动以及其特性曲线。

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晶体三极管基本概述

晶体管是一种与其他电路元件结合使用时可产生电流增益、电压增益和信号功率增益的多结半导体器件。因此，晶体管称为有源器件，而二极管称为无源器件。晶体管的基本工作方式是在其两端施加电压时控制另一端的电流。晶体管两种主要类型：双极型晶体管(BJT)和场效应管(FET)。双极晶体管（Bipolar Junction Transistor-BJT)作为两种主要类型的晶体管之一，又称为半导体三极管、晶体三极管，简称晶体管。它由两个PN结组合而成，有两种载流子参与导电是一种电流控制电流源器件。晶体三极管主要应用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。

晶体三极管的分类

按照晶体三极管扩散区半导体材料不同，可分为NPN型晶体三极管和PNP型晶体三极管，如图1所示。晶体三极管有三个掺杂不同的扩散区和两个PN结，三端分别称为发射极E(Emitter)、基极B(Base)和集电极C(Collector)。发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结。晶体管电路符号中的箭头方向代表PN结的方向(即发射极的电流方向)。