FLASHDB之KVDB读取速度实验

F407外部SPI存储器,循环读取一条KV。

实验代码如下:

 for (count = 1; count < 30000; count++) {

        snprintf(key,128,"%010d", count);

        snprintf(val,128,"2024-06-07 14:39 %8d", count);

      //  fdb_kv_set(kvdb, key, val);

      //  FDB_INFO("insert [%d]", count);

{ /* GET the KV value */

        char *return_value, temp_data2[30] = { 0 };

        /* Get the "temp" KV value.

         * NOTE: The return value saved in fdb_kv_get's buffer. Please copy away as soon as possible.

         */

        return_value = fdb_kv_get(kvdb, key);

        /* the return value is NULL when get the value failed */

        if (return_value != NULL) {

            strncpy(temp_data2, return_value, sizeof(temp_data2));

            FDB_INFO("get the  value is: %s\n", temp_data2);

             }

         }

 }

LOG如下:

[09:23:06.315]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39      199

[09:23:06.353]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39      200

[09:24:39.214]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39      998

[09:24:39.406]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39      999

[09:24:39.603]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39     1000

[10:03:09.936]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39     4998

[10:03:10.920]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39     4999

[10:03:11.866]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39     5000

[14:37:24.603]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39    13999

[14:37:27.296]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39    14000

[14:37:29.989]收←◆[FlashDB][sample][kvdb][blob] get the  value is: 2024-06-07 14:39    14001

总结:

K较大时,用时较长。原因:因为写入的数据是按K从小到大写入,K大值排在最后面,所以查到时需时较长。

读出第200条时,需时38ms。

读出第1000条时,需时192ms。

读出第5000条时,需时946ms。查询平均一个节点0.189ms。

读出第14000条时,需时2693ms。查询平均一个节点0.192ms。

从第1000条到第14000条(共13000条)用时14:37:27.296 - 09:24:39.603 =18767.6935时 12分 47秒

### 回答1: FlashDB STM(Structured Transactional Memory)是一种基于闪存的结构化事务内存技术。事务内存是一种并发控制机制,用于管理并发程序访问和修改共享数据的方式。闪存是一种高速非易失性存储介质,具有较高的读取和写入速度,以及数据持久存储的特性。 FlashDB STM利用闪存的快速读写速度和持久性,为并发程序提供了更好的性能和可靠性。与传统的基于内存的事务内存技术相比,FlashDB STM能够将事务数据持久存储在闪存中,避免了由于服务器故障或断电等原因而导致的数据丢失。此外,FlashDB STM还能够通过闪存的并行读写能力,提高并发程序的处理速度FlashDB STM还提供了一套丰富的API接口,方便开发人员使用和管理事务。开发人员可以通过简单的函数调用实现事务的开始、提交或回滚操作,并且可以根据需要进行锁定和解锁等操作。这些功能使得并发程序的开发和管理更加简单和灵活。同时,FlashDB STM还提供了基于日志的恢复机制,保证了数据的一致性和完整性。 总之,FlashDB STM技术通过利用闪存的快速读写和持久性特性,为并发程序提供了高性能和可靠性的解决方案。它是一种创新的事务内存技术,适用于需要高并发和大规模数据处理的场景。随着闪存技术的不断发展和成熟,FlashDB STM有望在未来的数据存储和处理领域发挥更重要的作用。 ### 回答2: FlashDB STM 是一种基于闪存存储的事务性内存数据库。它是由研究人员开发的,旨在解决传统内存数据库在大规模数据写入时的性能瓶颈问题。 FlashDB STM 利用了闪存存储器的高速读取和持久性特性,并结合了事务性内存的思想,为应用程序提供了高效的读写操作。与传统的内存数据库相比,FlashDB STM 具有更高的容量和更快的存储速度,同时也具备了数据持久性,可在系统崩溃或断电时保证数据的完整性。 FlashDB STM 的设计基于一种称为STM(Software Transactional Memory)的技术。STM 在多线程并发访问下保证了数据的一致性,并通过将所有修改操作封装在事务中,确保了数据的完整性和可靠性。当多个事务同时修改相同的数据时,STM 会使用冲突检测和冲突解决机制来避免数据的丢失或不一致。 FlashDB STM 的应用场景非常广泛。它可以用于高并发读写的应用程序,如电子商务网站、金融交易系统等。通过提供快速的数据读写操作和数据持久性,FlashDB STM 可以极大地提升应用程序的性能和稳定性。 总之,FlashDB STM 是一种基于闪存存储的事务性内存数据库,它利用了闪存存储器的高速读写和持久性特性,通过 STM 技术保证数据的一致性,适用于高并发读写的应用场景,可以提升应用程序的性能和稳定性。
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