【LLC电路】设计优化

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已于 2024-05-29 19:29:25 修改

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文章标签：硬件工程学习

于 2024-05-29 19:28:13 首次发布

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$L_n= \frac{L_m}{L_r} \qquad \quad Q=\frac{\sqrt{L_r/C_r}}{N^2R_L} \quad \quad F_0=\frac{1}{2\pi\sqrt{L_rC_r}}$

一、选择输入电压范围

增益曲线：
工作在这段感性区域为最佳，最佳工作点设计在Vin=400V，开关频率选用1MHz为例，输入电压范围为 220V-400V，输出电压为48V，前级有PFC，PFC电压输出为400V。

二、选择变压器匝比和F0

原理图如下：
在这里插入图片描述

根据输入输出电压计算匝比：
$M=\frac{NV_o}{V_m/2}\approx1 \qquad \qquad N=\frac{V_m}{2V_o} \qquad \qquad \\ V_{in}=400V \qquad V_o=48V \\ \qquad N= 4$
$f_0=f_s=1MHz=\frac{1}{2\pi\sqrt{L_rC_r}} \qquad \qquad$

三、死区时间td 和最优励磁电感Lm实现低损耗

结合等效模型，查看Lm和Lr的电流波形，在死区阶段内实现软开关，上下管都不导通。
要实现ZVS就需要在这段死区时间内，把下管结电容上的电压放掉。

这里就需要让满足下列条件：
$I_M = \frac{NV_{o} T_{o}}{L_m {4}} \qquad \qquad L_m \leq \frac{T_o \cdot t_d}{16C_{oss}}$
前面的公式计算出励磁电感的最大电流，然后通过这个电流在死区内，是否能把电容上的电压放完。这里电感和电容的充放电，可以从电荷Q上面理解。从上述描述可以知道Lm不能太大，太大会导致放电太慢，无法完好实现ZVS。
$I_M.t_d=Q\qquad \int_{0} ^{\frac\pi4}2C_{oss}V_{in}=Q\qquad I_{M}t_{d} \geq 2C_{oss}V_{in}$
在td<< To的时候，会这样，

在这个基础上计算原边和副边的电流有效值，这样可以把损耗考虑在内，假设这个红线为纯正弦，蓝色虚线为斜率直线则有如下公式：
$\begin{gather} i_{L_r(t)} = \sqrt{2} I_{RMS\_p} \sin(\omega_0 t + \Phi) \end{gather}$
$i_{Lm}(t) = -i_{Lm\_ m} + \frac{n V_0}{L_m} (t - NT_s) \quad \text{when} \quad NT_s \leq t < \left(N + \frac{1}{2}\right)T_s$
$i_{Lm}(t) = i_{Lm\_ m} - \frac{n V_0}{L_m} \left[ t - \left(n + \frac{1}{2}\right)T_s \right] \quad \text{when} \quad \left(N + \frac{1}{2}\right)T_s \leq t < (N+1)T_s$
有了上述条件结合波形就可以得到：
$i_{Lm\_ m} = \frac{NV_{o} T_{s}}{L_m 4}$
由于当电路平衡时刻，当t=0时刻：
$i_{L_r(t)} = \sqrt{2} I_{RMS\_p} \sin(\omega_0 t + \Phi) =- \frac{NV_{o} T_{s}}{L_m 4}$
再求副边的电流，如果最上面的原理图电流参考方向时iLr 是从左到右，iLm是从上到下，则两个电流之差就是副边的电流，如下图式子：
$\begin{aligned} \left[\frac{i^2}{2}\right] = \left[\frac{\sqrt{2}I_{RMS} \sin(\omega t + \phi) + \frac{nV_o}{L_m} \frac{T_s}{4} - \frac{nV_o}{L_m}}{nR}\right] dt = \frac{V_o}{nR} \\ \\ I_{RMS\_P} = \frac{1}{4\sqrt{2}nR_L} V_o \sqrt{\frac{n^4 R_L^2 T_s^2}{L_m^2} + 4\pi^2} \\ \\ I_{RMS \_ S} = \sqrt{\frac{1}{T_s/2} \int_0 ^{T_s/2} \left[\frac{i_L(t) - i_{L_m}(t)}{2}\right]^2 dt} \\\\ I_{RMS\_S} = \frac{\sqrt{3} V_0}{24\pi R_L} \sqrt{\frac{(5\pi^2 - 48)\pi^2 R_L^2 T_s^2}{L_m^2} + 12T^4} \end{aligned}$
从这里看出，Lm越大不就是电流就越小，这样损耗就会变小。那岂不是Lm直接最大，但是和上面又有的理论有冲突？？
4. 实际上，在上面我们是忽略了死区，死区的存在，原边不向副边传输能量，然后Fs<F0时，电流会提前交汇死区相对来说更加明显，死区变大能量在死区内是不向副边传输能量，如果输出功率恒定，那么iLr的峰值将会更大，这样会导致周期性损耗加大，而在第三点中表述的是在周期内的损耗变小。
![[Pasted image 20240508200225.png]]

结合第三点的公式，把死区考虑在内。
![[Pasted image 20240508202242.png]]

$\begin{aligned} {i_{L_r(t)} = \sqrt{2} I_{RMS\_p} \sin(\omega_0 t + \Phi)} \\\\ i_{Lm}(t) = -i_{Lm\_ m} + \frac{n V_0}{L_m} (t - NT_s) \qquad \qquad \text{when} \quad NT_s \leq t < \left(N + \frac{1}{2}\right)T_0\\\\ i_{Lm}(t) = i_{Lm\_ m} - \frac{n V_0}{L_m} \left[ t - \left(n + \frac{1}{2}\right)T_s \right] \quad \text{when} \quad \left(N + \frac{1}{2}\right)T_s \leq t < (N+1)T_0 \end{aligned}$

在把死区的表达式写上：
$Lm_ m when ( N + 1 2 ) T 0 ≤ t < ( N + 1 2 ) T s i m ( t ) = − i m Lm_ m when ( N + 1 ) T 0 ≤ t < ( N + 1 ) T s \begin{aligned} i_m(t) = i_{m_{\text{Lm\_ m}}} \quad \quad \text{ when } (N + \frac{1}{2} )T_0\leq t < (N + \frac{1}{2} )T_s \\ i_m(t) = -i_{m_{\text{Lm\_ m}}}\quad \quad \text{ when } (N + 1)T_0 \leq t < (N + 1)T_s \end{aligned}$
结合上面的5个公式再次按照上面的解决思路，把Irms_p求出来
$I_{RMS\_P} = \frac{1}{4\sqrt{2}} \frac{V_0}{n R_L} \sqrt{\frac{n^4 R_L^2 T_S^2}{L_m^2} + 4\pi^2 + \frac{16\pi^2 (T_0 t_d + t_d^2)}{T_0^2}}$
然后把原来死区与Lm的不等式条件，取最大值，带入后获得全是td得表达式，过程在这省略，把副边电流也表达出来。
$\begin{aligned} I_{RMS\_P} = \frac{1}{4\sqrt{2}} \frac{V_0}{nR_L} \sqrt{\frac{256C_j^2 n^4 R_L^2 + }{{t_d^2}} +4\pi^2+\frac{16\pi^2 (T_0 t_d + t_d^2)}{T_0^2}}\\\\ I_{RMS \_ S} = \sqrt{\frac{1}{T_s/2} \int_0 ^{T_s/2} \left[\frac{i_L(t) - i_{L_m}(t)}{2}\right]^2 dt} \\\\ I_{RMS\_S} = \frac{\sqrt{3}}{24\pi} \frac{V_0}{R_L} \sqrt{\frac{256C_j^2 (5\pi^2 - 48) n^4 R_L^2 T_0}{t_d^2 (T_0 + 2t_d)} + \frac{12\pi^4 T_0}{T_0 + 2t_d} + \frac{48\pi^4 (T_0 t_d + t_d^2)}{T_0 (T_0 + 2t_d)}} \end{aligned}$
5. 从公式可以看出td即在分母又在分子，所以说这个损耗公式不是一个直线，而是一个曲线，这里采用100%满载进行绘图优化。
![[Pasted image 20240509154539.png]]

从曲线当中可以看出只有原副边最小电流时，损耗最小，最优死区时间为120ns，然后再来考虑开关上的损耗，导通和交叉损耗
![[Pasted image 20240509160558.png]]
![[Pasted image 20240509160618.png]]

然后把所有损耗Total loss 和Lm的关系绘制出一张图片，从图中看出当
死区时间为100ns，Lm取13uH附近为总损耗最低
Lm变大可以降低电流损耗，td变大会增大电流的周期损耗。
![[Pasted image 20240509161755.png]]

四、设计Ln（get Lr）实现获取峰值增益的时间

td决定了，那么Lm也就决定了，这里在把Ln决定。
$L_n Q = \frac{2 \pi f_0}{n^2 R_L} L_m = 2 \qquad \qquad Ln = 4$
选择合适的Ln和Q
$L_n = \frac{L_m}{L_r} \qquad Q = \frac{\sqrt{L_n / C_r}}{n^2 R_L}$

当Ln不同时，并联谐振点会向左右移动，大往左移动，小往右移动，在考虑电压电流应力，把不同时刻的Ln和Q值对应的满载曲线绘制如下
![[Pasted image 20240514201930.png]] ![[Pasted image 20240514201939.png]]

从电压应力来看，几乎没有太大的差别，但是在电流应力（低损耗）上看出来，我们需要选择更小Ln和更大的Q
第一步：电压得输入范围为220-400V
第二步：算出N=4，并且f0=1MHz
第三步：最优Lm=13uH，死区时间td=100ns

$\begin{aligned} M_{holdup} = \frac{400}{220} = 1.8 \quad \quad f_0=\frac1{2\pi \sqrt{L_r C_r}} = f_s = 1 MHz \quad \\L_m = \frac{L_m}{L_r} \quad \quad \quad \quad L_m=13uH\quad \quad \quad \quad \quad \quad\\ R_L = \frac{V_D^2}{P_O} \quad \quad \quad \quad Q = \frac{\sqrt{L_r / C_r}}{n^2 R_L} \quad \quad \quad \quad \quad \quad \\ M_{holdup} = \frac{400}{220} = 1.8 \quad \quad L_n Q = \frac{2\pi f_0}{n^2 R_L} L_m = 2 \end{aligned}$

系统只有四个变量需要确认，Lr，Lm，Cr，N。匝比N已经由输入输出电压决定了，Lm已经通过死区td和他的约束决定了，Lr和Cr还有一个约束条件f0，但是Ln和Q的乘积是确定。但是我们从上一步确定需要选择更小Ln和更大的Q。
![[Pasted image 20240517171012.png]] ![[Pasted image 20240517171022.png]]

把原来的增益和频率的关系画出来，在这个基础上增加Q值得坐标，把每一个Q对应得最大增益画出来，做出Q与增益得关系，这只是Ln=5时得一条线，如果在这个基础上增加一条Ln轴，那么这个图就会成一个面，把Ln * Q=2这个约束条件加上，就会得到一条线。
![[Pasted image 20240517171610.png]] [[Pasted image 20240517171957.png]]