【反激变压器设计】

反激变压器设计基本步骤

1. 确定 Dmax 和 Vor

当开关管 Q 闭合时，初级线圈电压为 Vin（输入为 265V 时，达到 375V）。如果变压器初级线圈为 Np，次级线圈为 Ns，匝比为 n = Np / Ns。

次级线圈的电压为：Vin / n。由于次级二极管 D3 反向，没有形成回路，所以线圈没有电流流经负载。二极管的反向耐压为 VDf = Vin / n + Vo，其中 Vo 为输出电压。当开关管 Q 关断时，变压器中储存的能量向负载释放。次级线圈的电压 VS = Vo + Vd，Vd 为整流二极管 D3 正向压降。初级线圈的电压为 VP = n * VS + Vleg，Vleg 为变压器漏感产生的尖锋电压，与输入电压反向。设定 Vor = n * VS，为反射电压。开关管承受的电压 Vds = Vinmax + Vor + Vleg。实际选择开关管时，必须留 20~50V 的余量。

根据伏秒法则：

Vin * Ton = Vor * Toff

其中 Ton 为开关管闭合时间，Toff 为开关管关断时间。占空比 D = Ton / (Ton + Toff)，周期 T = Ton + Toff。因此：

Ton = T * D
Toff = T * (1 - D)

所以：

Vin * D = Vor * (1 - D)

Dmax = Vor / (Vinmin + Vor)，建议设置在 0.3~0.5 当输入电压最小时取得最大占空比。

2. 求匝比 n

n = Vor / (Vo + Vd)

3. 求初级电感量 Lp

计算电感量时，有电感、电压、电流和时间的关系：

L = V * t / Ipp

其中 t 为时间，Ipp 为电流的变化量。初级电感量：

Lp = Vinmin * Tonmax / Ipp

对于 BCM（断续导通模式）：

Ipp = 2 * Pin / (Vinmin * Dmax)

Tonmax = T * Dmax = Dmax / fs，fs 为工作频率。

Lp = Vinmin * Vinmin * Dmax * Dmax / (2 * Pin * fs)

对于 CCM（连续导通模式）：

Ippccm = K * IppBCM，K < 1，参考输出功率和温升。

Lp = Vinmin * Vinmin * Dmax * Dmax / (2 * Pin * fs * K)

当输入为窄电压时，K 取 0.6~0.8；当输入为宽电压时，K 取 0.4~0.6。实际应用时，取值在以上的基础上乘以 1.1 倍，再以 10%的误差制作。

4. 选择磁芯

Ap = AwAe = (Pt * 10000) / (2 * ΔB * f * J * Ku)
（AP法有很多出入，后面单独出一期）式中 Pt = Po / η + Po 传输功率，J：电流密度 A/cm² (300~500)，Ku：绕组系数 0.2 ~ 0.5。

5. 求最小初级匝数

Np = Lp * Ipp / (Bm * Ae) = Vinmin * Tonmax / (Bm * Ae) = Vinmin * Dmax / (fs * Bm * Ae)

6. 初级、次级和反馈绕组匝数关系

n = Np / Ns，可以得到 Ns = Np / n。令反馈绕组为 Na，电压为 Va，由于反馈绕组与次级绕组同名端同向，所以，反馈绕组电压与次级绕组电压成比例，即：

Ns / Na = (Vo + Vd) / (Va + Vd1)

Vd：次级整流二极管正向压降，Vd1：反馈绕组整流二极管 D2 正向压降，na：匝比。Na = Np / (n * na)

7. 选择线经，确定初级、次级和反馈绕组匝数

线经的选择按每平方 mm 传递 4~6A 平均电流来计算。根据铜窗折中选择线经和匝数。尽量使 Np、Ns 和 Na 的取值接近整数。

8. 做样品、调整参数

按照相关的法律法规来制作样品，必须满足产品市场的法律法规。包括温升、绝缘等级、安规、EMI、EMC 等。电磁屏蔽（法拉利屏蔽），绕组之间的屏蔽不能形成回路，一端悬空，一端连接初级或次级的冷地（没有电压突变的点）。最外层的（磁芯外屏蔽）屏蔽必须形成回路，并将节点连接到初级或次级的冷地。绕制变压器时做到：热节点（指电压或电流突变的节点）放置在底层。

9. 参考例子

用 FSEZ1317 设计一款宽电压（85~265Vac）输入，输出 DC16.5V-0.35A，效率为 0.76。

查看 FSEZ1317 的 DATESHEET，可知其工作于 DCM，K 值取 1.5，工作频率为 50kHz。内置 1A/650V MOS 管，VCC 电压：16.5V。

1. 确定 Dmax 和 Vor

假设次级二极管正向压降 Vd = 0.7V，则：
VS = Vo + Vd = 16.5 + 0.7 = 17.2V
Vor 取 80V，Vinmin = (1 - a) * 85 * √2，a 为线电压整流后的纹波因子，与所用的滤波电容的大小直接相关。一般电容量按每瓦 2~3uF 选择。假设 a = 0.3，则：
Vinmin = (1 - 0.3) * 85 * √2 = 84V

Dmax = Vor / (Vin + Vor) = 80 / (80 + 84) = 0.488
IC 内部设计的最大占空比为 0.6，所以从占空比的角度来看是满足要求的。验证 Vor 的合理性。已知 MOS 的 VDS = 650V，最大直流电压 Vinmax = 265 * √2 = 375V，假设 Vleg = 120V，则：
余量 Vy = 650 - 375 - 80 - 120 = 75V
余量一般有 30V 就可以了，因此在设计 RCD 吸收电路时，可以将 Vleg 的电压设置在 155V，这样可以减少 RCD 吸收回路的功耗，从而提升效率。

2. 求匝比 n

n = Vor / (Vo + Vd) = 80 / 17.2 = 4.65

3. 求初级电感量 Lp

Lp = Vinmin * Tonmax / Ipp = Vinmin * Vinmin * Dmax * Dmax / (2 * Pin * fs * K)
= 84 * 84 * 0.488 * 0.488 / (2 * 0.35 * 50 * 1.5 * 0.76)
= 1.414mH
所以 Lp = 1.414 * 1.1 = 1.55mH。

4. 选择磁芯

Ap = AwAe = (Pt * 10000) / (2 * ΔB * f * J * Ku)
J * Ku = [(17.2 * 0.35 / 0.76 + 17.2 * 0.35) * 10000] / (2 * 0.25 * 50 * 0.2)
= 0.0768 平方厘米
查磁芯手册可知，EE16 AP = 0.0765 比较接近。故选择 EE16。

5. 求最小初级匝数

EE16 的 Ae = 19.2 平方毫米
Ippmax = (17.2 * 0.35 / 0.76 + 17.2 * 0.35) / (0.76 * 84 * 0.488) = 0.38647A
NNp=Lp* Ipp/（Bm* Ae）=1550* 0.38647/(0.25* 19.2)=125T
注意了：Lp 的单位是：uH, Ipp 的单位是：安培 Ae 的单位是：平方毫米。
Bm 的取值一般：0.2~0.3，单位：特斯拉。

6、 初级、次级和反馈绕组匝数关系。

n=4.65 NS=125/4.65=26.88,在这里不能为小数，取 29 圈。
na=VS/VA=17.2/(16.5+0.7)=1
NA=NS=29 圈
NP=4.65* 29=134.85 取 135 圈.

7、 选择线经，确定初级、次级和反馈绕组匝数。

初级次级平均电流最大值 0.0943A,若按 6A/mmmm,则 Ds=0.1415mm 取 0.15mm-
2UEW 铜线。
反馈绕组，由于电流较小，考虑到容易绕线，取 0.13mm-2UEW 铜线。
次级平均电流 0.35A,若按 6A/mmmm,则 Ds=0.2726mm,次级铜线如果用的是 2UEW
线的话，电流密度取：4~6A/mmmm；若用的是 TEX(三层绝缘线)线的话电流密度
最大可取到 10A/mmmm.

8、 做样品、调整参数。

根据第 7 步计算的方法来调整线经，使其可方便制样。绕线方式后面再出一期