反激变压器设计基本步骤
1. 确定 Dmax 和 Vor![参考原理图](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/ef1d404b3da498948110d5ad1fe97b7f.png)
当开关管 Q 闭合时,初级线圈电压为 Vin(输入为 265V 时,达到 375V)。如果变压器初级线圈为 Np,次级线圈为 Ns,匝比为 n = Np / Ns。
次级线圈的电压为:Vin / n。由于次级二极管 D3 反向,没有形成回路,所以线圈没有电流流经负载。二极管的反向耐压为 VDf = Vin / n + Vo,其中 Vo 为输出电压。当开关管 Q 关断时,变压器中储存的能量向负载释放。次级线圈的电压 VS = Vo + Vd,Vd 为整流二极管 D3 正向压降。初级线圈的电压为 VP = n * VS + Vleg,Vleg 为变压器漏感产生的尖锋电压,与输入电压反向。设定 Vor = n * VS,为反射电压。开关管承受的电压 Vds = Vinmax + Vor + Vleg。实际选择开关管时,必须留 20~50V 的余量。
根据伏秒法则:
Vin * Ton = Vor * Toff
其中 Ton 为开关管闭合时间,Toff 为开关管关断时间。占空比 D = Ton / (Ton + Toff),周期 T = Ton + Toff。因此:
Ton = T * D
Toff = T * (1 - D)
所以:
Vin * D = Vor * (1 - D)
Dmax = Vor / (Vinmin + Vor),建议设置在 0.3~0.5 当输入电压最小时取得最大占空比。
2. 求匝比 n
n = Vor / (Vo + Vd)
3. 求初级电感量 Lp
计算电感量时,有电感、电压、电流和时间的关系:
L = V * t / Ipp
其中 t 为时间,Ipp 为电流的变化量。初级电感量:
Lp = Vinmin * Tonmax / Ipp
对于 BCM(断续导通模式):
Ipp = 2 * Pin / (Vinmin * Dmax)
Tonmax = T * Dmax = Dmax / fs,fs 为工作频率。
Lp = Vinmin * Vinmin * Dmax * Dmax / (2 * Pin * fs)
对于 CCM(连续导通模式):
Ippccm = K * IppBCM,K < 1,参考输出功率和温升。
Lp = Vinmin * Vinmin * Dmax * Dmax / (2 * Pin * fs * K)
当输入为窄电压时,K 取 0.6~0.8;当输入为宽电压时,K 取 0.4~0.6。实际应用时,取值在以上的基础上乘以 1.1 倍,再以 10%的误差制作。
4. 选择磁芯
Ap = AwAe = (Pt * 10000) / (2 * ΔB * f * J * Ku)
(AP法有很多出入,后面单独出一期)式中 Pt = Po / η + Po 传输功率,J:电流密度 A/cm² (300~500),Ku:绕组系数 0.2 ~ 0.5。
5. 求最小初级匝数
Np = Lp * Ipp / (Bm * Ae) = Vinmin * Tonmax / (Bm * Ae) = Vinmin * Dmax / (fs * Bm * Ae)
6. 初级、次级和反馈绕组匝数关系
n = Np / Ns,可以得到 Ns = Np / n。令反馈绕组为 Na,电压为 Va,由于反馈绕组与次级绕组同名端同向,所以,反馈绕组电压与次级绕组电压成比例,即:
Ns / Na = (Vo + Vd) / (Va + Vd1)
Vd:次级整流二极管正向压降,Vd1:反馈绕组整流二极管 D2 正向压降,na:匝比。Na = Np / (n * na)
7. 选择线经,确定初级、次级和反馈绕组匝数
线经的选择按每平方 mm 传递 4~6A 平均电流来计算。根据铜窗折中选择线经和匝数。尽量使 Np、Ns 和 Na 的取值接近整数。
8. 做样品、调整参数
按照相关的法律法规来制作样品,必须满足产品市场的法律法规。包括温升、绝缘等级、安规、EMI、EMC 等。电磁屏蔽(法拉利屏蔽),绕组之间的屏蔽不能形成回路,一端悬空,一端连接初级或次级的冷地(没有电压突变的点)。最外层的(磁芯外屏蔽)屏蔽必须形成回路,并将节点连接到初级或次级的冷地。绕制变压器时做到:热节点(指电压或电流突变的节点)放置在底层。
9. 参考例子
用 FSEZ1317 设计一款宽电压(85~265Vac)输入,输出 DC16.5V-0.35A,效率为 0.76。
查看 FSEZ1317 的 DATESHEET,可知其工作于 DCM,K 值取 1.5,工作频率为 50kHz。内置 1A/650V MOS 管,VCC 电压:16.5V。
1. 确定 Dmax 和 Vor
假设次级二极管正向压降 Vd = 0.7V,则:
VS = Vo + Vd = 16.5 + 0.7 = 17.2V
Vor 取 80V,Vinmin = (1 - a) * 85 * √2,a 为线电压整流后的纹波因子,与所用的滤波电容的大小直接相关。一般电容量按每瓦 2~3uF 选择。假设 a = 0.3,则:
Vinmin = (1 - 0.3) * 85 * √2 = 84V
Dmax = Vor / (Vin + Vor) = 80 / (80 + 84) = 0.488
IC 内部设计的最大占空比为 0.6,所以从占空比的角度来看是满足要求的。验证 Vor 的合理性。已知 MOS 的 VDS = 650V,最大直流电压 Vinmax = 265 * √2 = 375V,假设 Vleg = 120V,则:
余量 Vy = 650 - 375 - 80 - 120 = 75V
余量一般有 30V 就可以了,因此在设计 RCD 吸收电路时,可以将 Vleg 的电压设置在 155V,这样可以减少 RCD 吸收回路的功耗,从而提升效率。
2. 求匝比 n
n = Vor / (Vo + Vd) = 80 / 17.2 = 4.65
3. 求初级电感量 Lp
Lp = Vinmin * Tonmax / Ipp = Vinmin * Vinmin * Dmax * Dmax / (2 * Pin * fs * K)
= 84 * 84 * 0.488 * 0.488 / (2 * 0.35 * 50 * 1.5 * 0.76)
= 1.414mH
所以 Lp = 1.414 * 1.1 = 1.55mH。
4. 选择磁芯
Ap = AwAe = (Pt * 10000) / (2 * ΔB * f * J * Ku)
J * Ku = [(17.2 * 0.35 / 0.76 + 17.2 * 0.35) * 10000] / (2 * 0.25 * 50 * 0.2)
= 0.0768 平方厘米
查磁芯手册可知,EE16 AP = 0.0765 比较接近。故选择 EE16。
5. 求最小初级匝数
EE16 的 Ae = 19.2 平方毫米
Ippmax = (17.2 * 0.35 / 0.76 + 17.2 * 0.35) / (0.76 * 84 * 0.488) = 0.38647A
NNp=Lp* Ipp/(Bm* Ae)=1550* 0.38647/(0.25* 19.2)=125T
注意了:Lp 的单位是:uH, Ipp 的单位是:安培 Ae 的单位是:平方毫米。
Bm 的取值一般:0.2~0.3,单位:特斯拉。
6、 初级、次级和反馈绕组匝数关系。
n=4.65 NS=125/4.65=26.88,在这里不能为小数,取 29 圈。
na=VS/VA=17.2/(16.5+0.7)=1
NA=NS=29 圈
NP=4.65* 29=134.85 取 135 圈.
7、 选择线经,确定初级、次级和反馈绕组匝数。
初级次级平均电流最大值 0.0943A,若按 6A/mmmm,则 Ds=0.1415mm 取 0.15mm-
2UEW 铜线。
反馈绕组,由于电流较小,考虑到容易绕线,取 0.13mm-2UEW 铜线。
次级平均电流 0.35A,若按 6A/mmmm,则 Ds=0.2726mm,次级铜线如果用的是 2UEW
线的话,电流密度取:4~6A/mmmm;若用的是 TEX(三层绝缘线)线的话电流密度
最大可取到 10A/mmmm.
8、 做样品、调整参数。
根据第 7 步计算的方法来调整线经,使其可方便制样。绕线方式后面再出一期