典型Boost电路图详细分析（比喻讲解法）

电路详细讲解

这个电路图显示了一个典型的升压（BOOST）转换器电路。下面是电路的工作原理及其关键部分的详细解释：

主要组成部分：

1. 输入电容（CIN）：平滑输入电压。
2. MOSFET（Q1）：作为开关元件。
3. 电感（L）：储存能量。
4. 续流二极管（D1）：提供电流路径。
5. 输出电容（COUT）：平滑输出电压。
6. 负载（RL）：连接在输出端的负载。

电路工作原理：

1. MOSFET（Q1）导通时：

   • 电感（L）从电源（VCC）吸收能量，电流I1逐渐增大，能量储存在电感中。
   • 此时，续流二极管（D1）反偏，不导通。
   • 负载（RL）上的电流主要由输出电容（COUT）提供。

2. MOSFET（Q1）关断时：

   • 电感（L）中的能量通过续流二极管（D1）释放到负载（RL）和输出电容（COUT）。
   • 电流I2通过二极管（D1）和负载（RL），电流逐渐减小。
   • 由于电感电流不能瞬间改变，因此在MOSFET关断的瞬间会产生一个电压峰值（反峰电压），并通过续流二极管（D1）导通，防止电感电流断续。

输入电压和输出电压关系（1/(1-D)）

在升压转换器中，输入电压（Vin）和输出电压（Vout）之间的关系由占空比（D）决定：

理解这个公式：

• 占空比（D）：MOSFET导通时间与开关周期的比值。D的范围在0到1之间。

• 导通时间：MOSFET导通时，电感电流增加。

• 关断时间：MOSFET关断时，电感电流通过续流二极管提供能量给负载和输出电容。

• 当MOSFET导通时，电感电流增加，电感存储能量。

• 当MOSFET关断时，电感通过二极管向负载和输出电容释放能量。

元件选型参数

MOSFET（Q1）

1. 额定电压（Vds）：至少为输出电压的1.5倍。例如，如果输出电压是20V，选择耐压30V或更高的MOSFET。
2. 额定电流（Id）：应大于电路中的最大电流。可以选择额定电流比电路最大电流大20-30%的MOSFET。
3. 导通电阻（Rds(on)）：越低越好，低导通电阻可以减少导通损耗，提高效率。
4. 开关速度：快速开关时间有助于降低开关损耗，但开关速度太快可能会引起EMI问题。

续流二极管（D1）

1. 额定电压（Vr）：应至少为输出电压的1.5倍。例如，如果输出电压是20V，选择耐压30V或更高的二极管。
2. 额定电流（If）：应大于电路中的最大电流，可以选择额定电流比电路最大电流大20-30%的二极管。
3. 反向恢复时间（trr）：较短的反向恢复时间可以减少开关损耗。肖特基二极管通常具有较短的反向恢复时间，非常适合这种应用。
4. 正向压降（Vf）：越低越好，低正向压降可以减少导通损耗，提高效率。

输入电容（CIN）和输出电容（COUT）

1. 额定电压（V）：应至少为输入电压和输出电压的1.5倍。例如，如果输入电压是12V，选择耐压20V或更高的电容。
2. 电容量（C）：
   • 输入电容（CIN）：应足够大，以平滑输入电压，减少输入电流的纹波。通常选取10-100μF的电容。
   • 输出电容（COUT）：应足够大，以平滑输出电压，减少输出电压的纹波。电容值取决于负载电流和允许的输出电压纹波，通常在100μF以上。
3. 等效串联电阻（ESR）：越低越好，低ESR可以减少电容的纹波电流损耗，提高效率。

电感关闭瞬间反峰电压

当MOSFET关断时，电感中的电流不能瞬间改变，因此会产生一个高压尖峰，称为反峰电压。这是因为电感试图保持电流流动，而MOSFET突然断开了电流路径。为了防止这个高压尖峰损坏MOSFET，续流二极管（D1）提供了一条路径让电流继续流动，从而将电感中的能量安全地释放到负载和输出电容中。

电路详细讲解
这个电路图显示了一个典型的升压（BOOST）转换器电路。下面是电路的工作原理及其关键部分的详细解释：
主要组成部分：
输入电容（CIN）：平滑输入电压。
MOSFET（Q1）：作为开关元件。
电感（L）：储存能量。
续流二极管（D1）：提供电流路径。
输出电容（COUT）：平滑输出电压。
负载（RL）：连接在输出端的负载。
电路工作原理：
MOSFET（Q1）导通时：

电感（L）从电源（VCC）吸收能量，电流I1逐渐增大，能量储存在电感中。
此时，续流二极管（D1）反偏，不导通。
负载（RL）上的电流主要由输出电容（COUT）提供。

MOSFET（Q1）关断时：

电感（L）中的能量通过续流二极管（D1）释放到负载（RL）和输出电容（COUT）。
电流I2通过二极管（D1）和负载（RL），电流逐渐减小。
由于电感电流不能瞬间改变，因此在MOSFET关断的瞬间会产生一个电压峰值（反峰电压），并通过续流二极管（D1）导通，防止电感电流断续。

输入电压和输出电压关系（1/(1-D)）
在升压转换器中，输入电压（Vin）和输出电压（Vout）之间的关系由占空比（D）决定：

理解这个公式：
占空比（D）：MOSFET导通时间与开关周期的比值。D的范围在0到1之间。
导通时间：MOSFET导通时，电感电流增加。
关断时间：MOSFET关断时，电感电流通过续流二极管提供能量给负载和输出电容。
当MOSFET导通时，电感电流增加，电感存储能量。
当MOSFET关断时，电感通过二极管向负载和输出电容释放能量。
元件选型参数
MOSFET（Q1）
额定电压（Vds）：至少为输出电压的1.5倍。例如，如果输出电压是20V，选择耐压30V或更高的MOSFET。
额定电流（Id）：应大于电路中的最大电流。可以选择额定电流比电路最大电流大20-30%的MOSFET。
导通电阻（Rds(on)）：越低越好，低导通电阻可以减少导通损耗，提高效率。
开关速度：快速开关时间有助于降低开关损耗，但开关速度太快可能会引起EMI问题。
续流二极管（D1）
额定电压（Vr）：应至少为输出电压的1.5倍。例如，如果输出电压是20V，选择耐压30V或更高的二极管。
额定电流（If）：应大于电路中的最大电流，可以选择额定电流比电路最大电流大20-30%的二极管。
反向恢复时间（trr）：较短的反向恢复时间可以减少开关损耗。肖特基二极管通常具有较短的反向恢复时间，非常适合这种应用。
正向压降（Vf）：越低越好，低正向压降可以减少导通损耗，提高效率。
输入电容（CIN）和输出电容（COUT）
额定电压（V）：应至少为输入电压和输出电压的1.5倍。例如，如果输入电压是12V，选择耐压20V或更高的电容。
电容量（C）：
输入电容（CIN）：应足够大，以平滑输入电压，减少输入电流的纹波。通常选取10-100μF的电容。
输出电容（COUT）：应足够大，以平滑输出电压，减少输出电压的纹波。电容值取决于负载电流和允许的输出电压纹波，通常在100μF以上。

等效串联电阻（ESR）：越低越好，低ESR可以减少电容的纹波电流损耗，提高效率。
电感关闭瞬间反峰电压
当MOSFET关断时，电感中的电流不能瞬间改变，因此会产生一个高压尖峰，称为反峰电压。这是因为电感试图保持电流流动，而MOSFET突然断开了电流路径。为了防止这个高压尖峰损坏MOSFET，续流二极管（D1）提供了一条路径让电流继续流动，从而将电感中的能量安全地释放到负载和输出电容中。
输入电压与输出电压关系（1/(1-D)）讲解
占空比定义
在升压转换器中，占空比 𝐷D 是指开关MOSFET导通时间与整个开关周期的比值，即：
𝐷=𝑇𝑜𝑛𝑇D=TTon
其中：
𝑇𝑜𝑛Ton 是MOSFET导通时间
𝑇T 是整个开关周期
输入电压与输出电压关系公式推导
导通阶段（MOSFET导通）：
电感 𝐿L 两端电压为 𝑉𝑖𝑛Vin（输入电压）。
电感电流 𝐼𝐿IL 增加，增量为 Δ𝐼𝐿ΔIL。
根据电感电压电流关系：
𝑉𝐿=𝐿𝑑𝐼𝐿𝑑𝑡VL=LdtdIL
导通期间的电感电压 𝑉𝐿=𝑉𝑖𝑛VL=Vin：
𝑉𝑖𝑛=𝐿Δ𝐼𝐿𝑇𝑜𝑛Vin=LTonΔIL
因此，电感电流的变化量 Δ𝐼𝐿ΔIL 为：
Δ𝐼𝐿=𝑉𝑖𝑛𝑇𝑜𝑛𝐿ΔIL=LVinTon
关断阶段（MOSFET关断）：
电感 𝐿L 两端电压为 𝑉𝑜𝑢𝑡−𝑉𝑖𝑛Vout−Vin（输出电压减去输入电压）。
电感电流 𝐼𝐿IL 减少，减量为 Δ𝐼𝐿ΔIL。
同样，根据电感电压电流关系：
𝑉𝐿=𝐿𝑑𝐼𝐿𝑑𝑡VL=LdtdIL
关断期间的电感电压 𝑉𝐿=𝑉𝑜𝑢𝑡−𝑉𝑖𝑛VL=Vout−Vin：
𝑉𝑜𝑢𝑡−𝑉𝑖𝑛=𝐿Δ𝐼𝐿𝑇𝑜𝑓𝑓Vout−Vin=LToffΔIL
其中，𝑇𝑜𝑓𝑓=𝑇−𝑇𝑜𝑛Toff=T−Ton。
我们将导通和关断期间电感电流的变化量相等：
𝑉𝑖𝑛𝑇𝑜𝑛𝐿=(𝑉𝑜𝑢𝑡−𝑉𝑖𝑛)𝑇𝑜𝑓𝑓𝐿LVinTon=L(Vout−Vin)Toff
由于 𝑇=𝑇𝑜𝑛+𝑇𝑜𝑓𝑓T=Ton+Toff：
𝑉𝑖𝑛𝑇𝑜𝑛𝐿=(𝑉𝑜𝑢𝑡−𝑉𝑖𝑛)(𝑇−𝑇𝑜𝑛)𝐿LVinTon=L(Vout−Vin)(T−Ton)
整理得到：
𝑉𝑖𝑛𝑇𝑜𝑛=(𝑉𝑜𝑢𝑡−𝑉𝑖𝑛)(𝑇−𝑇𝑜𝑛)VinTon=(Vout−Vin)(T−Ton)
将 𝑇𝑜𝑛Ton 替换为 𝐷⋅𝑇D⋅T：
𝑉𝑖𝑛𝐷𝑇=(𝑉𝑜𝑢𝑡−𝑉𝑖𝑛)(1−𝐷)𝑇VinDT=(Vout−Vin)(1−D)T
两边消去 𝑇T：
𝑉𝑖𝑛𝐷=𝑉𝑜𝑢𝑡(1−𝐷)−𝑉𝑖𝑛(1−𝐷)VinD=Vout(1−D)−Vin(1−D)
将 𝑉𝑖𝑛Vin 整理到一起：
𝑉𝑖𝑛𝐷+𝑉𝑖𝑛(1−𝐷)=𝑉𝑜𝑢𝑡(1−𝐷)VinD+Vin(1−D)=Vout(1−D)
𝑉𝑖𝑛=𝑉𝑜𝑢𝑡(1−𝐷)Vin=Vout(1−D)
最后得到输出电压与输入电压的关系：
𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝑖𝑛1−𝐷Vout=1−DVin
电感关闭瞬间反峰电压（从电磁学角度讲解）
反峰电压的成因
电感具有抵抗电流变化的特性，这个特性用法拉第电磁感应定律来解释。当电感中的电流试图改变时，会产生电动势（电压），这个电动势的方向是抵抗电流的变化。
当MOSFET关断时，电流的路径突然中断，但电感中的电流不能瞬间为零。因此，电感会产生一个电压试图保持电流的流动。这会导致电感两端产生一个高压尖峰，称为反峰电压。
法拉第电磁感应定律
法拉第电磁感应定律描述了电感产生的电动势（𝑉V）与电流变化率（𝑑𝐼𝑑𝑡dtdI）的关系：
𝑉=−𝐿𝑑𝐼𝑑𝑡V=−LdtdI
当MOSFET关断时，电流 𝐼I 迅速减少，电流变化率 𝑑𝐼𝑑𝑡dtdI 很大，导致电感产生高电压。
Lenz定律
Lenz定律指出，感应电流的方向总是使得它的磁场反对原始磁场的变化。在这个情况下，电感产生的电压会试图保持原来的电流流动方向，从而在MOSFET关断时产生高压尖峰。
实际现象
在实际电路中，如果没有续流二极管，反峰电压可能会导致MOSFET过压击穿。因此，续流二极管提供了一条路径，让电感电流可以继续流动，防止高压尖峰损坏MOSFET。
元件选型参数（详细）
MOSFET（Q1）
额定电压（Vds）：
至少为输出电压的1.5倍。例如，输出电压20V，选择耐压30V或更高的MOSFET。
额定电流（Id）：
应大于电路中的最大电流。可以选择额定电流比电路最大电流大20-30%的MOSFET。
导通电阻（Rds(on)）：
越低越好，低导通电阻可以减少导通损耗，提高效率。
开关速度：
快速开关时间有助于降低开关损耗，但开关速度太快可能会引起EMI问题。
续流二极管（D1）
额定电压（Vr）：
应至少为输出电压的1.5倍。例如，输出电压20V，选择耐压30V或更高的二极管。
额定电流（If）：
应大于电路中的最大电流。可以选择额定电流比电路最大电流大20-30%的二极管。
反向恢复时间（trr）：
较短的反向恢复时间可以减少开关损耗。肖特基二极管通常具有较短的反向恢复时间，非常适合这种应用。
正向压降（Vf）：
越低越好，低正向压降可以减少导通损耗，提高效率。
输入电容（CIN）和输出电容（COUT）
额定电压（V）：
应至少为输入电压和输出电压的1.5倍。例如，输入电压12V，选择耐压20V或更高的电容。
电容量（C）：
输入电容（CIN）：应足够大，以平滑输入电压，减少输入电流的纹波。通常选取10-100μF的电容。
输出电容（COUT）：应足够大，以平滑输出电压，减少输出电压的纹波。电容值取决于负载电流和允许的输出电压纹波，通常在100μF以上。
等效串联电阻（ESR）：
越低越好，低ESR可以减少电容的纹波电流损耗，提高效率。
电感选择
电感量（L）：
电感量的选择取决于输入电压、输出电压、开关频率和允许的纹波电流。
额定电流：
应大于电路中的最大电流，包括纹波电流。
直流电阻（DCR）：
越低越好，低DCR可以减少电感的铜损，提高效率。